Продукція > IPB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB65R190CFDAATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 171mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+217.20 грн
10000+199.43 грн
15000+186.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R190CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+154.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+402.20 грн
52+263.55 грн
100+173.19 грн
250+164.60 грн
500+164.19 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+155.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.74 грн
10+208.28 грн
100+147.42 грн
500+119.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+144.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R190CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 17.5A D2PAK-2 CoolMOS CFD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R190CFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 150793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+205.54 грн
500+194.91 грн
1000+184.28 грн
10000+166.30 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R190CFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 17.5A; 151W; D2PAK,TO263AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.93 грн
10+173.58 грн
100+121.60 грн
500+94.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R225C7Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 41A D2PAK-2
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R225C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R225C7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 41A D2PAK-2
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R225C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R225C7ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.89 грн
10+139.93 грн
100+97.22 грн
500+74.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R225C7ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R230CFD7AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R230CFD7AATMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.77 грн
10+146.81 грн
100+102.35 грн
500+83.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R230CFD7AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R230CFD7AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+173.85 грн
12000+159.63 грн
18000+149.31 грн
24000+136.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R230CFD7AATMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R280C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 13.8A D2PAK-2 CoolMOS C6
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R280C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R280E6Infineon TechnologiesDescription: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R280E6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 13.8A D2PAK-2 CoolMOS E6
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R280E6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R280E6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R280E6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 13.8A D2PAK-2
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R310CFDInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2 CoolMOS CFD2
на замовлення 4895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R310CFDAInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R310CFDAATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2
на замовлення 2513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R310CFDAATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.91 грн
10+143.37 грн
100+100.73 грн
500+74.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R310CFDAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R310CFDAATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R310CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.31 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104.2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R310CFDAATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+78.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R310CFDAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R310CFDAATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R310CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11.4 A, 0.31 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104.2W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R310CFDAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+253.14 грн
74+193.30 грн
75+183.59 грн
103+123.58 грн
250+117.47 грн
500+106.08 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R310CFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
282+50.29 грн
287+49.52 грн
291+48.74 грн
296+46.26 грн
301+42.14 грн
500+39.79 грн
1000+39.12 грн
Мінімальне замовлення: 282 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R310CFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.84 грн
500+141.75 грн
1000+133.48 грн
10000+120.74 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R310CFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R310CFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.07 грн
16+50.29 грн
25+49.52 грн
50+47.00 грн
100+42.83 грн
250+40.45 грн
500+39.79 грн
1000+39.12 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R310CFDATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2 CoolMOS CFD2
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R310CFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.84 грн
500+141.75 грн
1000+133.48 грн
10000+120.74 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R310CFDATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.4A; 104.2W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.4A
Power dissipation: 104.2W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R310CFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R310CFDATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R310CFDATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R310CFDATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.58 грн
10+129.08 грн
100+89.26 грн
500+70.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R310CFDATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R380C6Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 3263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+71.45 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R380C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 10.6A D2PAK-2 CoolMOS C6
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R380C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.58 грн
500+114.82 грн
1000+105.89 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R380C6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R380C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10.6A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 13540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+91.68 грн
Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R380C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.58 грн
500+114.82 грн
1000+105.89 грн
10000+91.03 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R380C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R420CFDInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
402+57.11 грн
Мінімальне замовлення: 402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R420CFDInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 8.7A D2PAK-2 CoolMOS CFD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R420CFDATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R420CFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+112.03 грн
500+100.83 грн
1000+92.99 грн
10000+79.94 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R420CFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 8.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R420CFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+112.03 грн
500+100.83 грн
1000+92.99 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R420CFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+112.03 грн
500+100.83 грн
1000+92.99 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R420CFDATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 310W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 310W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R600C6Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R600C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 7.3A D2PAK-2 CoolMOS C6
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R600C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 6A D2PAK-2 CoolMOS CFD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 6A TO263
на замовлення 21116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 6A TO263
на замовлення 21116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDAInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 6A D2PAK-2
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDAATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 543 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+61.75 грн
2000+55.20 грн
3000+54.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDAATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 6A D2PAK-2
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDAATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R660CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDAATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 543 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.72 грн
10+117.12 грн
100+80.28 грн
500+60.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+194.71 грн
116+123.15 грн
117+121.92 грн
118+116.39 грн
142+89.54 грн
250+85.10 грн
500+76.64 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDAATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R660CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDATMA1Infineon / IRMOSFET N-Ch 650V 6A D2PAK-2 CoolMOS CFD2
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.56 грн
25+76.94 грн
50+70.61 грн
100+63.79 грн
250+59.68 грн
500+58.42 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.93 грн
10+105.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R660CFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB70N04S3-07Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB70N04S3-07Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB70N04S3-07Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.