Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN2R8-40PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4491 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+167.87 грн
100+152.99 грн
250+148.01 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40PS,127NexperiaMOSFET PSMN2R8-40PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.32 грн
10+171.48 грн
100+120.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSBXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R8-40YSBX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.0028 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.51 грн
12+68.46 грн
50+57.99 грн
200+44.12 грн
500+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSBXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R8-40YSBX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 2800 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+40.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSBXNexperia USA Inc.Description: PSMN2R8-40YSB/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4563 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSBXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 160A
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.90 грн
10+64.62 грн
100+37.49 грн
500+29.41 грн
1000+28.23 грн
1500+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSBXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSBXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R8-40YSBX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 0.0028 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.99 грн
200+44.12 грн
500+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSBXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R8-40YSBX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 2800 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 147W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+40.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSBXNexperia USA Inc.Description: PSMN2R8-40YSB/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4563 pF @ 20 V
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.62 грн
10+64.47 грн
100+42.86 грн
500+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSBXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN2R8-40YSD/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSD/2XNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 160A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+62.18 грн
1500+54.17 грн
3000+50.13 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 160A
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.84 грн
10+75.82 грн
100+43.28 грн
500+34.03 грн
1000+29.06 грн
1500+26.30 грн
3000+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 160A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507 pF @ 20 V
на замовлення 4607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.59 грн
10+77.40 грн
100+51.99 грн
500+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
363+97.77 грн
500+87.99 грн
1000+81.16 грн
Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 119A; Idm: 658A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 119A
Pulsed drain current: 658A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-40YSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 160A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507 pF @ 20 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.17 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80BS,118NexperiaMOSFETs PSMN2R8-80BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+328.60 грн
10+213.56 грн
100+135.31 грн
500+110.45 грн
800+99.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9961 pF @ 40 V
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+122.74 грн
1600+110.71 грн
2400+107.14 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R8-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2550 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+272.22 грн
10+231.95 грн
100+199.74 грн
500+175.00 грн
1000+152.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80BS,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 139nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9961 pF @ 40 V
на замовлення 7151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.62 грн
10+211.65 грн
100+150.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R8-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2550 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+199.74 грн
500+175.00 грн
1000+152.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80SSFNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN2R8-80SSF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 205 A, 2800 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 341W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+404.31 грн
10+276.25 грн
100+191.68 грн
500+149.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80SSFJNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 205A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10088 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80SSFJNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 205A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80SSFJNexperiaMOSFETs PSMN2R8-80SSF/SOT1235/LFPAK88
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+361.62 грн
10+235.79 грн
50+158.78 грн
100+144.97 грн
1000+113.91 грн
2000+106.31 грн
4000+101.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10088 pF @ 40 V
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.44 грн
10+193.85 грн
100+137.45 грн
500+106.41 грн
1000+99.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-100SSEJNexperia USA Inc.Description: POWERMOS ASFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13280 pF @ 50 V
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+425.60 грн
10+274.54 грн
100+197.89 грн
500+155.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-100SSEJNexperiaMOSFETs N-channel 100 V, 2.9 mOhm MOSFET with enhanced SOA in LFPAK88
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+438.94 грн
10+302.47 грн
100+212.62 грн
500+189.15 грн
1000+186.39 грн
2000+158.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-100SSEJNexperia USA Inc.Description: POWERMOS ASFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13280 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-25YLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 517A; 92W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 517A
Power dissipation: 92W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-25YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2083 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-25YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2083 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.29 грн
20+39.50 грн
50+32.86 грн
100+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-25YLC,115NexperiaMOSFETs PSMN2R9-25YLC/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-25YLC,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-30MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2419 pF @ 15 V
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.75 грн
10+57.21 грн
100+37.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-30MLC,115NexperiaMOSFETs PSMN2R9-30MLC/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.84 грн
10+58.75 грн
100+33.55 грн
500+28.17 грн
1000+22.30 грн
1500+19.61 грн
3000+17.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-30MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2419 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-30MLC,115NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
431+82.40 грн
500+74.16 грн
1000+68.40 грн
Мінімальне замовлення: 431 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R9-30MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30MLC,115NexperiaMOSFETs PSMN3R0-30MLC/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.15 грн
10+50.89 грн
100+29.06 грн
500+22.71 грн
1000+20.99 грн
1500+18.57 грн
3000+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30MLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30MLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R0-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0027 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
на замовлення 5165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.22 грн
10+47.86 грн
100+31.48 грн
500+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.82 грн
3000+19.29 грн
4500+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30MLC,115NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+80.05 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30MLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R0-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 0.0027 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.74V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YL
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
287+49.56 грн
Мінімальне замовлення: 287 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.56 грн
250+49.28 грн
500+42.95 грн
1000+35.76 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2822 pF @ 12 V
на замовлення 35219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.38 грн
10+73.52 грн
100+49.37 грн
500+36.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YL,115NexperiaMOSFETs PSMN3R0-30YL/SOT669/LFPAK
на замовлення 1442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.59 грн
10+73.75 грн
100+42.59 грн
500+33.69 грн
1000+29.89 грн
1500+27.41 грн
3000+25.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
739+47.96 грн
1000+44.23 грн
10000+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 739 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2822 pF @ 12 V
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.31 грн
3000+31.48 грн
4500+30.19 грн
7500+27.39 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLD/1XNexperia USA Inc.Description: MOSFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN3R0-30YLD/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2939 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLD/2XNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.80 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2939 pF @ 15 V
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.04 грн
3000+28.48 грн
4500+27.27 грн
7500+24.32 грн
10500+23.57 грн
15000+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 3100 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 91W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.60 грн
10+100.67 грн
50+79.90 грн
200+58.03 грн
500+48.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 100A
на замовлення 4663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.28 грн
10+54.94 грн
100+31.20 грн
500+24.02 грн
1000+21.75 грн
1500+19.67 грн
3000+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+83.44 грн
242+58.68 грн
275+51.60 грн
500+38.73 грн
1000+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDXNXPMOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 90A; Idm: 512A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 512A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2939 pF @ 15 V
на замовлення 29581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.84 грн
10+67.83 грн
100+45.25 грн
500+33.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-30YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0026 ohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.25 грн
200+37.02 грн
500+31.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60BSNXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN3R0-30MLC - POW
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8079 pF @ 30 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+128.17 грн
1600+115.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60BS,118NexperiaMOSFETs PSMN3R0-60BS/SOT404/D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+136.67 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+250.42 грн
500+237.43 грн
1000+224.44 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8079 pF @ 30 V
на замовлення 3814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+353.37 грн
10+223.91 грн
50+174.00 грн
100+148.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+136.67 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60ES,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8079 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60ES,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R0-60ES,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60ES,127NexperiaMOSFET N-Ch 60V 3 Standard level MOSFET
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60ES,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8079 pF @ 30 V
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+69.65 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+186.64 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60PS,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+313.03 грн
500+296.49 грн
1000+279.96 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60PS,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R0-60PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 306W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+446.19 грн
10+273.84 грн
100+198.13 грн
500+133.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+186.64 грн
500+178.37 грн
1000+168.92 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60PS,127NexperiaMOSFET PSMN3R0-60PS/SOT78/SIL3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60PS,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+272.94 грн
3+234.33 грн
10+231.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 44 48 49  [ Наступна Сторінка >> ]