Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 45 50  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN2R8-40BS,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+183.87 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40BS,118NexperiaMOSFET Std N-chanMOSFET
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4491 pF @ 20 V
на замовлення 6867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+140.50 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40BS,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+183.87 грн
500+174.44 грн
1000+163.83 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40BS,118NXPDescription: NXP - PSMN2R8-40BS,118 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40PS,127NexperiaMOSFET PSMN2R8-40PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+261.65 грн
500+248.69 грн
1000+234.55 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40PS,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R8-40PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40PS,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 797A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 797A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4491 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.56 грн
10+142.22 грн
25+137.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSBXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R8-40YSBX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 2800 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSBXNexperia USA Inc.Description: PSMN2R8-40YSB/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4563 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSBXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSBXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R8-40YSBX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 2800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSBXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R8-40YSBX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 2800 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSBXNexperiaMOSFETs PSMN2R8-40YSB/SOT669/LFPAK
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSBXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R8-40YSBX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 2800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSBXNexperia USA Inc.Description: PSMN2R8-40YSB/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4563 pF @ 20 V
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.73 грн
10+66.95 грн
50+49.97 грн
100+41.76 грн
500+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSD/2XNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 160A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN2R8-40YSD/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 119A; Idm: 658A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 119A
Pulsed drain current: 658A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 160A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507 pF @ 20 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.60 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.84 грн
12+64.22 грн
100+55.55 грн
500+43.70 грн
1000+39.59 грн
1500+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
363+97.55 грн
500+87.79 грн
1000+80.98 грн
Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 160A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507 pF @ 20 V
на замовлення 4581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.68 грн
10+80.38 грн
50+60.44 грн
100+50.67 грн
500+40.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSDXNexperiaMOSFETs PSMN2R8-40YSD/SOT669/LFPAK
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R8-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2550 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
на замовлення 4317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9961 pF @ 40 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+124.77 грн
2400+108.92 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80BS,118NexperiaMOSFETs PSMN2R8-80BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80BS,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 139nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R8-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2550 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
на замовлення 4962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9961 pF @ 40 V
на замовлення 7029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.82 грн
10+215.19 грн
50+167.95 грн
100+143.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80SSFNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R8-80SSF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 205 A, 2800 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 341W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80SSFJNexperiaMOSFETs PSMN2R8-80SSF/SOT1235/LFPAK88
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10088 pF @ 40 V
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.61 грн
10+215.42 грн
100+152.72 грн
500+118.22 грн
1000+110.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80SSFJNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 205A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10088 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80SSFJNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 205A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-100SSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R9-100SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 2900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-100SSEJNexperia USA Inc.Description: POWERMOS ASFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13280 pF @ 50 V
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+442.07 грн
10+285.08 грн
100+205.48 грн
500+161.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-100SSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R9-100SSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 2900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-100SSEJNexperiaMOSFETs PSMN2R9-100SSE/SOT1235/LFPAK88
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-100SSEJNexperia USA Inc.Description: POWERMOS ASFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13280 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-25YLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 517A; 92W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 517A
Power dissipation: 92W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-25YLC,115NexperiaMOSFETs PSMN2R9-25YLC/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-25YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-25YLC,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-30MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2419 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-30MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-30MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2419 pF @ 15 V
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.25 грн
10+62.95 грн
50+46.89 грн
100+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-30MLC,115NexperiaMOSFETs PSMN2R9-30MLC/SOT1210/mLFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30MLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R0-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0027 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30MLC,115NexperiaMOSFETs PSMN3R0-30MLC/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30MLC,115NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+79.87 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30MLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R0-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0027 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.44 грн
10+51.63 грн
50+38.30 грн
100+31.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YL
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2822 pF @ 12 V
на замовлення 23897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.46 грн
10+81.06 грн
100+54.44 грн
500+40.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YL,115NexperiaMOSFETs PSMN3R0-30YL/SOT669/LFPAK
на замовлення 1442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.45 грн
250+49.17 грн
500+42.85 грн
1000+35.68 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2822 pF @ 12 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.94 грн
3000+34.71 грн
4500+33.29 грн
7500+29.75 грн
10500+28.86 грн
15000+28.23 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
739+47.85 грн
1000+44.13 грн
10000+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 739 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
287+49.45 грн
Мінімальне замовлення: 287 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLD/1XNexperia USA Inc.Description: MOSFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN3R0-30YLD/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2939 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLD/2XNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0026 ohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+83.26 грн
242+58.55 грн
275+51.48 грн
500+38.64 грн
1000+34.18 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2939 pF @ 15 V
на замовлення 29526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.92 грн
10+73.06 грн
50+54.71 грн
100+45.77 грн
500+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 3100 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 91W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.43 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2939 pF @ 15 V
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+34.53 грн
4500+29.39 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
на замовлення 4663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDXNXPMOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.72 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60BSNXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN3R0-30MLC - POW
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+136.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8079 pF @ 30 V
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+320.58 грн
10+203.26 грн
50+157.95 грн
100+134.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+249.87 грн
500+236.90 грн
1000+223.94 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60BS,118NexperiaMOSFETs PSMN3R0-60BS/SOT404/D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8079 pF @ 30 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+116.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+136.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60ES,127NexperiaMOSFET N-Ch 60V 3 Standard level MOSFET
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60ES,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8079 pF @ 30 V
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+70.29 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60ES,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R0-60ES,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60ES,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8079 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+186.22 грн
500+177.97 грн
1000+168.54 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 45 50  [ Наступна Сторінка >> ]