Продукція > IPD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPD65R420CFDATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R420CFDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO252-3 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8.7A On-state resistance: 0.42Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 83.3W Technology: CoolMOS™ Case: PG-TO252-3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R420CFDATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R420CFDATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-341 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R420CFDATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-341 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V | на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD65R420CFDBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk | на замовлення 2526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD65R420CFDBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R420CFDBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO252-3 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8.7A On-state resistance: 0.42Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 83.3W Technology: CoolMOS™ Case: PG-TO252-3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R600C6 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252 | на замовлення 7909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R600C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 7.3A DPAK-2 CoolMOS C6 | на замовлення 2534 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R600C6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER_LEGACY Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R600C6BTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7.3A On-state resistance: 0.6Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 63W Technology: CoolMOS™ Case: PG-TO252-3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R600C6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 7.3A DPAK-2 CoolMOS C6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R600C6BTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD65R600C6BTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R600E6 | Infineon technologies | на замовлення 2446 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPD65R600E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 7.3A DPAK-2 CoolMOS E6 | на замовлення 2793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R600E6 | Infineon Technologies | Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R600E6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R600E6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD65R600E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 2474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD65R600E6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 7.3A DPAK-2 | на замовлення 2464 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R600E6ATMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD65R600E6ATMA1 - IPD65R600 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 37917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD65R600E6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R600E6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7.3A On-state resistance: 0.6Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 63W Technology: CoolMOS™ Case: PG-TO252-3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R600E6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD65R600E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 2474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD65R600E6BTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R600E6BTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7.3A On-state resistance: 0.6Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 63W Technology: CoolMOS™ Case: PG-TO252-3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R600E6BTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD65R600E6TR | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R650CE | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R650CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R650CEAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD65R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.1 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 86W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm | на замовлення 2582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD65R650CEAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V | на замовлення 414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD65R650CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R650CEAUMA1 | Infineon | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPD65R650CEAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R650CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R650CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD65R650CEAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD65R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.1 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 86W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm | на замовлення 2582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD65R650CEAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; 86W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10.1A Gate charge: 23nC On-state resistance: 0.54Ω Power dissipation: 86W Case: DPAK; TO252 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R660CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 6A DPAK-2 CoolMOS CFD2 | на замовлення 408 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R660CFD | Infineon Technologies | Description: IPD65R660 - 650V AND 700V COOLMO FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) | на замовлення 827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD65R660CFDA | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 6A DPAK-2 | на замовлення 3556 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD65R660CFDAATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD65R660CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFDA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD65R660CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 543 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 214.55µA Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 3.22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 4093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD65R660CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R660CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD65R660CFDAATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD65R660CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 62.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFDA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.594ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD65R660CFDAATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 543 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 214.55µA Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 3.22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD65R660CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | на замовлення 2287 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R660CFDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO252-3 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A On-state resistance: 0.66Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 62.5W Technology: CoolMOS™ Case: PG-TO252-3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R660CFDATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R660CFDATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R660CFDATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3-313 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Power Dissipation (Max): 63W (Tc) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R660CFDATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3-313 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD65R660CFDBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO252-3 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A On-state resistance: 0.66Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 62.5W Technology: CoolMOS™ Case: PG-TO252-3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R660CFDBTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD65R660CFDBTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R660CFDBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R660CFDBTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD65R660CFDBTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R950C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 4.5A DPAK-2 | на замовлення 1738 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD65R950C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 81 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R950C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD65R950C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 4.5A DPAK-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R950C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 6621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD65R950C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R950C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD65R950C6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 4.5A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R950C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD65R950CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 3.9A DPAK-2 | на замовлення 788 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R950CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R950CFDATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 36.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R950CFDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 3.9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R950CFDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; 36.7W; PG-TO252-3 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.9A On-state resistance: 0.95Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 36.7W Technology: CoolMOS™ Case: PG-TO252-3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R950CFDATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Power Dissipation (Max): 36.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R950CFDATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Power Dissipation (Max): 36.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 100 V Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD65R950CFDATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R950CFDBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; 36.7W; PG-TO252-3 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.9A On-state resistance: 0.95Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 36.7W Technology: CoolMOS™ Case: PG-TO252-3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R950CFDBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Power Dissipation (Max): 36.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD65R950CFDBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 3.9A DPAK-2 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD70N03S4L-04 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2 | на замовлення 2864 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD70N03S4L-04 Код товару: 117633
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPD70N03S4L-04 | Infineon technologies | на замовлення 2119 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPD70N03S4L04ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD70N03S4L04ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD70N03S4L04ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD70N03S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 68W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm | на замовлення 2674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD70N03S4L04ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD70N03S4L04ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD70N03S4L04ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD70N03S4L04ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD70N03S4L04ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD70N03S4L04ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD70N03S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 68W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm | на замовлення 2674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD70N03S4L04ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD70N03S4L04ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2 | на замовлення 9402 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD70N03S4L04ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD70N03S4L04ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 68W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 70A Power dissipation: 68W Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD70N03S4L04ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD70N03S4L04ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD70N03S4L04ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPD70N04S3-07 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPD70N04S3-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 70A DPAK-2 OptiMOS-T | на замовлення 536 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |