Продукція > IRL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 40 44 48  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRLR024TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024ZIR07+ TO-252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 58mOhms 6.6nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024ZPBFInternational RectifierDPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024ZPBF
Код товару: 43945
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 17 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 480/15
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024ZTRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 16A 58mOhm 6.6nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024ZTRLPBFIR
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024ZTRPBFInfineon / IRMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 58mOhms 6.6nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLR110PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110SiliconixN-MOSFET 4.3A 100V 25W 0.54Ω IRLR110 smd TIRLR110
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110AFAIRCHILDTO-252/D-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110ATFFSCSOT-252
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110ATFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 22W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 2.35A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110ATF-NLFAIRCHILD
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110ATMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.7A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 2.35A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 22W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.15 грн
11+72.94 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 17A
On-state resistance: 0.54Ω
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
на замовлення 591 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.54 грн
11+39.42 грн
75+36.98 грн
525+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRLR110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.93 грн
15+56.90 грн
100+42.19 грн
500+29.74 грн
1000+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBFТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.57 грн
75+63.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+115.74 грн
246+57.60 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRLVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 100V 4.3 Amp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRLIR
на замовлення 11475 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRLPBFТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 17A
On-state resistance: 760mΩ
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRLPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs LOGIC MOSFET N-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBF
Код товару: 61266
Додати до обраних Обраний товар

8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.48 грн
4000+38.07 грн
6000+36.63 грн
10000+32.85 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBFMOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 17A
On-state resistance: 0.54Ω
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 10673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.57 грн
10+89.89 грн
100+60.76 грн
500+45.32 грн
1000+41.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+32.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.57 грн
10+89.89 грн
100+60.76 грн
500+45.32 грн
1000+41.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBF-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET
на замовлення 5540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
на замовлення 2812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120#TRPBFIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120AFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120ATFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+91.87 грн
500+82.68 грн
1000+76.24 грн
10000+65.56 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120ATFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+91.87 грн
500+82.68 грн
1000+76.24 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120ATFONSEMIDescription: ONSEMI - IRLR120ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.4 A, 0.22 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 8.4
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 35
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 35
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120ATFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+91.87 грн
500+82.68 грн
1000+76.24 грн
10000+65.56 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120ATFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 8.4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 4.2A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 30174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+65.14 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NIRTO-252
на замовлення 37200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NInternational Rectifier(MFET,N-CH,100V,10A,0.2 OM,TO-252AA) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NPBFIRLR120NPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 100 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 10 А, Ptot, Вт = 48, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 440 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 5 В, Rds = 185 мОм @ 6 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NPBF
Код товару: 32182
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Idd, A: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 440/20
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
очікується: 300 шт
  • 300 шт - очікується 05.07.2026
2+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NPBFInternational Rectifier(MFET,N-CH,100V,10A,0.2 OM,TO-252AA) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRInfineonTranzystor N-MOSFET; 100V; 16V; 265mOhm; 10A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR120NTR; IRLR120N; IRLR120N-GURT; IRLR120NTRL; IRLR120N SMD; IRLR120NTR TIRLR120n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRHXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 12A; 17W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR120N; IRLR120NTRL; IRLR120NTR; SP001577026; SP001568906; SP001574026; IRLR120NTR HXY MOSFET TIRLR120n HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRHXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 12A; 17W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR120N; IRLR120NTRL; IRLR120NTR; SP001577026; SP001568906; SP001574026; IRLR120NTR HXY MOSFET TIRLR120n HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRUMWTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 265mOhm; 10A; 48W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR120N; IRLR120NTRL; IRLR120NTR; SP001577026; SP001568906; SP001574026; IRLR120NTR UMW TIRLR120n UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRLInfineonTranzystor N-MOSFET; 100V; 16V; 265mOhm; 10A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR120NTR; IRLR120N; IRLR120N-GURT; IRLR120NTRL; IRLR120N SMD; IRLR120NTR TIRLR120n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
599+59.10 грн
1000+54.50 грн
Мінімальне замовлення: 599 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.40 грн
6000+30.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.47 грн
6000+30.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
599+59.10 грн
1000+54.50 грн
Мінімальне замовлення: 599 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 11A 185mOhm 13.3nC LogLv
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
599+59.10 грн
1000+54.50 грн
Мінімальне замовлення: 599 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.95 грн
12+66.27 грн
100+47.19 грн
500+36.89 грн
1000+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBFInternational Rectifier(MFET,N-CH,100V,10A,0.2 OM,TO-252AA) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+31.68 грн
4000+29.29 грн
6000+28.54 грн
10000+27.24 грн
14000+24.96 грн
20000+23.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.28 грн
16+50.80 грн
100+38.94 грн
500+28.38 грн
1000+23.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF
Код товару: 22353
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Idd, A: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 440/20
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+14.50 грн
100+12.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
на замовлення 11062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 13884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.19 грн
10+58.87 грн
100+38.92 грн
500+28.48 грн
1000+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+32.08 грн
4000+29.65 грн
6000+28.92 грн
10000+27.60 грн
14000+25.29 грн
20000+24.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.19 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 11279 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.99 грн
10+48.73 грн
100+35.73 грн
500+27.59 грн
1000+24.32 грн
2000+21.13 грн
4000+17.95 грн
6000+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 11, Ptot, Вт = 39, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 440 @ 25, Rds = 185 @ 10 В, 6 А мОм, Tексп, °C = -55...+175,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 473 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
75+19.31 грн
150+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 40 44 48  [ Наступна Сторінка >> ]