Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN2R0-30BL,118NexperiaMOSFET Std N-chanMOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30PLNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30PL,127NexperiaMOSFET PSMN2R0-30PL/SOT78/SIL3P
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.13 грн
10+134.96 грн
100+102.17 грн
500+93.20 грн
1000+77.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30PL,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 117nC
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+147.08 грн
10+131.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30PL,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+236.25 грн
500+224.44 грн
1000+211.44 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30PL,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R0-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.10 грн
10+136.92 грн
100+119.20 грн
500+100.96 грн
1000+78.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30PL,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6810 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YL
Код товару: 42090
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 12 V
на замовлення 7358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.34 грн
10+91.69 грн
100+62.34 грн
500+46.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YL,115NexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.25 грн
10+99.24 грн
100+58.26 грн
500+46.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.86 грн
56+13.52 грн
57+12.83 грн
58+11.69 грн
100+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 12 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+45.35 грн
3000+40.60 грн
4500+39.27 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YL,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 667A; 97W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 667A
Power dissipation: 97W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN2R0-30YLD/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2969 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLD/2XNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 100A; Idm: 793A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 793A
Power dissipation: 142W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2969 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.48 грн
10+62.24 грн
100+35.55 грн
500+27.54 грн
1000+26.09 грн
1500+20.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
380+93.47 грн
500+84.13 грн
1000+77.58 грн
Мінімальне замовлення: 380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
380+93.47 грн
500+84.13 грн
1000+77.58 грн
Мінімальне замовлення: 380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2969 pF @ 15 V
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.63 грн
10+59.68 грн
100+39.56 грн
500+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLENexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+126.21 грн
10+104.54 грн
25+71.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5217 pF @ 15 V
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.97 грн
10+107.39 грн
100+73.40 грн
500+55.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R0-30YLE,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 272W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+286.72 грн
10+185.24 грн
100+115.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5217 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+53.76 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115NexperiaMOSFETs PSMN2R0-30YLE/SOT669/LFPAK
на замовлення 6238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.02 грн
10+115.11 грн
100+68.90 грн
500+54.95 грн
1000+48.39 грн
1500+47.63 грн
9000+47.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+65.90 грн
3000+64.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+103.81 грн
10+87.25 грн
25+80.60 грн
100+76.45 грн
250+69.80 грн
500+68.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE/S50XNexperiaPSMN2R0-30YLE/S50X
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+116.23 грн
500+104.60 грн
1000+96.47 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE/S50XNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R0-30YLE/S50X - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.20 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-40YLBXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 180A
на замовлення 2076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.09 грн
10+83.36 грн
100+48.39 грн
500+38.24 грн
1000+33.27 грн
1500+30.72 грн
4500+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-40YLBXNexperia USA Inc.Description: PSMN2R0-40YLB/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6416 pF @ 20 V
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.81 грн
10+77.11 грн
100+51.77 грн
500+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-40YLBXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 180A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-40YLBXNexperia USA Inc.Description: PSMN2R0-40YLB/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6416 pF @ 20 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-40YLBXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 180A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-40YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 180A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6581 pF @ 20 V
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.96 грн
10+112.26 грн
100+76.85 грн
500+57.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-40YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 143A; Idm: 807A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 143A
Pulsed drain current: 807A
Power dissipation: 166W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-40YLDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 180A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-40YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 180A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6581 pF @ 20 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+56.47 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-55YLHXNexperia USA Inc.Description: PSMN2R0-55YLH/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 184 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11353 pF @ 27 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+124.36 грн
3000+116.37 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-55YLHXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R0-55YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 200 A, 1630 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower-S3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-55YLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-55YLHXNexperiaMOSFETs SOT1023 N-CH 55V 200A
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.64 грн
10+194.50 грн
100+109.07 грн
500+91.12 грн
1000+84.91 грн
1500+78.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-55YLHXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R0-55YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 200 A, 1630 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower-S3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+446.19 грн
10+314.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-55YLHXNexperia USA Inc.Description: PSMN2R0-55YLH/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 184 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11353 pF @ 27 V
