Продукція > IRL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRLR110TRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 760mΩ
Pulsed drain current: 17A
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRLPBFТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 4472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.77 грн
10+94.31 грн
50+71.23 грн
100+59.85 грн
500+47.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.54Ω
Pulsed drain current: 17A
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBF
Код товару: 61266
Додати до обраних Обраний товар

8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBFMOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.23 грн
10+89.00 грн
50+67.19 грн
100+56.46 грн
500+44.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBF-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET
на замовлення 5539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBF-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRPBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR110TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
на замовлення 2801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120#TRPBFIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120AFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120ATFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 8.4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 4.2A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 30174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+64.49 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120ATFFAIRCHILDIRLR120ATF
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+92.07 грн
500+82.87 грн
1000+76.41 грн
10000+65.70 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120ATFFAIRCHILDIRLR120ATF
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+92.07 грн
500+82.87 грн
1000+76.41 грн
10000+65.70 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120ATFFAIRCHILDIRLR120ATF
на замовлення 4174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+92.07 грн
500+82.87 грн
1000+76.41 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120ATFONSEMIDescription: ONSEMI - IRLR120ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.4 A, 0.22 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 8.4
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 35
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 35
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NIRTO-252
на замовлення 37200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NInternational Rectifier(MFET,N-CH,100V,10A,0.2 OM,TO-252AA) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NPBFIRLR120NPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 100 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NPBFInternational Rectifier(MFET,N-CH,100V,10A,0.2 OM,TO-252AA) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NPBF
Код товару: 32182
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,185 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 440/20
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 454 шт
  • 454 шт - склад
2+18.00 грн
10+15.90 грн
100+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 10 А, Ptot, Вт = 48, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 440 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 5 В, Rds = 185 мОм @ 6 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRInfineonTranzystor N-MOSFET; 100V; 16V; 265mOhm; 10A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR120NTR; IRLR120N; IRLR120N-GURT; IRLR120NTRL; IRLR120N SMD; IRLR120NTR TIRLR120n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRHXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 12A; 17W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR120N; IRLR120NTRL; IRLR120NTR; SP001577026; SP001568906; SP001574026; IRLR120NTR HXY MOSFET TIRLR120n HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRHXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 12A; 17W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR120N; IRLR120NTRL; IRLR120NTR; SP001577026; SP001568906; SP001574026; IRLR120NTR HXY MOSFET TIRLR120n HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRUMWTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 265mOhm; 10A; 48W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR120N; IRLR120NTRL; IRLR120NTR; SP001577026; SP001568906; SP001574026; IRLR120NTR UMW TIRLR120n UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTR-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 12A; 36W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR120N; IRLR120NTRL; IRLR120NTR; SP001577026; SP001568906; SP001574026; IRLR120NTR-CN CHIPNOBO TIRLR120n CNB
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRLInfineonTranzystor N-MOSFET; 100V; 16V; 265mOhm; 10A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR120NTR; IRLR120N; IRLR120N-GURT; IRLR120NTRL; IRLR120N SMD; IRLR120NTR TIRLR120n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
599+59.23 грн
1000+54.62 грн
Мінімальне замовлення: 599 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
599+59.23 грн
1000+54.62 грн
Мінімальне замовлення: 599 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 11A 185mOhm 13.3nC LogLv
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
599+59.23 грн
1000+54.62 грн
Мінімальне замовлення: 599 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.53 грн
6000+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.59 грн
6000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.72 грн
4000+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBFInfineon(MFET,N-CH,100V,10A,0.2 OM,TO-252AA) Транзистори
на замовлення 990 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
30+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.79 грн
4000+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF
Код товару: 22353
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,185 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 440/20
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
2+16.00 грн
10+14.50 грн
100+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 11301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.22 грн
10+47.56 грн
50+35.18 грн
100+29.25 грн
500+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+89.95 грн
228+62.37 грн
298+47.72 грн
334+40.98 грн
500+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 11, Ptot, Вт = 39, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 440 @ 25, Rds = 185 @ 10 В, 6 А мОм, Tексп, °C = -55...+175,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+112.23 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5919 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.22 грн
10+48.28 грн
100+35.40 грн
500+27.34 грн
1000+24.10 грн
2000+20.94 грн
4000+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+29.12 грн
4000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBFInternational Rectifier(MFET,N-CH,100V,10A,0.2 OM,TO-252AA) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
на замовлення 49074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.23 грн
11+70.07 грн
50+51.81 грн
100+44.27 грн
500+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+20.71 грн
6000+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.95 грн
13+62.37 грн
50+47.72 грн
100+40.98 грн
500+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120PBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRLVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
на замовлення 6468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.27Ω
Pulsed drain current: 31A
Gate charge: 12nC
Gate-source voltage: ±10V
на замовлення 466 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+64.43 грн
14+31.08 грн
25+27.50 грн
100+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+45.78 грн
Мінімальне замовлення: 310 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRRPBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120TRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR130AFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR130ATFonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR130ATFON SemiconductorIRLR130ATF
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
379+93.64 грн
500+84.28 грн
1000+77.72 грн
Мінімальне замовлення: 379 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR130ATFONSEMIDescription: ONSEMI - IRLR130ATF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR130ATFFairchild SemiconductorDescription: 13A, 100V, 0.12OHM, N-CHANNEL MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+67.39 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR130ATMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 13275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
316+112.37 грн
500+101.14 грн
1000+93.27 грн
10000+80.19 грн
Мінімальне замовлення: 316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR130ATMONSEMIDescription: ONSEMI - IRLR130ATM - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR130ATMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 6.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
на замовлення 20775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+81.00 грн
Мінімальне замовлення: 252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR130ATMonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR130ATMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
316+112.37 грн
500+101.14 грн
1000+93.27 грн
Мінімальне замовлення: 316 шт
В кошику  од. на суму  грн.