Продукція > Si3

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI3493BDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1805 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-GE3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493BDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3493DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.77 грн
500+20.61 грн
1500+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1299+10.89 грн
1353+10.46 грн
1356+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 1299 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3493DDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3493DDV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -20V Vds 8V Vgs TSOP-6
на замовлення 45278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3493DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.10 грн
50+56.49 грн
100+35.77 грн
500+20.61 грн
1500+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si3493DDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
610+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 610 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DV
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DV-T1
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DV-T1-E3VISHAYSOT-23-6 0809+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3493DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3495DV
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3495DV-T1
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3495DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3495DV-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3495DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3495DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3495DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3495DV-T1-GE3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-BE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -7A; Idm: -20A; 2W
Mounting: SMD
Case: SC74; TSOP6
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -7A
Drain-source voltage: -8V
Gate-source voltage: ±5V
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 48mΩ
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 1.5-V (G-S)
на замовлення 11466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 1.5-V (G-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.38 грн
10+67.78 грн
100+52.87 грн
500+40.98 грн
1000+32.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 1.5-V (G-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-E3VISHAYSOT23-6 09+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+38.64 грн
372+38.05 грн
378+37.45 грн
384+35.53 грн
391+32.37 грн
500+30.57 грн
1000+30.06 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
на замовлення 6070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.30 грн
10+67.86 грн
100+45.19 грн
500+33.28 грн
1000+30.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Vgs (Max): ±5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.64 грн
25+38.05 грн
50+36.11 грн
100+32.90 грн
250+31.08 грн
500+30.57 грн
1000+30.06 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3499DV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V
на замовлення 7961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3500-A-GMSilicon Labsqfn 20/i°/-57V to +3.3V DC/DC converter SI3500
кількість в упаковці: 60 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3500-A-GMSkyworks Solutions Inc.Description: IC REG BUCK ADJ 400MA 20QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VQFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive, Isolation Capable
Frequency - Switching: 350kHz
Voltage - Input (Max): 57V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 20-QFN (5x5)
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Output (Max): 12V
Voltage - Input (Min): 42V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3500-A-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: IC REG BUCK ADJ 400MA 20QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VQFN Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive, Isolation Capable
Frequency - Switching: 350kHz
Voltage - Input (Max): 57V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 20-QFN (5x5)
Synchronous Rectifier: No
Voltage - Output (Max): 12V
Voltage - Input (Min): 42V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3500-A-GMRSilicon Labsqfn 20/i°/-57V to +3.3V DC/DC converter SI3500
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3500B
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3522
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3522VSAK
на замовлення 749 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3528B
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3529DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.95A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3529DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 205pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.95A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3540Applied MotionMotor Drives PKG 3.5A 40VDC IND
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si3540 (5000-046)Applied MotionArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3551M
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DVVISHAY2005 SOT23
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1VISHAY2004 SOT23-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.15W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.72 грн
6000+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SI35
на замовлення 173834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI3552DV-T1-E3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.15W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 6588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.79 грн
10+52.99 грн
100+34.89 грн
500+25.44 грн
1000+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-E3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 2.5/-1.8A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.5/-1.8A
Pulsed drain current: -7...8A
Power dissipation: 1.15W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 360/175mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6/3.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+80.38 грн
7+61.72 грн
25+44.11 грн
50+37.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-E3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI3552DV-T1-E3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+59.33 грн
241+58.81 грн
243+58.29 грн
312+43.82 грн
315+40.20 грн
500+31.12 грн
1000+25.08 грн
3000+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3552DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.07 грн
13+59.33 грн
25+58.81 грн
50+56.21 грн
100+40.57 грн
250+38.59 грн
500+31.12 грн
1000+25.08 грн
3000+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3552DV-T1-GE3
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si3552DV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6 N&P PAIR
на замовлення 16525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si3552DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.14 грн
10+54.72 грн
100+36.01 грн
500+26.26 грн
1000+23.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DV-T2Vishay / SiliconixMOSFETs 30V N & P CH (D-S) TRENCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3552DY-T1-E3
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3553QSI95+ TSOP
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3554M
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W, 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 156478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.79 грн
10+34.95 грн
100+22.56 грн
500+16.18 грн
1000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3585CDV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.54 грн
50+39.83 грн
100+26.01 грн
500+18.49 грн
1500+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3585CDV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.64 грн
9000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 3.1/-1.7A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.1/-1.7A
Power dissipation: 0.9/8W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 78/316mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8/9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4180 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.29 грн
13+33.46 грн
50+23.65 грн
100+20.46 грн
500+15.01 грн
1000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W, 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.86 грн
6000+12.25 грн
9000+11.69 грн
15000+10.38 грн
21000+10.03 грн
30000+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.9A/2.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
778+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 778 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3585CDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3585CDV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.01 грн
500+18.49 грн
1500+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39  [ Наступна Сторінка >> ]