Продукція > Si7

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI7884BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.37 грн
25+79.07 грн
100+76.20 грн
250+70.49 грн
500+67.62 грн
1000+67.57 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+78.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.67 грн
10+107.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+82.36 грн
178+79.37 грн
179+76.20 грн
250+70.49 грн
500+67.62 грн
1000+67.57 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884BDP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 58A 46W 7.5mohm @ 10V
на замовлення 5483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884DPVishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884DP
Код товару: 60457
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884DP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884DP-T1VISHAY2005+ QFN
на замовлення 8380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884DP-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7884DP-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7886ADPVISHAY09+
на замовлення 428 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7886ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7886ADP-T1-E3VISHAY
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7886ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7886DPSILICONIX
на замовлення 512 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7886DP-T1SIRLCONIX2002 BGA
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7886DP-T1VishayVishay DISCONTINUED - USE Si7886ADP-T1-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7886DP-T1(VISHAY)
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7886DP-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7886DP-T1-E3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7886DP-T1_
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7888DP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7888DP-T1
на замовлення 23114 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7888DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7888DP-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7888DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7888DP-T1E3
на замовлення 5286 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7888DY-T1
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892A
на замовлення 174 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892ADP-T1
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892ADP-T1-E3VISHAY0710+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892B
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892BDP-T
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892BDP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+156.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892BDP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
на замовлення 5556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.86 грн
10+102.09 грн
100+72.83 грн
500+56.17 грн
1000+52.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892BDP-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 8043 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892BDP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 25A 0.0042Ohm
на замовлення 11604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892BDP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892BDP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892BDP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.86 грн
10+102.09 грн
100+72.83 грн
500+56.17 грн
1000+52.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892BDP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 25A; Idm: 60A; 5W
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 5.7mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892BDP-T1-GE3
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892BDP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 25A 5.4W 4.2mohm @ 10V
на замовлення 2691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892DP
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892DP-T1VISHAY
на замовлення 457 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7892DP-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7894ADP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 25A 1.9W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7894ADP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 25A 5.4W 3.6mohm @ 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7894DP-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+156.76 грн
100+142.18 грн
101+140.76 грн
125+109.44 грн
250+94.12 грн
500+79.43 грн
1000+70.75 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+156.76 грн
10+142.18 грн
25+140.76 грн
100+109.44 грн
250+94.12 грн
500+79.43 грн
1000+70.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+68.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3A; Idm: 25A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+74.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.92 грн
10+115.12 грн
50+87.69 грн
100+73.99 грн
500+59.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 8978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7898DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 12175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 150V 3A SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3A; Idm: 25A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7898DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 12175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.41 грн
10+133.94 грн
50+102.61 грн
100+86.81 грн
500+70.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DY-T1
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7900
на замовлення 460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7900ADNVISHAY05+
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7900AEDNVISHAYQFN 0611+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7900AEDN-T1VISHAYQFN 06+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7900AEDN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7900AEDN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.19 грн
10+100.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7900AEDN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.10 грн
13+61.68 грн
25+61.58 грн
100+58.86 грн
250+54.00 грн
500+51.35 грн
1000+50.87 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7900AEDN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7900AEDN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7900AEDN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 8845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7900AEDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7900AEDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7900AEDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7900EDH-T1SI
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7900EDNSI
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7900EDN-T1
на замовлення 19902 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7900EDN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 19636 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7901DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7901EDN
на замовлення 763 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7901EDN-T1VISHAY/SIL0251+
на замовлення 76379 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7901EDN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 800µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 6.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7901EDN-T1-E3
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7901EDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7902EDN-T1-E3
на замовлення 314 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904
на замовлення 3252 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904ADN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904BDN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904BDN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 3446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904BDN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.21 грн
17+46.81 грн
25+46.75 грн
100+44.63 грн
250+40.92 грн
500+38.88 грн
1000+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36  [ Наступна Сторінка >> ]