Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB65R150CFDAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+218.05 грн
500+207.44 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDAATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+152.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+247.51 грн
500+234.55 грн
1000+221.58 грн
10000+201.17 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+194.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 72A D2PAK-2
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 381000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+247.51 грн
500+234.55 грн
1000+221.58 грн
10000+201.17 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.4A; 195.3W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22.4A
Power dissipation: 195.3W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R150CFDATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 195.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195.3W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.135ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+116.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R150CFDATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.4 A, 0.135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195.3W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.07 грн
10+207.41 грн
100+146.69 грн
500+118.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R150CFDATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 22.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R155CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R155CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R155CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 20.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 49A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; 72W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 700V 49A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+278.16 грн
74+191.41 грн
100+187.64 грн
500+131.84 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+104.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.52 грн
10+179.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R190C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.168 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 72W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.168ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+188.58 грн
500+169.72 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+103.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R190C7ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.168 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+328.64 грн
63+226.06 грн
100+159.28 грн
500+128.22 грн
1000+111.29 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190C7ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDInfineon
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 17.5A D2PAK-2 CoolMOS CFD2
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 1050-1059 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFD7AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R190CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.159 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFD7AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.29 грн
500+152.04 грн
1000+143.79 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFD7AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFD7AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFD7AATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFD7AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.53 грн
10+198.81 грн
100+140.27 грн
500+112.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFD7AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R190CFD7AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.159 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 77W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.159ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFD7AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+305.50 грн
65+217.81 грн
100+214.04 грн
200+160.27 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFD7AATMA1InfineonMOSFET N-CH 650V 14A TO263-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFD7AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 14A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+291.57 грн
66+215.51 грн
67+203.61 грн
100+149.39 грн
250+141.92 грн
500+120.36 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFD7AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+362.07 грн
53+269.67 грн
100+241.38 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 171mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+216.72 грн
10000+198.99 грн
15000+186.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R190CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+154.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+401.31 грн
52+262.97 грн
100+172.80 грн
250+164.23 грн
500+163.82 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+154.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.77 грн
10+210.21 грн
100+148.78 грн
500+120.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+144.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R190CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 167000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+223.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 150793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+205.08 грн
500+194.47 грн
1000+183.87 грн
10000+165.93 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R190CFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 17.5A D2PAK-2 CoolMOS CFD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB65R190CFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA2Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 17.5A; 151W; D2PAK,TO263AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.47 грн
10+175.19 грн
100+122.73 грн
500+95.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R190CFDATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R225C7Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 41A D2PAK-2
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R225C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R225C7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 41A D2PAK-2
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R225C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R225C7ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R225C7ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.95 грн
10+141.22 грн
100+98.11 грн
500+74.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R230CFD7AATMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.93 грн
10+148.16 грн
100+103.29 грн
500+84.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R230CFD7AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R230CFD7AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+173.47 грн
12000+159.27 грн
18000+148.98 грн
24000+136.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R230CFD7AATMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R230CFD7AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R280C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 13.8A D2PAK-2 CoolMOS C6
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R280C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13.8A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R280E6Infineon TechnologiesDescription: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R280E6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 13.8A D2PAK-2 CoolMOS E6
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R280E6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 13.8A D2PAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R280E6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R280E6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 13.8A D2PAK-2
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R310CFDInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2 CoolMOS CFD2
на замовлення 4895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R310CFDAInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R310CFDAATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.85 грн
10+144.69 грн
100+101.66 грн
500+75.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]