Продукція > IPD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD80R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R280P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+110.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R280P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+124.84 грн
500+100.96 грн
1000+91.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R280P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 500 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+100.02 грн
5000+90.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.36 грн
500+30.66 грн
1000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.45 грн
10+60.49 грн
100+34.79 грн
500+27.13 грн
1000+25.20 грн
2500+21.95 грн
5000+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.29 грн
13+64.19 грн
100+42.36 грн
500+30.66 грн
1000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V
на замовлення 2567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.52 грн
10+62.67 грн
100+41.57 грн
500+30.53 грн
1000+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K0P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 24W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 24W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 9nC
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+80.54 грн
10+44.21 грн
50+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
234+60.72 грн
254+55.87 грн
323+43.94 грн
334+41.01 грн
500+35.44 грн
2500+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 234 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.30 грн
11+70.46 грн
100+49.25 грн
500+37.65 грн
1000+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.21 грн
500+28.79 грн
1000+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
929+38.16 грн
1008+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 929 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+76.54 грн
218+65.09 грн
265+53.63 грн
280+48.98 грн
500+39.34 грн
1000+37.06 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.59 грн
50+56.86 грн
100+38.10 грн
500+28.19 грн
1000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+102.00 грн
200+70.95 грн
286+49.59 грн
500+37.92 грн
1000+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 9180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.20 грн
10+55.81 грн
100+32.03 грн
500+24.78 грн
1000+22.37 грн
2500+20.09 грн
5000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1InfineonMOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
929+38.16 грн
1008+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 929 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
на замовлення 2583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.11 грн
10+50.48 грн
100+33.77 грн
500+24.63 грн
1000+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K7C3AInfineon TechnologiesIPD80R2K7C3A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+141.66 грн
105+135.33 грн
250+129.91 грн
500+120.74 грн
1000+108.15 грн
2500+100.76 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K7C3AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K7C3AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K7C3AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K7C3AATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE
на замовлення 4916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.78 грн
10+88.92 грн
100+53.23 грн
500+43.15 грн
1000+38.73 грн
2500+36.10 грн
5000+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K7C3AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+168.99 грн
131+108.83 грн
173+81.96 грн
500+64.49 грн
1000+54.56 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K7C3AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R2K7C3AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.45 грн
500+45.62 грн
1000+38.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K7C3AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH TO252-3
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K7C3AATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K7C3AATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R2K7C3AATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.86 грн
50+81.35 грн
100+61.45 грн
500+45.62 грн
1000+38.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K8CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 800V 1.9A DPAK-2
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.15 грн
10+55.02 грн
100+35.62 грн
500+29.27 грн
1000+26.65 грн
2500+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K8CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K8CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K8CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.22 грн
10+52.05 грн
100+38.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K8CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
809+43.85 грн
1000+41.42 грн
Мінімальне замовлення: 809 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K8CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K8CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K8CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K8CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
809+43.85 грн
1000+41.42 грн
Мінімальне замовлення: 809 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K8CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R360P7Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+122.32 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R360P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 84W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.11 грн
10+140.94 грн
100+107.12 грн
500+85.26 грн
1000+67.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R360P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.14 грн
10+129.61 грн
100+89.44 грн
500+67.83 грн
1000+65.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R360P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 4948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.65 грн
10+138.93 грн
100+84.91 грн
500+69.72 грн
1000+65.31 грн
2500+60.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+156.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R360P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+217.35 грн
93+154.04 грн
110+129.46 грн
500+117.55 грн
1000+98.72 грн
2000+89.10 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R360P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 84W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.12 грн
500+85.26 грн
1000+67.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R3K3P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R3K3P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R3K3P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.71 грн
19+43.89 грн
100+36.24 грн
500+28.34 грн
1000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R3K3P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V
на замовлення 4993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.87 грн
10+55.12 грн
100+36.32 грн
500+26.50 грн
1000+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R3K3P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
506+28.05 грн
507+27.99 грн
543+26.14 грн
544+23.28 грн
1000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 506 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R3K3P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
448+31.66 грн
500+31.42 грн
Мінімальне замовлення: 448 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R3K3P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R3K3P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.05 грн
28+27.99 грн
100+25.21 грн
250+23.29 грн
500+22.35 грн
1000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R3K3P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 800V CoolMOS P7PowerDevice
на замовлення 6408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.18 грн
10+43.82 грн
100+28.79 грн
500+23.75 грн
1000+21.88 грн
2500+19.81 грн
5000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R3K3P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R3K3P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.24 грн
500+28.34 грн
1000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R3K3P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R450P7Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 11A T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+167.78 грн
88+161.39 грн
100+155.91 грн
250+145.78 грн
500+131.31 грн
1000+122.97 грн
2500+120.26 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R450P7Infineon / IRInfineon LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R450P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.54 грн
500+61.18 грн
1000+52.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R450P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R450P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.78 грн
10+111.95 грн
100+80.54 грн
500+61.18 грн
1000+52.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R450P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 500 V
на замовлення 8757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.75 грн
10+104.03 грн
100+71.16 грн
500+53.58 грн
1000+53.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R450P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R450P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 500 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.52 грн
5000+46.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R450P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R450P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.88 грн
10+119.88 грн
100+72.49 грн
500+61.72 грн
1000+55.92 грн
2500+48.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R4K5P7Rochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 662 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R4K5P7Infineon
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R4K5P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.30 грн
500+23.71 грн
1000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
473+30.00 грн
500+29.30 грн
Мінімальне замовлення: 473 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.80 грн
29+26.41 грн
100+24.31 грн
250+22.45 грн
500+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 4054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.61 грн
10+46.44 грн
100+31.27 грн
500+24.30 грн
1000+21.95 грн
2500+19.54 грн
5000+16.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R4K5P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.36 грн
18+47.20 грн
100+32.30 грн
500+23.71 грн
1000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 13W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
588+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 588 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R600P7Infineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R600P7Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+117.18 грн
129+110.45 грн
171+82.92 грн
200+76.21 грн
500+67.50 грн
2000+64.60 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]