Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 40 41  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB80P04P4L06ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AECQ
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.58 грн
500+114.82 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L06ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+58.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L06ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB80P04P4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 5500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L06ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.05 грн
10+111.14 грн
25+94.58 грн
100+74.56 грн
250+71.80 грн
500+61.30 грн
1000+51.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L06ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AECQ
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+221.13 грн
105+136.08 грн
124+114.34 грн
500+100.24 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L06ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AECQ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L06ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB80P04P4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 5500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+200.54 грн
10+129.67 грн
100+89.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L08ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L08ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB80P04P4L08ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.58 грн
10+113.56 грн
100+78.28 грн
500+53.32 грн
1000+45.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L08ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.67 грн
10+104.79 грн
100+64.82 грн
500+59.99 грн
1000+49.15 грн
2000+48.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L08ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+59.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L08ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB80P04P4L08ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.15 грн
500+55.64 грн
1000+47.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P4L08ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.74 грн
10+117.34 грн
100+80.31 грн
500+60.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80R290C3AInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80R290C3AInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 84A D2PAK-2
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80R290C3AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80R290C3AATMA1Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80R290C3AATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+407.73 грн
10+263.25 грн
100+190.09 грн
500+177.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80R290C3AATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB80R290C3AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+454.24 грн
10+314.11 грн
100+228.73 грн
500+177.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80R290C3AATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+447.80 грн
10+300.89 грн
100+190.53 грн
500+171.89 грн
1000+152.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80R290C3AATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+160.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80R290C3AATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB80R290C3AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+228.73 грн
500+177.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80R290C3AATMA2Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N04S4-02Infineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N04S4-02Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 90A D2PAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.71 грн
10+142.90 грн
100+87.67 грн
500+71.11 грн
1000+65.31 грн
2000+64.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N04S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N04S402ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 90A; 150W; D2PAK,TO263AB
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Application: automotive industry
Technology: MOSFET
Gate charge: 118nC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+88.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N04S402ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.68 грн
10+135.51 грн
100+93.78 грн
500+71.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N04S402ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 150W; D2PAK,TO263AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: D2PAK; TO263AB
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Application: automotive industry
Gate charge: 118nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N04S402ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N04S402ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4-04Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS-T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S404ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL_55/60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S404ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S404ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.67 грн
10+90.20 грн
100+84.57 грн
500+73.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S404ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+90.13 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S404ATMA2Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S404ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+73.81 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S404ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S404ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+370.91 грн
60+236.25 грн
75+191.36 грн
100+173.14 грн
200+159.26 грн
500+135.68 грн
1000+126.56 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L-04Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+130.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB90N06S4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.57 грн
10+151.41 грн
100+105.51 грн
500+79.27 грн
1000+67.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.36 грн
10+129.68 грн
100+89.86 грн
500+71.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+195.62 грн
10+193.72 грн
25+191.74 грн
100+164.57 грн
250+150.78 грн
500+126.20 грн
1000+108.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.66 грн
10+134.96 грн
100+83.53 грн
500+71.11 грн
1000+61.16 грн
2000+60.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB90N06S4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+105.51 грн
500+79.27 грн
1000+67.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+195.62 грн
74+191.74 грн
100+164.57 грн
250+150.78 грн
500+126.20 грн
1000+108.62 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+67.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+130.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90R340C3Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 900V 15A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90R340C3Infineon technologies
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90R340C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90R340C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90R340C3ATMA1InfineonMOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90R340C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90R340C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90R340C3ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 900V 15A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90R340C3ATMA1InfineonMOSFET N-CH 900V 15A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90R340C3ATMA1
Код товару: 172820
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90R340C3ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90R340C3ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+399.48 грн
10+269.92 грн
100+184.32 грн
500+183.63 грн
1000+152.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90R340C3ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 15A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+415.50 грн
