Продукція > Si3

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI3476DV-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 4.6A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3476DV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 40 V
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.57 грн
10+35.63 грн
50+26.12 грн
100+21.61 грн
500+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3476DV-T1-BE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 3.7A; Idm: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 3.7A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 3.6W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.9nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3476DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 4.6A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3476DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 4.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 40 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.85 грн
9000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3476DV-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 4.6A; Idm: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 3.6W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 126mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3476DV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 41345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3476DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 4.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 40 V
на замовлення 24254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.00 грн
10+34.87 грн
50+25.56 грн
100+21.16 грн
500+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3477DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 6 V
на замовлення 10246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.14 грн
10+54.12 грн
50+40.18 грн
100+33.46 грн
500+26.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3477DV-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 4.2W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3477DV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -12V Vds 10V Vgs TSOP-6
на замовлення 15253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3477DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 6 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.75 грн
9000+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3477DV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3477DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3477DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3477DV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3477DV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3477DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 4.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3480-A01-GMSilicon LabsQFN 20/I°/8-port Power Manager to be used with Si3452/3 PSE Port Controller SI3480
кількість в упаковці: 91 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3480-A01-GMSilicon LabsDescription: IC CTLR 4/8-PORT POE 20-QFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3480-A01-GMSilicon LabsHot Swap Voltage Controllers 8-port Power Manager to be used with Si3452/3 PSE Port ControllersSi3480-A01-GM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3480-A01-GMRSilicon LabsQFN 20/I°/8-PORT POWER MANAGER TO BE USED WITH SI3452/3 PSE PORT CONTROLLER SI3480QFN
кількість в упаковці: 1500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3480-A01-GMRSilicon LabsDescription: IC CTLR 4/8-PORT POE 20-QFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3480-A01-GMRSilicon LabsHot Swap Voltage Controllers 8-port Power Manager to be used with Si3452/3 PSE Port Controllers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3480MS8-KITSilicon LabsPower Management IC Development Tools 8p Pwr Mngr Eval Kit Si3452/3PSE Prt Ctrl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3480MS8-KITSilicon Labs-40 TO 85 OC/8-PORT POWER MANAGER EVAL KIT TO BE USED WITH SI3452/3 PSE POR EVALKIT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3480MS8-KITSkyworks Solutions Inc.Description: KIT EVAL 8PORT SI3480/52/SI3500
Packaging: Box
Function: Power Over Ethernet (POE), PSE
Type: Power Management
Utilized IC / Part: Si3452, Si3480, Si3500
Supplied Contents: Board(s), Cable(s)
Embedded: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3481DV-T1
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3481DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3481DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3481DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3481DV-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3481DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3482-A01-GMSkyworks SolutionsPower Over Ethernet PSE Controller 2.7V 3.6V 30W 24-Pin QFN EP
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3482-A01-GMSilicon LabsQFN 24/I°/12/24/48-PORT POWER MANAGER TO BE USED WITH SI3452/3 PSE PORT CON SI3482QFN
кількість в упаковці: 91 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3482-A01-GMSkyworks SolutionsPower Over Ethernet PSE Controller 2.7V 3.6V 30W 24-Pin QFN EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3482-A01-GMSilicon LabsHot Swap Voltage Controllers 12/24/48-port Power Manager to be used with Si3452/3 PSE Port Controllers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3482-A01-GMSkyworks Solutions Inc.Description: IC POE CNTRL 24-48 PORT 24QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 24-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Power Manager
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Current - Supply: 12.1mA
Internal Switch(s): No
Standards: 802.3at (PoE+), 802.3af (PoE)
Supplier Device Package: 24-QFN (4x4)
Auxiliary Sense: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3482-A01-GMSkyworks SolutionsPower Over Ethernet PSE Controller 2.7V 3.6V 30W 24-Pin QFN EP
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3482-A01-GMRSilicon LabsHot Swap Voltage Controllers 12/24/48-port Power Manager to be used with Si3452/3 PSE Port Controllers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3482-A01-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: IC POE CNTRL 24-48 PORT 24QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Power Manager
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Current - Supply: 12.1mA
Internal Switch(s): No
Standards: 802.3at (PoE+), 802.3af (PoE)
Supplier Device Package: 24-QFN (4x4)
Auxiliary Sense: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483-A02-GMSilicon Labs / BluegigaHot Swap Voltage Controllers 64 Port PSE Power Manager IC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TSOP6 P-CH 30V 6.1A
на замовлення 36532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 4279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.71 грн
10+59.40 грн
100+44.84 грн
500+33.03 грн
1000+29.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 6806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI3483CDV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.034 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI3483CDV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.034 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.09 грн
10+68.31 грн
50+51.05 грн
100+42.68 грн
500+33.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.95 грн
25+31.66 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.34 грн
42000+17.67 грн
63000+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.35 грн
6000+30.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.64 грн
9000+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.09 грн
6000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.35 грн
6000+30.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 27226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7A; Idm: -25A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 4.2W
Case: SC74; TSOP6
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -25A
Gate charge: 33nC
Technology: TrenchFET®
Drain current: -7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 53mΩ
на замовлення 804 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.74 грн
10+47.22 грн
100+35.22 грн
500+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+81.98 грн
228+62.17 грн
500+52.93 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 74918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.09 грн
10+68.31 грн
50+51.05 грн
100+42.68 грн
500+33.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.2mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
на замовлення 5623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.06 грн
10+38.95 грн
50+28.64 грн
100+23.72 грн
500+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TSOP6 P-CH 30V 6.4A
на замовлення 41207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3483DDV-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0312 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0312ohm
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.2mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6.4A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 348 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -30A; 3W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 3W
Case: SC74; TSOP6
On-state resistance: 51.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6.4A/8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.2mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
на замовлення 14822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.06 грн
10+38.95 грн
50+28.64 грн
100+23.72 грн
500+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3483DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0312 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0312ohm
на замовлення 19780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6.4A/8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.2mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.65 грн
9000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TSOP6 P-CH 30V 6.4A
на замовлення 47725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3483DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0312 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0312ohm
на замовлення 19780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DV
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DV-T1-E3
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3483DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3484-A01-GMSkyworks Solutions Inc.Description: IC POE CNTRL 64 CHANNEL 24QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3484-A01-GMSilicon LabsPower Management Specialized - PMIC 64 Port PSE power manager IC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3484-A01-GMRSilicon LabsPower Management Specialized - PMIC 64 Port PSE power manager IC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3484-A01-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: IC POE CNTRL 64 CHANNEL 24QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 10 V
на замовлення 7429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.98 грн
10+59.48 грн
100+39.38 грн
500+28.87 грн
1000+26.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TSOP6 P-CH 20V 7A
на замовлення 17338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.27 грн
6000+28.16 грн
9000+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 8.0A 2.97W 27.5mohm @ 4.5V
на замовлення 4567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.