Продукція > IPD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD70R1K4CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.54 грн
5000+20.04 грн
7500+19.19 грн
12500+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.01 грн
5000+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD70R1K4CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.47 грн
10000+24.58 грн
15000+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SInfineon / IRMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.95 грн
5000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.54 грн
10+42.12 грн
100+27.44 грн
500+19.82 грн
1000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+16.31 грн
50+15.20 грн
100+13.77 грн
250+12.62 грн
500+11.81 грн
1000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.5A; 22.7W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 22.7W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.74 грн
15+28.93 грн
50+23.06 грн
100+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1565+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 1565 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.53 грн
5000+15.51 грн
7500+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 18283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
931+15.20 грн
991+14.28 грн
1001+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 931 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R2K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1126+31.41 грн
Мінімальне замовлення: 1126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R2K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1126+31.41 грн
10000+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 1126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R2K0CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R2K0CEAUMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD70R2K0CEAUMA1 - IPD70R2K0 650V AND 700V COOLMOS N-CHANN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1056 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R2K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1126+31.41 грн
Мінімальне замовлення: 1126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R2K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1126+31.41 грн
Мінімальне замовлення: 1126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R2K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1126+31.41 грн
Мінімальне замовлення: 1126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R2K0CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SInfineon
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7S
Код товару: 184520
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SInfineon / IRMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.90 грн
7+61.39 грн
10+50.91 грн
20+41.26 грн
50+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.25 грн
10+63.33 грн
50+47.28 грн
100+39.49 грн
500+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1InfineonMOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.86 грн
7500+23.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+104.94 грн
211+67.28 грн
290+48.82 грн
500+38.46 грн
1000+32.33 грн
2500+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.27 грн
18+42.26 грн
25+40.89 грн
100+34.06 грн
250+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 700V; 10V; 360mOhm; 12,5A; 59,5W; -40°C ~ 150°C; IPD70R360P7S TIPD70r360p7s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600CEInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600CEAUMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD70R600CEAUMA1 - IPD70R600 - 700V, 0.6OHM, N-CHANEL POWER
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 632 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 10.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
622+56.86 грн
1000+52.43 грн
Мінімальне замовлення: 622 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 10.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 10.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
622+56.86 грн
1000+52.43 грн
10000+46.75 грн
Мінімальне замовлення: 622 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SInfineon
на замовлення 255000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SInfineon / IRMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.31 грн
5000+22.08 грн
7500+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1
Код товару: 143681
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
775+18.26 грн
787+17.98 грн
800+17.69 грн
814+16.78 грн
1000+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 775 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.37 грн
5000+22.13 грн
7500+21.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
454+31.17 грн
Мінімальне замовлення: 454 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+18.56 грн
42+18.26 грн
100+17.34 грн
250+15.79 грн
500+14.91 грн
1000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1InfineonMOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; 43.1W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43.1W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1156+30.61 грн
10000+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 1156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SInfineon
на замовлення 147500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SInfineon / IRMOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.30 грн
10+49.51 грн
100+32.29 грн
500+23.34 грн
1000+21.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
на замовлення 19321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 30.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 30.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.03 грн
12+36.15 грн
100+25.66 грн
500+19.46 грн
1000+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD70R900P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD70R900P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R900P7SAUMA1 (70S900P7)
Код товару: 201266
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R950CEInfineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R950CEAUMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD70R950CEAUMA1 - IPD70R950 - POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R950CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.83 грн
5000+48.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R950CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R950CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R950CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R950CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.83 грн
5000+48.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD75N04S4-06Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD75N04S4-06Infineon TechnologiesDescription: IPD75N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD75N04S406Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD75N04S406ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD75N04S406ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD75N04S406ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD75N04S406ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.84 грн
10+57.67 грн
100+38.24 грн
500+28.06 грн
1000+25.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD75N04S406ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD75N04S406ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10N GInfineon
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1InfineonN-MOSFET 100V 13A 31W 78mΩ IDP78CN10NG TO252-3 TIPD78cn10n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+96.52 грн
13+58.54 грн
100+41.21 грн
500+34.91 грн
1000+29.40 грн
2500+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2585000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.24 грн
1295000+29.46 грн
1942500+27.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 716 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.07 грн
5000+28.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.27 грн
5000+24.87 грн
7500+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD78CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.078 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
на замовлення 2847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.70 грн
5000+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.