10+335.79 грн
100+271.61 грн
500+226.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90R340C3ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90R340C3ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB90R340C3ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.34 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
на замовлення 2599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+260.14 грн
200+204.92 грн
500+176.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90R340C3ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+186.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90R340C3ATMA2InfineonMOSFET N-CH 900V 15A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90R340C3ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 15A; 208W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 15A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90R340C3ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 15A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+214.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90R340C3ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+185.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90R340C3ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB90R340C3ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.34 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
на замовлення 2599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+456.66 грн
10+299.61 грн
50+260.14 грн
200+204.92 грн
500+176.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90R340C3ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+346.36 грн
100+270.42 грн
250+258.98 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R130PFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB95R130PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 36.5 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+524.31 грн
10+381.76 грн
100+279.47 грн
500+227.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R130PFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 36.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R130PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 25.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 400 V
на замовлення 3089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+586.36 грн
10+381.11 грн
100+277.37 грн
500+218.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R130PFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB95R130PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 36.5 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+381.76 грн
100+279.47 грн
500+227.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R130PFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 36.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R130PFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+542.84 грн
10+358.84 грн
100+250.59 грн
500+222.98 грн
1000+197.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R130PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 25.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+227.43 грн
2000+207.10 грн
3000+201.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R310PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 10.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+112.65 грн
2000+101.48 грн
3000+97.91 грн
5000+88.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R310PFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.61 грн
10+193.71 грн
100+120.81 грн
500+99.41 грн
1000+91.82 грн
2000+84.22 грн
5000+78.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R310PFD7ATMA1
Код товару: 206249
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R310PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 10.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 400 V
на замовлення 5444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.30 грн
10+203.42 грн
100+142.72 грн
500+109.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R310PFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R450PFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+241.62 грн
10+155.60 грн
100+95.27 грн
500+82.15 грн
1000+74.56 грн
2000+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R450PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 13.3A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R450PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 13.3A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.06 грн
10+166.48 грн
100+116.44 грн
500+89.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPBB13RSfera LabsI/O Modules Iono Pi Board RTC FCC Compliant
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPBB13XSfera LabsI/O Modules Iono Pi Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPBB20RSfera LabsPLC Controllers IONO PI BOARD RTC
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10357.41 грн
10+9529.09 грн
25+8169.49 грн
50+7261.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPBD-02-DSAMTECDescription: SAMTEC - IPBD-02-D - Steckverbindergehäuse, IPBD, Buchse, 4 -polig, 4.19 mm
tariffCode: 39269097
Anzahl der Positionen: 4-polig
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 4.19mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Zur Verwendung mit: Buchsenkontakte der Produktreihe CC69 von Samtec
Produktpalette: IPBD
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.75 грн
100+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPBD-02-DSamtecHeavy Duty Power Connectors .165 Power Mate Discrete Wire Socket Housing
на замовлення 2819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.34 грн
50+22.23 грн
100+15.88 грн
500+13.81 грн
1000+12.36 грн
2000+11.05 грн
5000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPBD-02-DSamtec Inc.Description: CONN RCPT HSG 4POS 4.20MM
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Number of Positions: 4
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Contact Termination: Crimp
Connector Type: Receptacle
Packaging: Bulk
Number of Rows: 2
Part Status: Active
Row Spacing: 0.165" (4.20mm)
Fastening Type: Latch Lock
Contact Type: Female Socket
Insulation Material: Polyamide (PA), Nylon
на замовлення 3652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.47 грн
10+42.03 грн
25+37.78 грн
50+32.73 грн
100+30.24 грн
250+27.30 грн
500+24.89 грн
1000+23.11 грн
2500+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPBD-02-D-KSamtec Inc.Description: CONN RCPT HSG 4POS 4.20MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.165" (4.20mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Insulation Material: Polyamide (PA), Nylon
на замовлення 129257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.40 грн
50+28.16 грн
100+23.39 грн
500+18.73 грн
1000+16.46 грн
2000+15.15 грн
5000+13.32 грн
10000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPBD-02-D-KSAMTECDescription: SAMTEC - IPBD-02-D-K - Steckverbindergehäuse, IPBD, Buchse, 4 -polig, 4.19 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 4-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 4.19mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Buchsenkontakte der Produktreihe CC69L/CC69R von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPBD
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPBD-02-D-KSamtecHeavy Duty Power Connectors .165 Power Mate Discrete Wire Socket Housing
на замовлення 4612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.36 грн
50+30.25 грн
100+21.81 грн
500+18.64 грн
1000+16.36 грн
2000+15.05 грн
5000+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPBD-02-D-K-MSamtec Inc.Description: CONN RCPT HSG 4POS 4.20MM
Features: Pick and Place, Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.165" (4.20mm)
Insulation Material: Polyamide (PA), Nylon
Number of Rows: 2
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+410.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPBD-02-D-K-MSamtecHeavy Duty Power Connectors .165 Power Mate Discrete Wire Socket Housing
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.92 грн
50+95.27 грн
100+71.11 грн
500+67.10 грн
1000+63.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 40 41  [ Наступна Сторінка >> ]