Продукція > FDM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMS86101DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 5633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+231.52 грн
500+218.53 грн
1000+206.72 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101EonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101EON SemiconductorMOSFET FET 100V 8.0 MOHM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101_F065onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101_SN00155onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305 pF @ 50 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+79.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+154.04 грн
108+132.30 грн
133+106.78 грн
500+81.56 грн
1000+73.24 грн
2000+65.20 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZONS/FAIMOSFET N-CH 100V 7A/22A PQFN-8 Транзистори
на замовлення 141 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+189.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+182.15 грн
93+153.38 грн
94+151.86 грн
119+115.80 грн
250+103.76 грн
500+85.61 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 69W; PQFN8
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 69W
Drain current: 22A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1305 pF @ 50 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.14 грн
10+129.76 грн
100+89.50 грн
500+67.85 грн
1000+64.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.60 грн
10+122.26 грн
100+74.56 грн
500+61.16 грн
3000+56.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+79.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103LON Semiconductor
на замовлення 10410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.62 грн
132+107.73 грн
134+105.84 грн
500+96.59 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+367.81 грн
59+240.40 грн
100+168.07 грн
500+136.03 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+77.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+126.63 грн
114+124.74 грн
119+120.02 грн
500+113.91 грн
1000+102.09 грн
2000+94.14 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103LonsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+275.45 грн
10+177.04 грн
100+112.53 грн
500+108.38 грн
1000+86.98 грн
3000+81.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+113.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86103L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 49 A, 6400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+130.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+112.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+367.81 грн
10+240.40 грн
100+168.07 грн
500+138.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+127.10 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+109.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86103L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 49 A, 6400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+275.45 грн
10+180.41 грн
100+130.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 12A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 6565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.41 грн
10+89.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103Lonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 35503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.06 грн
10+92.89 грн
500+77.32 грн
1000+75.25 грн
3000+70.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+108.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86103LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 50 V
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.20 грн
10+150.02 грн
100+104.32 грн
500+79.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 7448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.34 грн
10+92.89 грн
100+69.72 грн
500+67.65 грн
1000+67.10 грн
3000+62.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 73W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 73W
Case: PQFN8
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+97.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+193.55 грн
250+163.92 грн
500+122.03 грн
1000+116.07 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+174.51 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+133.59 грн
120+118.64 грн
139+102.52 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+176.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2885+174.51 грн
Мінімальне замовлення: 2885 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+337.63 грн
10+219.84 грн
100+152.87 грн
500+124.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104onsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.73 грн
10+128.61 грн
100+84.22 грн
500+80.08 грн
1000+78.70 грн
3000+73.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+100.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+108.73 грн
500+85.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+170.10 грн
500+153.56 грн
1000+141.75 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+118.71 грн
130+109.36 грн
131+108.73 грн
133+103.43 грн
250+94.44 грн
500+89.39 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+153.21 грн
108+131.38 грн
109+130.70 грн
127+108.34 грн
250+97.67 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+184.27 грн
98+145.52 грн
126+113.35 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.49 грн
10+122.74 грн
100+111.19 грн
500+105.08 грн
1000+95.29 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.94 грн
116+123.13 грн
128+111.55 грн
500+105.41 грн
1000+95.60 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+190.45 грн
95+150.44 грн
117+121.80 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+245.65 грн
50+151.41 грн
100+108.73 грн
500+85.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+224.33 грн
89+160.91 грн
119+119.28 грн
500+92.69 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+73.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+94.17 грн
500+92.72 грн
1000+89.27 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.50 грн
10+117.71 грн
100+80.78 грн
500+60.97 грн
1000+57.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
372+95.38 грн
500+91.32 грн
1000+86.24 грн
Мінімальне замовлення: 372 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+73.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.75 грн
10+99.24 грн
100+68.90 грн
250+64.96 грн
500+58.89 грн
1000+58.68 грн
3000+55.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105ONN
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+124.03 грн
500+111.63 грн
1000+102.95 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+136.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86105ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+86.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+179.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 4850 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4850µohm
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+399.48 грн
50+265.78 грн
100+188.46 грн
500+156.30 грн
1500+141.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+232.36 грн
500+224.58 грн
1000+210.12 грн
3000+183.33 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150onsemi / FairchildMOSFETs PT5 100V/20V Nch PowerTrench MOSFET
на замовлення 17735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+327.80 грн
10+219.91 грн
100+129.78 грн
500+123.57 грн
1000+118.74 грн
3000+108.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+172.46 грн
6000+171.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+165.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+165.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150onsemiDescription: MOSFET N CH 100V 16A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
на замовлення 14347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.70 грн
10+227.35 грн
100+162.05 грн
500+134.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+173.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+130.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+158.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+173.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 187W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 187W
Case: PQFN8
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 4850 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4850µohm
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+188.46 грн
500+156.30 грн
1500+141.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+180.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150onsemiDescription: MOSFET N CH 100V 16A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4065 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+121.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+296.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+321.58 грн
49+291.06 грн
52+275.28 грн
100+230.46 грн
250+211.28 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+158.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150AONN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150AonsemiDescription: FET 100V 4.85 MOHM PQFN56
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4665 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 23950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+361.91 грн
10+231.47 грн
100+164.94 грн
500+128.16 грн
1000+123.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150AonsemiMOSFETs FET 100V 4.85 MOHM PQFN56
на замовлення 5544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+384.98 грн
10+252.46 грн
100+142.90 грн
500+130.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150AonsemiDescription: FET 100V 4.85 MOHM PQFN56
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4665 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+136.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+426.43 грн
100+405.17 грн
500+383.91 грн
1000+349.69 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 40  [ Наступна Сторінка >> ]