Продукція > FDM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMS86300DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 24A/76A DLCOOL56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7005 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+83.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+114.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+114.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DConsemi / FairchildMOSFETs 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
на замовлення 43377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86300DConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 24A/76A DLCOOL56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7005 pF @ 40 V
на замовлення 4941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.60 грн
10+158.66 грн
100+111.12 грн
500+92.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+106.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 40 V
на замовлення 8175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.50 грн
10+148.92 грн
100+103.53 грн
500+78.97 грн
1000+77.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+101.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310onsemiMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 6604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+100.79 грн
6000+97.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+102.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+104.45 грн
6000+100.95 грн
9000+96.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310onsemi / FairchildMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+100.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86310-01ON SemiconductorFDMS86310-01
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+168.54 грн
500+152.04 грн
1000+140.26 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320onsemi / FairchildMOSFETs N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A
на замовлення 7912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+66.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
на замовлення 30731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.79 грн
10+107.86 грн
100+73.53 грн
500+55.24 грн
1000+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320onsemiMOSFETs N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A
на замовлення 6608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+112.69 грн
500+101.42 грн
1000+93.54 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+65.05 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
469+30.21 грн
476+29.74 грн
484+29.27 грн
492+27.77 грн
500+25.28 грн
1000+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 469 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86320ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 10.5A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.21 грн
26+29.74 грн
100+28.22 грн
250+25.71 грн
500+24.27 грн
1000+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+149.69 грн
1000+137.90 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+99.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+149.69 грн
1000+137.90 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+157.20 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.59 грн
10+108.89 грн
25+107.18 грн
100+101.71 грн
250+92.65 грн
500+87.48 грн
1000+86.02 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
601+111.80 грн
Мінімальне замовлення: 601 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 13A/60A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.65mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 7184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.04 грн
10+138.28 грн
100+96.09 грн
500+77.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+110.59 грн
130+108.89 грн
132+107.18 грн
135+101.71 грн
250+92.65 грн
500+87.48 грн
1000+86.02 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322onsemi / FairchildMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.19 грн
500+149.69 грн
1000+137.90 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+95.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+95.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 13A/60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.65mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86322ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+270.42 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+408.38 грн
50+285.21 грн
100+211.13 грн
500+188.81 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350onsemi / FairchildMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 5216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+172.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+408.38 грн
10+285.21 грн
100+211.13 грн
500+188.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; 156W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+217.81 грн
68+208.38 грн
100+175.38 грн
200+158.21 грн
500+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+285.23 грн
10+232.05 грн
25+180.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+281.93 грн
62+229.12 грн
200+173.49 грн
500+165.42 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+293.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.80 грн
10+222.66 грн
100+158.32 грн
500+130.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+486.51 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+172.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+486.51 грн
10+322.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 140A; 187W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 140A
Power dissipation: 187W
Case: PQFN8
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+215.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+297.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80onsemi / FairchildMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86350ET80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 187W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin Power QFN EP T/R
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+453.35 грн
38+372.35 грн
100+306.41 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80onsemiMOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86350ET80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 187W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86350ET80onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 40 V
на замовлення 4555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+550.24 грн
10+358.98 грн
100+262.24 грн
500+238.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86368-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 80A, 4.5 mO
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86368-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86368-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86368-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
371+95.38 грн
500+91.33 грн
1000+86.27 грн
Мінімальне замовлення: 371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86368-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive AEC-Q101 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
371+95.38 грн
500+91.33 грн
1000+86.27 грн
Мінімальне замовлення: 371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86369onsemiMOSFET FET 80V 7.5MOHM PQFN8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86369onsemiDescription: FET 80V 7.5MOHM PQFN8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (5.2x6.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86369-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 65A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
570+62.09 грн
1000+58.64 грн
Мінімальне замовлення: 570 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86369-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET NMOS PWR56 80V 7.5 MOHM
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86369-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86369-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 65A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 18901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
570+62.09 грн
1000+58.64 грн
Мінімальне замовлення: 570 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86369-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 65A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power 56 EP T/R
на замовлення 2547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
570+62.09 грн
1000+58.64 грн
Мінімальне замовлення: 570 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86369-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86369_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
на замовлення 16619000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86369_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86369_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86380-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 50A POWER56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86380-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 50A POWER56
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 569 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86380-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 80V N Channel Power Trench MosFET
на замовлення 8933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86380-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 50A POWER56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86381-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86381-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0172 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0172ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86381-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 80V N-Chnl Power Trench MOSFET
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86381-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86381-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0172 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0172ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 29A DLCOOL56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7680 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+117.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+190.94 грн
500+181.51 грн
1000+170.90 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.