Продукція > IPD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD60R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.72 грн
5000+28.34 грн
7500+27.13 грн
12500+24.85 грн
17500+22.29 грн
25000+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1181+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 1181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.56 грн
5000+22.12 грн
10000+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.19 грн
5000+27.86 грн
7500+26.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.29 грн
7500+18.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SE8228AUMA1Infineon Technologies600V Cool MOS P7 Power Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.87 грн
10+54.97 грн
100+36.27 грн
500+26.48 грн
1000+24.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R600PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
на замовлення 5595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
819+43.31 грн
1000+39.94 грн
Мінімальне замовлення: 819 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+80.53 грн
267+53.23 грн
500+41.50 грн
1000+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 3792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+64.15 грн
252+56.35 грн
311+45.72 грн
325+42.15 грн
500+36.07 грн
2500+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R600PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
на замовлення 5595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.53 грн
100+53.23 грн
500+41.50 грн
1000+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 4A; Idm: 14A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.219Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+42.55 грн
1000+39.25 грн
Мінімальне замовлення: 833 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.07 грн
10+63.19 грн
100+41.93 грн
500+30.79 грн
1000+28.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
819+43.31 грн
1000+39.94 грн
Мінімальне замовлення: 819 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEInfineon technologies
на замовлення 5057 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEInfineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEATMA1InfineonMOSFET N-CH 600V TO-252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
925+38.33 грн
1003+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 925 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+24.32 грн
48+15.85 грн
53+13.81 грн
100+12.77 грн
250+12.13 грн
500+12.01 грн
1000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 82W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 82W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 19A
Gate charge: 20.5nC
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+46.53 грн
25+41.22 грн
100+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
925+38.33 грн
1003+35.35 грн
10000+31.52 грн
Мінімальне замовлення: 925 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.74 грн
5000+28.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 82W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.04 грн
5000+29.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.08 грн
10+58.86 грн
50+43.71 грн
100+36.43 грн
500+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
980+14.47 грн
991+14.31 грн
1002+13.65 грн
1012+12.51 грн
1234+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 980 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
925+38.33 грн
1003+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 925 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.88 грн
5000+28.86 грн
10000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 (60S650CE)
Код товару: 201269
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R750E6Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R750E6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R750E6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 5.7A DPAK-2
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R750E6BTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252
на замовлення 36500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 662 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEInfineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 5.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 5.6A DPAK-2
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 5.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEATMA1InfineonMOSFET N-CH 600V TO-252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD60R800CEATMA1 - IPD60R800 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1096+32.36 грн
Мінімальне замовлення: 1096 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.62 грн
5000+26.36 грн
7500+26.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 8.4A; 74W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 74W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17.2nC
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+23.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1096+32.36 грн
Мінімальне замовлення: 1096 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.73 грн
5000+26.46 грн
7500+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 472500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.4A; 74W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 74W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17.2nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 6862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 4.4A DPAK-2 CoolMOS C6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
685+51.79 грн
1000+47.76 грн
10000+42.58 грн
Мінімальне замовлення: 685 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R950C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 4.4A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
685+51.79 грн
1000+47.76 грн
Мінімальне замовлення: 685 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
975+14.55 грн
991+14.32 грн
1007+14.09 грн
1024+13.36 грн
1041+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 975 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.78 грн
5000+37.77 грн
7500+37.39 грн
12500+34.69 грн
17500+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.93 грн
5000+37.91 грн
7500+37.30 грн
12500+34.82 грн
17500+32.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R950C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
на замовлення 2043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+15.02 грн
52+14.55 грн
100+13.81 грн
250+12.58 грн
500+11.87 грн
1000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.55 грн
5000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1
Код товару: 133580
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+80.94 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.22 грн
5000+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 3419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.05 грн
10+72.02 грн
50+53.88 грн
100+45.07 грн
500+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6BTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 4.4A DPAK-2 CoolMOS C6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD640N06L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 18A DPAK-2
на замовлення 11316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD640N06LGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD640N06LGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD64CN10N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 569 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD64CN10NGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD650P06NMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD650P06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 22 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.