Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 40 45 50  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN1R9-80SSJJNexperia USA Inc.Description: PSMN1R9-80SSJ/SOT1235/LFPAK88
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+459.32 грн
10+297.08 грн
50+234.93 грн
100+201.71 грн
500+188.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSJJNexperiaMOSFETs PSMN1R9-80SSJ/SOT1235/LFPAK88
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSJJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSJJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 286A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSJJNexperia USA Inc.Description: PSMN1R9-80SSJ/SOT1235/LFPAK88
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSJJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSJJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R9-80SSJJNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 286A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1RS-40ES127NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN20-150W
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-100SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 267A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.07mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16140 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+177.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-100SSFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R0-100SSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 0.00163 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00163ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-100SSFJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 267A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-100SSFJNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 189A; Idm: 1070A; 341W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 189A
Pulsed drain current: 1070A
Power dissipation: 341W
Case: LFPAK88; SOT1235
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 242nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-100SSFJNexperiaMOSFETs PSMN2R0-100SSF/SOT1235/LFPAK88
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-100SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 267A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.07mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16140 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.40 грн
10+294.52 грн
50+232.56 грн
100+199.57 грн
500+185.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-100SSFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R0-100SSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 267 A, 0.00163 ohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 267A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00163ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25MLDNXPN-MOSFET 25V 70A 4.5V,10V 74W AUTOMOTIVE PSMN2R0-25MLDX TPSMN2r0-25ml
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+62.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25MLD,115Nexperia USA Inc.Description: PSMN2R0-25MLD - N-CHANNEL 25V, L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.27mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 12 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.59 грн
4500+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
383+92.49 грн
500+83.24 грн
1000+76.76 грн
Мінімальне замовлення: 383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25MLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 70A; Idm: 555A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 555A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25MLDXNexperiaMOSFETs PSMN2R0-25MLD/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
383+92.49 грн
500+83.24 грн
1000+76.76 грн
Мінімальне замовлення: 383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.27mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 12 V
на замовлення 9518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.46 грн
10+80.91 грн
50+60.71 грн
100+50.86 грн
500+37.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25MLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
383+92.49 грн
500+83.24 грн
1000+76.76 грн
Мінімальне замовлення: 383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.09mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2485 pF @ 12 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.80 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 9375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 127A; Idm: 722A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 127A
Pulsed drain current: 722A
Power dissipation: 115W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.09mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2485 pF @ 12 V
на замовлення 4299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.06 грн
10+75.18 грн
50+56.38 грн
100+47.22 грн
500+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-25YLDXNexperiaMOSFETs PSMN2R0-25YLD/SOT669/LFPAK
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6810 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30BL,118NexperiaMOSFET Std N-chanMOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30BL,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+188.58 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30PLNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30PL,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6810 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30PL,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+148.44 грн
10+132.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30PL,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+264.01 грн
500+249.87 грн
1000+236.90 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30PL,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R0-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30PL,127NexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YL
Код товару: 42090
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YL,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 667A; 97W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 667A
Power dissipation: 97W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.85 грн
16+50.04 грн
25+49.23 грн
50+46.69 грн
100+42.51 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 12 V
на замовлення 5858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.79 грн
10+108.01 грн
100+73.42 грн
500+55.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 12 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+55.30 грн
3000+50.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YL,115NexperiaMOSFETs PSMN2R0-30YL/SOT669/LFPAK
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLD/2XNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN2R0-30YLD/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2969 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLDXNexperiaMOSFETs PSMN2R0-30YLD/SOT669/LFPAK
на замовлення 3851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2969 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.81 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
380+93.26 грн
500+83.95 грн
1000+77.41 грн
10000+66.56 грн
Мінімальне замовлення: 380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+53.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 100A; Idm: 793A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 793A
Power dissipation: 142W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
380+93.26 грн
500+83.95 грн
1000+77.41 грн
Мінімальне замовлення: 380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2969 pF @ 15 V
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.90 грн
10+61.97 грн
50+46.19 грн
100+38.55 грн
500+30.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
380+93.26 грн
500+83.95 грн
1000+77.41 грн
Мінімальне замовлення: 380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLENexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+81.94 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R0-30YLE,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 272W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5217 pF @ 15 V
на замовлення 8830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.57 грн
10+108.84 грн
50+82.75 грн
100+69.76 грн
500+55.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1015A
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+104.77 грн
10+88.06 грн
25+81.35 грн
100+77.16 грн
250+70.45 грн
500+68.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115NexperiaMOSFETs PSMN2R0-30YLE/SOT669/LFPAK
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+81.78 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5217 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+54.43 грн
4500+46.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.29 грн
500+152.04 грн
1000+143.79 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.70 грн
10+107.07 грн
25+71.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE/S50XNexperiaPSMN2R0-30YLE/S50X
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+160.29 грн
500+152.04 грн
1000+143.79 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE/S50XNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R0-30YLE/S50X - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-40YLBXNexperia USA Inc.Description: PSMN2R0-40YLB/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6416 pF @ 20 V
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.90 грн
10+80.08 грн
50+60.17 грн
100+50.45 грн
500+39.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-40YLBXNexperia USA Inc.Description: PSMN2R0-40YLB/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6416 pF @ 20 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-40YLBXNexperiaMOSFETs PSMN2R0-40YLB/SOT669/LFPAK
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-40YLBXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 180A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-40YLDXNexperiaMOSFETs PSMN2R0-40YLD/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-40YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 180A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6581 pF @ 20 V
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.09 грн
10+123.56 грн
50+94.09 грн
100+79.38 грн
500+60.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-40YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 143A; Idm: 807A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 143A
Pulsed drain current: 807A
Power dissipation: 166W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-40YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 180A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6581 pF @ 20 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+62.15 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-55YLHXNexperiaMOSFETs PSMN2R0-55YLH/SOT1023/4 LEADS
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-55YLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 5675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+233.37 грн
500+220.40 грн
1000+208.62 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-55YLHXNexperia USA Inc.Description: PSMN2R0-55YLH/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 184 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11353 pF @ 27 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+136.87 грн
4500+128.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-55YLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+116.90 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-55YLHXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R0-55YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 200 A, 1630 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower-S3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-55YLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-55YLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+116.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-55YLHXNexperia USA Inc.Description: PSMN2R0-55YLH/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 184 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11353 pF @ 27 V
на замовлення 18730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+388.77 грн
10+248.40 грн
50+194.42 грн
100+166.13 грн
500+138.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-55YLHXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R0-55YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 200 A, 1630 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower-S3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-60ESNexperia USA Inc.Description: ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-60ES,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+327.66 грн
500+311.16 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-60ES,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+327.66 грн
500+311.16 грн
1000+293.48 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-60ES,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R0-60ES,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-60ES,127NexperiaMOSFETs N-Ch 60V 2.2 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-60ES,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+327.66 грн
500+311.16 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-60ES,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 40 45 50  [ Наступна Сторінка >> ]