Продукція > IPD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD70N04S3-07Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N04S307ATMA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3-12Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T
на замовлення 4591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.54 грн
10+131.79 грн
100+80.77 грн
500+72.49 грн
1000+70.41 грн
2500+63.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3-12Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+236.43 грн
63+227.41 грн
100+219.70 грн
250+205.43 грн
500+185.03 грн
1000+173.29 грн
2500+169.47 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+165.38 грн
500+148.84 грн
1000+137.02 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 14620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+225.86 грн
91+155.92 грн
100+152.14 грн
500+124.84 грн
1000+95.34 грн
2000+74.44 грн
2500+72.78 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+165.38 грн
500+148.84 грн
1000+137.02 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
342+41.51 грн
356+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 342 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+95.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.50 грн
10+156.94 грн
25+155.36 грн
100+127.47 грн
250+98.56 грн
500+93.67 грн
1000+89.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.23 грн
10+137.08 грн
100+95.21 грн
500+76.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+165.38 грн
500+148.84 грн
1000+137.02 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+226.50 грн
91+156.94 грн
92+155.36 грн
108+127.47 грн
250+98.56 грн
500+93.67 грн
1000+89.68 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+95.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S312ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L-12Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T
на замовлення 6585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.04 грн
10+138.93 грн
100+83.53 грн
500+67.65 грн
1000+62.96 грн
2500+62.34 грн
10000+61.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+124.03 грн
500+119.31 грн
1000+112.46 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+101.89 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+124.03 грн
500+119.31 грн
1000+112.46 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+90.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD70N10S3L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0115 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.20 грн
500+70.00 грн
1000+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+95.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.28 грн
10+110.56 грн
25+108.83 грн
100+103.26 грн
250+94.07 грн
500+88.82 грн
1000+87.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+124.03 грн
500+119.31 грн
1000+112.46 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+90.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD70N10S3L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0115 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.69 грн
50+115.98 грн
100+90.20 грн
500+70.00 грн
1000+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+95.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+124.03 грн
500+119.31 грн
1000+112.46 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N10S3L12ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S3-11Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+104.74 грн
500+100.29 грн
1000+94.72 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+104.74 грн
500+100.29 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD70N12S311ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 70 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.86 грн
10+116.78 грн
100+87.79 грн
500+65.96 грн
1000+56.82 грн
5000+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+104.74 грн
500+100.29 грн
1000+94.72 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+145.29 грн
105+135.84 грн
136+104.90 грн
200+96.47 грн
500+82.59 грн
2000+79.08 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(120V,300V)
на замовлення 14440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.60 грн
10+120.67 грн
100+76.63 грн
500+65.31 грн
1000+61.72 грн
2500+57.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+107.59 грн
138+102.77 грн
250+98.65 грн
500+91.69 грн
1000+82.13 грн
2500+76.51 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.28 грн
10+118.61 грн
100+81.68 грн
500+62.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD70N12S311ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 70 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.98 грн
250+71.20 грн
1000+61.70 грн
5000+55.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+104.74 грн
500+100.29 грн
1000+94.72 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(120V 300V)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(120V 300V)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S311ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+104.74 грн
500+100.29 грн
1000+94.72 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S3L12ATMA1Infineon TechnologiesOptiMOS -T Power-Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S3L12ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL 100+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N12S3L12ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_100+
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4-09Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -73A DPAK-2 OptiMOS-P2
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 547-556 дні (днів)
3+133.70 грн
10+118.29 грн
100+82.84 грн
500+67.72 грн
1000+56.26 грн
2500+52.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4-09Infineon
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
439+80.79 грн
Мінімальне замовлення: 439 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD70P04P409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 73 A, 0.0064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.25 грн
50+84.57 грн
100+61.85 грн
500+46.74 грн
1000+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 3116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.61 грн
10+94.47 грн
100+55.30 грн
500+44.80 грн
1000+40.11 грн
2500+37.55 грн
5000+35.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
439+80.79 грн
Мінімальне замовлення: 439 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.91 грн
10+83.39 грн
100+56.09 грн
500+41.68 грн
1000+38.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD70P04P409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 73 A, 0.0064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.85 грн
500+46.74 грн
1000+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+87.32 грн
171+83.25 грн
223+63.79 грн
229+59.78 грн
2000+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P409ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
439+80.79 грн
Мінімальне замовлення: 439 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L-08Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -40V -70A DPAK-2 OptiMOS-P2
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.76 грн
10+92.09 грн
100+63.58 грн
250+59.16 грн
500+53.71 грн
1000+46.05 грн
2500+43.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
432+82.20 грн
Мінімальне замовлення: 432 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD70P04P4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 6400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.31 грн
10+86.18 грн
100+58.07 грн
500+39.41 грн
1000+33.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
432+82.20 грн
Мінімальне замовлення: 432 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.35 грн
10+86.60 грн
100+58.44 грн
500+43.52 грн
1000+39.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
432+82.20 грн
Мінімальне замовлення: 432 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD70P04P4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 6400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.07 грн
500+39.41 грн
1000+33.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD70P04P4L08ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 7800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.94 грн
500+50.93 грн
1000+43.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.53 грн
159+89.35 грн
250+85.77 грн
500+79.72 грн
1000+71.41 грн
2500+66.52 грн
5000+64.74 грн
10000+63.15 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.77 грн
5000+35.71 грн
7500+35.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 14169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
432+82.20 грн
Мінімальне замовлення: 432 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 16478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.34 грн
10+68.99 грн
100+46.46 грн
500+38.80 грн
1000+37.28 грн
2500+32.93 грн
5000+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD70P04P4L08ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 7800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.83 грн
50+99.06 грн
100+68.94 грн
500+50.93 грн
1000+43.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
432+82.20 грн
Мінімальне замовлення: 432 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.52 грн
10+74.64 грн
100+54.90 грн
500+41.67 грн
1000+38.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70P04P4L08ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+88.92 грн
170+83.82 грн
223+63.69 грн
232+58.96 грн
1000+54.51 грн
2000+52.24 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.61 грн
10000+24.64 грн
15000+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD70R1K4CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.91 грн
500+24.75 грн
1000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.13 грн
5000+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.33 грн
5000+19.85 грн
7500+19.01 грн
12500+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.82 грн
10+46.13 грн
100+26.37 грн
500+20.37 грн
1000+18.43 грн
2500+16.22 грн
5000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD70R1K4CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.56 грн
17+50.18 грн
100+33.91 грн
500+24.75 грн
1000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]