Продукція > IPB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB80N06S2L07ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S2L07ATMA3 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB80N06S2L07ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 6700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 210W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm | на замовлення 484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S2L07ATMA3 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S2L07ATMA3 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_)40V 60V) | на замовлення 631 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S2L07ATMA3 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S2L07ATMA3 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S2L07ATMA3 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB80N06S2L07ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 6700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S2L07ATMA3 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S2L07ATMA3 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S2L07ATMA3 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S2L07ATMA3 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Power dissipation: 210W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ | на замовлення 647 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S2L09ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 125µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S2L09ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 102594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S2L09ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S2L09ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 125µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S2L09ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_)40V 60V) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S2L11ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S2L11ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S2L11ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S2L11ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB80N06S2L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S2L11ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S2L11ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S2L11ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S2L11ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_)40V 60V) | на замовлення 673 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S2L11ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S2L11ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S2L11ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB80N06S2L11ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S2L11ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 93µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S2LH5 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S2LH5ATMA3 | Infineon Technologies | IPB80N06S2LH5ATMA3 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S2LH5ATMA3 | Infineon Technologies | Description: MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S2LH5ATMA4 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S2LH5ATMA4 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_)40V 60V) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S2LH5ATMA4 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S2LH5ATMA4 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S2LH5ATMA4 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S2LH5ATMA4 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S3-05 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S3-07 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 51A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7768 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S3L-05 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 69A, 10V Power Dissipation (Max): 165W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 115µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13060 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S3L-05 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 69A, 10V Power Dissipation (Max): 165W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 115µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13060 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S3L-06 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9417 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S3L-06 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9417 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S3L-06 | infineon | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S3L-08 | infineon | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S4-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | на замовлення 714 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S4-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S405ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S405ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S405ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; Idm: 320A; 107W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 75A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 107W Case: PG-TO263-3-2 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 81nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S405ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S405ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S405ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S405ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S405ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S405ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S405ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S405ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S405ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S405ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2 | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S407ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S407ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S407ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S407ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S407ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S407ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB80N06S407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7100 µohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm | на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S407ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2 | на замовлення 216 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S407ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 28103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S407ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S407ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S407ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S4L-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | на замовлення 211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S4L-07 | Infineon | на замовлення 37000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPB80N06S4L05ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S4L05ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S4L05ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_)40V,60V) Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S4L05ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2 | на замовлення 3011 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S4L05ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S4L07ATMA1 | Rochester Electronics, LLC | Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S4L07ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S4L07ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB80N06S4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm | на замовлення 338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S4L07ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S4L07ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S4L07ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S4L07ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S4L07ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S4L07ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S4L07ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S4L07ATMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB80N06S4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm | на замовлення 338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S4L07ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S4L07ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2 | на замовлення 4071 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S4L07ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N06S4L07ATMA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N06S4L07ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N07S405ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N07S405ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH TO263-3 Packaging: Bulk Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 24755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPB80N08S2-07 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS | на замовлення 565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N08S2-07 | Infineon | MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPB80N08S2-07 Код товару: 105233
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні УКТЗЕД: 8541290010 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPB80N08S207ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB80N08S207ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 7100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |