Продукція > FDM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMS86150ET100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+326.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin Power QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+586.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100onsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+447.88 грн
100+425.48 грн
500+403.09 грн
1000+367.10 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150ET100ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 19715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+281.69 грн
500+269.91 грн
1000+254.58 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152onsemiMOSFETs 100V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 14A/45A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3370 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+154.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+219.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86152 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0052 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+218.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 14A/45A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3370 pF @ 50 V
на замовлення 13963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+399.75 грн
10+257.38 грн
100+185.25 грн
500+171.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86152 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0052 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+214.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163PonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.022 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+186.22 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163PON SemiconductorP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3070 @ 50, Qg, нКл = 42, Rds = 22 мОм, Ugs(th) = 2,8 В, Р, Вт = 104, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: Power-56-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+132.25 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+184.13 грн
18000+169.06 грн
27000+158.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+219.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+147.54 грн
500+145.32 грн
1000+144.21 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+273.92 грн
72+197.92 грн
107+133.39 грн
500+125.19 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+113.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+146.15 грн
500+137.90 грн
1000+130.83 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163PonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P
Код товару: 177994
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+132.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+114.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86163P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 50 A, 0.022 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+113.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163PONS/FAIMOSFET P-CH 100V 7.9A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163PonsemiMOSFETs PT5 100/25V Pch Power Trench MOSFET
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 104W; PQFN8
Mounting: SMD
Power dissipation: 104W
Gate charge: 59nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: PQFN8
On-state resistance: 36mΩ
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+264.63 грн
5+170.25 грн
10+156.83 грн
25+140.89 грн
50+129.99 грн
100+119.93 грн
500+115.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+146.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+147.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+111.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.92 грн
10+197.92 грн
100+133.39 грн
500+125.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 7.9A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+185.75 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P-23507Xonsemionsemi FET -100V 22.0 MOHM PQFN56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86163P-23507XonsemiDescription: FET -100V 22.0 MOHM PQFN56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+338.70 грн
10+291.74 грн
100+247.16 грн
500+235.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+229.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 151A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6215 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86180 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 2400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 138W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 21800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+289.94 грн
500+274.62 грн
1000+259.30 грн
10000+235.26 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+265.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+231.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+230.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 151A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6215 pF @ 50 V
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+475.78 грн
10+307.95 грн
100+222.96 грн
500+196.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86180 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 2400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 138W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180onsemi / FairchildMOSFETs 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET
на замовлення 5982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+305.26 грн
500+289.94 грн
1000+273.44 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86181 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 0.0042 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+187.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 828000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+100.72 грн
6000+99.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 124 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4125, Qg, нКл = 59, Rds = 4,2 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 125, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerPQFN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+74.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+111.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 78A; 125W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 78A
Power dissipation: 125W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4125 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86181 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 124 A, 0.0042 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181onsemi / FairchildMOSFETs 100V/20V N-Chnl Power Trench MOSFET
на замовлення 11540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+110.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+108.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+104.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181ONS/FAIMOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 828000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+102.79 грн
6000+99.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 44A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 501000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+96.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4125 pF @ 50 V
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.66 грн
10+162.88 грн
100+113.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181EonsemiMOSFET FET 100V 4.2 MOHM
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181EonsemiDescription: FET 100V 4.2 MOHM PQFN56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86181EON SemiconductorN Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET 100V, 124A, 4.2m
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.36 грн
500+128.47 грн
1000+121.40 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86182
Код товару: 209891
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86182onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86182ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86182 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 5900 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86182ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86182ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86182 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 5900 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86182onsemiMOSFETs PTNG 100/20V Nch Power Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86182onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86182ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49A; Idm: 364A; 83W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 364A
Power dissipation: 83W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+95.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
377+93.86 грн
500+84.47 грн
1000+77.89 грн
Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183onsemi / FairchildMOSFETs PTNG 100/20V Nch Power Trench Mosfet
на замовлення 39070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86183 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 9900 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 63W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9900µohm
на замовлення 5188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 187A; 63W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 187A
Power dissipation: 63W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
377+93.86 грн
500+84.47 грн
1000+77.89 грн
Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86183 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 9900 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 63W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9900µohm
на замовлення 5188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 50 V
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.87 грн
10+105.59 грн
50+80.16 грн
100+67.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+149.69 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
963+112.10 грн
Мінімальне замовлення: 963 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 36A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+109.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.