Продукція > IXF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFT36N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT36N60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 36A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 650W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT36N60PIXYSMOSFETs 600V 36A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT400N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 400A 3-Pin(2+Tab) D3PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT400N075T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 400A TO268
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT400N075T2IXYSMOSFETs TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT40N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 40A TO268
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT40N30QIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 40A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT40N30Q TRIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 40A TO268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3560 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT40N50QIXYSMOSFETs 40 Amps 500V 0.14W Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT40N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 40A TO268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT40N85XHVIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 40A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 860W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT40N85XHVIXYSMOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT42N50P2IXYSMOSFET PolarP2 Power MOSFET
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT42N50P2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.11 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT42N50P2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT42N50P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 42A TO268
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+823.79 грн
10+716.67 грн
100+593.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT44N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 44A TO268
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 658W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT44N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 650W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 650W
Case: TO268
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT44N50PIXYSMOSFETs 500V 44A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT44N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(2+Tab) TO-268AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT44N50Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 44A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT44N50Q3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 830W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 830W
Case: TO268
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT44N50Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT4N100QIXYSMOSFETs 4 Amps 1000V 2.8 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT4N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N20LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 50A TO268
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N20LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N20IXYSMOSFET 50 Amps 200V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N20LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N30Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N30Q3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 690W; TO268
Power dissipation: 690W
Gate charge: 65nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO268
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N30Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 50A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 690W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-268AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N50P3
Код товару: 152492
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 50A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 0 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4335 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N50P3IXYSMOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3MOSFET N-CH 600V 50A TO268 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 50A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1056.58 грн
30+619.30 грн
60+571.90 грн
120+499.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3IXYSMOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+798.39 грн
10+620.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1361.82 грн
13+1123.51 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3
Код товару: 221363
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3
Код товару: 152198
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 50A TO268
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60P3-TRLIXYSMOSFETs IXFT50N60P3 TRL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60XIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 660W
Case: TO268
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 73mΩ
Reverse recovery time: 195ns
Gate charge: 116nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+961.87 грн
3+804.26 грн
10+708.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 50A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60XIXYSMOSFETs DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-268AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60XIxys CorporationIXFT50N60X
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1464.19 грн
12+1270.93 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N60XMOSFET N-CH 600V 50A TO268 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N85XHVIXYSMOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N85XHVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 50A 3-Pin(2+Tab) D3PAK
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1629.71 грн
10+1500.44 грн
25+1470.83 грн
50+1404.12 грн
100+1133.50 грн
500+971.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N85XHVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 50A; 890W; TO268HV; 218ns
Power dissipation: 890W
Gate charge: 152nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 850V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO268HV
On-state resistance: 0.105Ω
Reverse recovery time: 218ns
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT50N85XHVIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 50A TO268
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1329.35 грн
30+803.07 грн
120+719.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT52N30QIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 52A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT52N30Q TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 52A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-268 (IXFT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT52N50P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 52A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT52N50P2IXYSMOSFET PolarP2 Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT54N65X3HVIXYSDescription: DISCRETE MOSFET 54A 650V X3 TO26
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT54N65X3HVIXYSMOSFETs TO268 650V 54A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT58N20LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 58A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT58N20LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 58A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT58N20LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 58A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT58N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT58N20IXYSMOSFET 58 Amps 200V 0.08W Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT58N20QIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 60A TO268
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N20FIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 200V 60A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N20FIXYSDescription: MOSFET N-CH 60A TO268
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N25QIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 60A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N50P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO268
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N50P3IXYSMOSFETs 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 60A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N60X3HVIXYSMOSFETs TO268 600V 60A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N60X3HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFT60N60X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.051 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 625W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N60X3HVIXYSDescription: MOSFET ULTRA 600V 60A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+848.09 грн
30+497.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N60X3HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Power dissipation: 625W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Reverse recovery time: 175ns
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 51nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N65X2HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 60A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N65X2HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 780W
Case: TO268
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Reverse recovery time: 180ns
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain current: 60A
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+790.27 грн
5+691.89 грн
10+667.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N65X2HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N65X2HVIXYSMOSFETs 650V/60A TO-268HV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT60N65X2HVIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1172.52 грн
14+1036.08 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT66N20QIXYSMOSFETs 66 Amps 200V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT69N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 69A TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT69N30PIXYSMOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT6N100FIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 6A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT6N100FIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT6N100FIXYSMOSFET IXFT6N100F 1000V 6A HIPERFET F-Class HiPerRF Capable MOSFETs
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT6N100QIXYSMOSFET 6 Amps 1000V 2 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT6N100QIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 6A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT6N100QТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT6N100QIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 6A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT6N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT70N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 70A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT70N15IXYSMOSFETs 70 Amps 150V 0.028 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.