Продукція > DMP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMPH4023SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4023SPDWQ-13Diodes ZetexDual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4023SPDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4023SPDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4025SFVWQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -7.3A; Idm: -80A; 2.3W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -7.3A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 38.6nC
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4025SFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1918 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4025SFVWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4025SFVWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH4025SFVWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4025SFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1918 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.65 грн
10+68.76 грн
25+58.03 грн
50+48.18 грн
100+42.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4025SFVWQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH4025SFVWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4025SFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1918 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4025SFVWQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -7.3A; Idm: -80A; 2.3W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -80A
Drain current: -7.3A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 38.6nC
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 2.3W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4025SFVWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4026SFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2064 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4026SFVW-13Diodes Zetex40V +175 Degree C P-Channel Enhancement Mode Mosfet
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4026SFVW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4026SFVW-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4026SFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2064 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4026SFVW-7Diodes Zetex40V +175 Degree C P-Channel Enhancement Mode Mosfet
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4026SFVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2064 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4026SFVWQ-13Diodes Zetex40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4026SFVWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4026SFVWQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4026SFVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2064 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4026SFVWQ-7Diodes Zetex40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.7A; Idm: -88A; 2.8W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -88A
Drain current: -6.7A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 2.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.7A; Idm: -88A; 2.8W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -88A
Drain current: -6.7A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 2.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.08 грн
10+50.04 грн
25+41.94 грн
50+34.68 грн
100+30.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.7A; Idm: -88A; 2.8W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -88A
Drain current: -6.7A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 2.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.7A; Idm: -88A; 2.8W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -88A
Drain current: -6.7A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 2.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH4029LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 22 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.79 грн
10+52.99 грн
25+44.47 грн
50+36.76 грн
100+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH4029LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 22 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7DiodesMOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.94 грн
4000+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6023SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6023SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V
на замовлення 6238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6023SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH6023SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6023SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6023SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.33 грн
10+60.84 грн
100+40.29 грн
500+29.55 грн
1000+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6023SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH6023SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6023SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6023SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 477500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.47 грн
5000+34.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6023SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6023SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6023SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 477833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.82 грн
10+82.35 грн
100+55.36 грн
500+41.12 грн
1000+37.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6023SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T&R 2.5K
на замовлення 2334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.08 грн
6000+16.50 грн
9000+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFG-13Diodes ZetexDMPH6050SFG-13
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFG-13Diodes ZetexDMPH6050SFG-13
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFG-7Diodes ZetexDMPH6050SFG-7
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFG-7Diodes ZetexDMPH6050SFG-7
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.08 грн
6000+16.50 грн
10000+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.11 грн
10+43.78 грн
100+28.65 грн
500+20.78 грн
1000+18.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
440+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 440 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.57 грн
10+53.51 грн
25+44.99 грн
50+37.20 грн
100+32.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+26.14 грн
4000+24.05 грн
6000+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH6050SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.041 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.10 грн
24+32.44 грн
25+32.15 грн
100+27.00 грн
500+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+26.04 грн
4000+23.97 грн
6000+23.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH6050SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.041 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3-13DiodesDMPH6050SK3-13 MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V
на замовлення 12158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.46 грн
10+62.57 грн
25+52.62 грн
50+43.62 грн
100+38.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.21 грн
5000+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6A; Idm: -40A; 3.8W; TO252
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Gate charge: 25nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: TO252
On-state resistance: 70mΩ
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.74 грн
7+67.60 грн
10+59.54 грн
50+43.69 грн
100+37.91 грн
250+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:
на замовлення 61182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.98 грн
7500+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.17 грн
5000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.