Продукція > FDM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+97.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+279.80 грн
10+198.58 грн
100+115.34 грн
500+100.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86200 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 49 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 6765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+149.69 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 36A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
963+112.10 грн
Мінімальне замовлення: 963 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.04 грн
10+157.22 грн
50+121.10 грн
100+102.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+109.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+92.17 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+278.24 грн
72+197.48 грн
124+114.70 грн
500+100.32 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+169.72 грн
250+117.59 грн
500+115.36 грн
1000+109.11 грн
3000+100.03 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+99.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin Power 56 T/R FDMS86200 TFDMS86200
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+91.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+149.69 грн
1000+137.90 грн
10000+118.20 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2999+168.87 грн
Мінімальне замовлення: 2999 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200
Код товару: 185473
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+100.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+99.69 грн
6000+96.43 грн
9000+94.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.3A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+224.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DConsemiMOSFETs 150V/20V N Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86200DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.014 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.3A 8-Pin Power 56 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+225.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2955 pF @ 75 V
на замовлення 1232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+405.23 грн
10+260.70 грн
50+205.07 грн
100+175.64 грн
500+159.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86200DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.014 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DConsemi / FairchildMOSFETs 150V/20V N Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.3A 8-Pin Power 56 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2955 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200EonsemiDescription: FET 150V 18.0 MOHM PQFN56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 35 A, 9600 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
на замовлення 6605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201onsemi / FairchildMOSFETs 120V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 29122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+103.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+189.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.61 грн
10+137.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+107.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201onsemiDescription: MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2735 pF @ 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.96 грн
10+160.09 грн
100+111.66 грн
500+85.39 грн
1000+85.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201onsemiMOSFETs 120V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 22835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+101.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+107.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+105.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201onsemiDescription: MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2735 pF @ 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+77.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+101.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+103.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+184.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 64 A, 6000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 3394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+184.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 64A; Idm: 240A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 156W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202onsemiDescription: MOSFET N-CH 120V 13.5A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 60 V
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.37 грн
10+224.55 грн
100+160.35 грн
500+143.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 64 A, 6000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 3394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+183.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202onsemiMOSFETs CCI MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202onsemiDescription: MOSFET N-CH 120V 13.5A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ET120ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 72A; Idm: 538A; 187W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 72A
Pulsed drain current: 538A
Power dissipation: 187W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ET120onsemiDescription: MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4585 pF @ 60 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+191.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ET120ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ET120onsemiMOSFETs 120V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 2104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ET120onsemiDescription: MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4585 pF @ 60 V
на замовлення 8545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+469.50 грн
10+304.93 грн
100+226.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86202ET120ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86202ET120 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86204ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86204 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 382 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86204ON SemiconductorFDMS86204
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+130.83 грн
500+117.75 грн
1000+108.58 грн
10000+93.36 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86204onsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 4.8A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.89 грн
6000+34.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.94 грн
6000+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 4.8A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+86.75 грн
199+71.09 грн
214+66.38 грн
500+52.01 грн
1000+43.69 грн
2000+37.99 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 4.8A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 13244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 4.8A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.5 A, 0.056 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 31W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16.5A; 31W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16.5A
Power dissipation: 31W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 4.8A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+136.72 грн
149+95.23 грн
200+86.75 грн
500+68.56 грн
1000+59.27 грн
2000+46.23 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 50 V
на замовлення 9793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.74 грн
10+84.69 грн
100+57.02 грн
500+42.40 грн
1000+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 4.8A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.69 грн
6000+34.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.5 A, 0.056 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 31W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 4.8A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8622-NConsemiMOSFETs FET 100V 56.0 MOHM PQFN56
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 6.7A/20A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 75 V
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.31 грн
10+161.15 грн
100+112.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 33647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.55 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 96W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 30A; Idm: 100A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 6.7A/20A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250onsemiMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 96W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+238.20 грн
82+173.14 грн
112+126.72 грн
500+105.12 грн
1000+94.27 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252onsemiMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+113.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 6348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.98 грн
10+152.09 грн
50+117.01 грн
100+99.19 грн
500+80.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.11 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+161.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.