Продукція > FDM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMS86250onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 8098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.01 грн
10+158.78 грн
100+98.72 грн
250+95.27 грн
500+85.60 грн
1000+78.70 грн
3000+73.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+105.95 грн
6000+101.87 грн
9000+99.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+101.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+103.23 грн
6000+99.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+103.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 96W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+262.56 грн
10+169.94 грн
100+124.84 грн
500+97.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 6.7A/20A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 75 V
на замовлення 6444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.30 грн
10+156.75 грн
100+109.32 грн
500+83.56 грн
1000+83.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 30A; Idm: 100A; 96W; Power56
Case: Power56
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Pulsed drain current: 100A
Drain current: 30A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 96W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+166.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86250ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 35447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.12 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.55 грн
10+142.92 грн
100+99.08 грн
500+75.42 грн
1000+73.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.37 грн
10+142.40 грн
25+140.98 грн
100+99.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+172.37 грн
100+142.40 грн
101+140.98 грн
138+99.08 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 16A; 69W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 16A
Power dissipation: 69W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+215.65 грн
100+149.54 грн
500+121.30 грн
1000+114.23 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252ONN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252onsemiMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.98 грн
10+151.63 грн
3000+131.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+159.47 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86252L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 12 A, 0.056 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
на замовлення 8114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+98.26 грн
500+77.03 грн
1500+66.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 12A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2418 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+201.35 грн
5+149.57 грн
10+131.29 грн
50+98.05 грн
100+87.25 грн
250+81.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252LonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.4A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 75 V
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.47 грн
10+131.55 грн
100+90.83 грн
500+68.89 грн
1000+66.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86252L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 12 A, 0.056 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
на замовлення 8114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+215.04 грн
50+138.53 грн
100+98.26 грн
500+77.03 грн
1500+66.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252LonsemiMOSFETs 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 3252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.26 грн
10+139.72 грн
100+84.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252LonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.4A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+178.83 грн
116+123.18 грн
500+101.29 грн
3000+79.80 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+230.34 грн
500+218.53 грн
1000+205.54 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+342.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 510000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+174.12 грн
126000+159.88 грн
252000+149.54 грн
378000+136.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255onsemiMOSFETs 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 9076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+393.03 грн
10+246.11 грн
100+164.99 грн
500+149.11 грн
1000+140.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+230.34 грн
500+218.53 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
на замовлення 13989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+202.15 грн
500+163.78 грн
1500+147.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+261.26 грн
300+255.71 грн
500+216.79 грн
1000+203.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+113.40 грн
75000+103.62 грн
150000+96.42 грн
225000+87.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+340.46 грн
10+274.16 грн
100+241.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ONN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V
на замовлення 70685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+383.66 грн
10+246.20 грн
100+176.31 грн
500+149.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 153356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+230.34 грн
500+218.53 грн
1000+205.54 грн
10000+186.81 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+178.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+248.79 грн
6000+228.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 20737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+230.34 грн
500+218.53 грн
1000+205.54 грн
10000+186.81 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
на замовлення 13989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+420.42 грн
50+278.67 грн
100+202.15 грн
500+163.78 грн
1500+147.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+191.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+215.46 грн
71+200.15 грн
100+190.63 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 6334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.67 грн
10+198.47 грн
100+143.59 грн
500+140.83 грн
1000+131.16 грн
3000+120.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 62A; Idm: 271A; 113W; PQFN8
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Pulsed drain current: 271A
Drain current: 62A
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 12.4mΩ
Power dissipation: 113W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+185.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+135.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+396.90 грн
100+274.61 грн
250+269.05 грн
500+247.64 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+204.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 10A/63A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+362.64 грн
103+347.29 грн
500+333.11 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150onsemiMOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+554.11 грн
10+365.19 грн
100+255.43 грн
500+227.12 грн
1000+202.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 44A; Idm: 276A; 136W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 44A
Pulsed drain current: 276A
Power dissipation: 136W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+362.64 грн
103+347.29 грн
500+333.11 грн
1000+302.99 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+264.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+625.79 грн
10+418.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+191.46 грн
78+181.91 грн
79+180.12 грн
100+166.12 грн
250+152.30 грн
500+142.56 грн
1000+141.10 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 10A/63A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+493.94 грн
10+315.75 грн
100+232.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+362.64 грн
103+347.29 грн
500+333.11 грн
1000+302.99 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+418.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
на замовлення 4739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+477.60 грн
10+318.35 грн
100+205.03 грн
1000+195.37 грн
3000+173.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+264.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86263P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.053 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
на замовлення 5864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.84 грн
10+173.16 грн
100+132.09 грн
500+120.41 грн
1000+108.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+140.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+214.80 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263Ponsemi / FairchildMOSFETs PT5 150/25V Pch Pwr Trench MOSFET
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.51 грн
10+181.80 грн
100+115.98 грн
500+104.93 грн
1000+97.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+231.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+131.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 75 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+136.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+172.94 грн
83+171.99 грн
100+144.58 грн
500+130.31 грн
1000+113.06 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+129.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+143.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+132.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PonsemiMOSFETs PT5 150/25V Pch Pwr Trench MOSFET
на замовлення 3765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.20 грн
10+167.51 грн
100+111.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+143.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.55 грн
10+161.60 грн
25+157.63 грн
100+148.08 грн
250+133.57 грн
500+124.82 грн
1000+121.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86263P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 22 A, 0.053 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
на замовлення 5864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+132.09 грн
500+120.41 грн
1000+108.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+143.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+129.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+131.33 грн
6000+127.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+179.55 грн
88+161.60 грн
90+157.63 грн
100+148.08 грн
250+133.57 грн
500+124.82 грн
1000+121.34 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PonsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 75 V
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.91 грн
10+182.78 грн
100+128.57 грн
500+101.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+152.14 грн
99+143.64 грн
102+139.86 грн
500+133.95 грн
1000+122.90 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+227.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -4.4A; Idm: -70A; 2.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+132.18 грн
6000+128.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263PONS/FAIMOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86263P-23507XonsemiDescription: FET -150V 53.0 MOHM PQFN56
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: P-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 261000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300onsemi / FairchildMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.53 грн
10+104.79 грн
100+67.65 грн
500+66.48 грн
3000+61.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+93.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40  [ Наступна Сторінка >> ]