на замовлення 18730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+353.37 грн
10+225.71 грн
100+160.84 грн
500+133.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-55YLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+233.89 грн
500+220.89 грн
1000+209.08 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-60ESNexperia USA Inc.Description: ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-60ES,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+328.39 грн
500+311.85 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-60ES,127Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA PSMN2R0-60ES - 120A, 60
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9997 pF @ 30 V
на замовлення 7334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+205.28 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-60ES,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+328.39 грн
500+311.85 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-60ES,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R0-60ES,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+252.89 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-60ES,127Nexperia USA Inc.Description: ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF
Packaging: Tube
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+205.28 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-60ES,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+328.39 грн
500+311.85 грн
1000+294.13 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-60ES,127NexperiaMOSFETs N-Ch 60V 2.2 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-60ES127Nexperia USA Inc.Description: PSMN2R0-60 - N-CHANNEL 60V STAND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-60PSNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-60PS,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 338W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-60PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+162.67 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-60PS,127NexperiaMOSFET PSMN2R0-60PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 10963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+307.66 грн
10+254.84 грн
50+217.46 грн
100+178.80 грн
500+159.47 грн
1000+128.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-60PS,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R0-60PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+343.10 грн
10+209.40 грн
100+183.63 грн
500+165.28 грн
1000+147.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-60PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+236.16 грн
100+197.26 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-60PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9997 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-60PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+466.59 грн
100+442.97 грн
500+420.52 грн
1000+382.72 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-60PSR,127Nexperia USA Inc.Description: PSMN2R0-60 - N-CHANNEL 60V STAND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-60PSRQNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1135A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 1135A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-60PSRQNexperiaMOSFET PSMN2R0-60PSR/SOT78/SIL3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-60PSRQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 192 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R1-30YLEXNexperia USA Inc.Description: PSMN2R1-30YLE/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3749 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R1-30YLEXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 160A
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.64 грн
10+96.85 грн
100+56.82 грн
500+45.77 грн
1000+41.01 грн
1500+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R1-30YLEXNexperia USA Inc.Description: PSMN2R1-30YLE/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3749 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R1-30YLEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 1870 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1870µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.34 грн
500+54.59 грн
1000+44.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R1-30YLEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 1870 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1870µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.13 грн
10+109.53 грн
100+74.34 грн
500+54.59 грн
1000+44.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R1-30YLEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+167.74 грн
500+151.20 грн
1000+139.39 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R1-40PLNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R1-40PLQNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+326.02 грн
500+308.31 грн
1000+291.77 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R1-40PLQNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 150A; Idm: 1075A; 293W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 1075A
Power dissipation: 293W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 168.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R1-40PLQNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+326.02 грн
500+308.31 грн
1000+291.77 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R1-40PLQNexperiaMOSFET PSMN2R1-40PL/SOT78/SIL3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R1-40PLQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9584 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R1-40PLQNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+326.02 грн
500+308.31 грн
1000+291.77 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R1-60CSJNexperiaMOSFET MOSFET N-CH 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R1-60CSJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-100SSEJNexperia USA Inc.Description: PSMN2R2-100SSE/SOT1235/LFPAK88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 255A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34776 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+120.78 грн
123+116.07 грн
146+97.46 грн
250+88.16 грн
500+73.68 грн
1000+62.41 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-25YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2542 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.64 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-25YLC,115NexperiaMOSFETs PSMN2R2-25YLC/SOT669/LFPAK
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.87 грн
10+61.76 грн
100+35.62 грн
500+27.96 грн
1000+27.48 грн
1500+24.85 грн
3000+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-25YLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.05mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.91 грн
10+120.78 грн
25+116.07 грн
100+93.98 грн
250+81.63 грн
500+70.73 грн
1000+62.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-25YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2542 pF @ 12 V
на замовлення 4370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.07 грн
10+63.34 грн
100+42.08 грн
500+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+107.86 грн
500+97.08 грн
1000+89.53 грн
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]