Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 32 33 34 35 36 37 38  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMPH4029LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.7A; Idm: -88A; 2.8W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -88A
Drain current: -6.7A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 2.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH4029LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 22 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.35 грн
10+36.87 грн
100+23.96 грн
500+17.27 грн
1000+15.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.97 грн
4000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4029LFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.96 грн
10+50.89 грн
100+29.06 грн
500+22.71 грн
1000+20.57 грн
2000+17.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6023SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.41 грн
10+60.28 грн
100+39.92 грн
500+29.28 грн
1000+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6023SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6023SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH6023SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.51 грн
13+66.69 грн
100+44.22 грн
500+32.08 грн
1000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6023SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6023SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6023SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V
на замовлення 6238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.20 грн
10+57.40 грн
100+35.14 грн
500+28.03 грн
1000+24.44 грн
2500+22.57 грн
5000+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6023SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH6023SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.22 грн
500+32.08 грн
1000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6023SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T&R 2.5K
на замовлення 2334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.20 грн
10+78.60 грн
100+49.36 грн
500+39.00 грн
1000+35.14 грн
2500+31.13 грн
5000+30.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6023SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 477833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.58 грн
10+81.59 грн
100+54.86 грн
500+40.74 грн
1000+37.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6023SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6023SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 477500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.13 грн
5000+33.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6023SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFG-13Diodes ZetexDMPH6050SFG-13
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.92 грн
6000+16.35 грн
9000+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFG-13Diodes ZetexDMPH6050SFG-13
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFG-7Diodes ZetexDMPH6050SFG-7
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.92 грн
6000+16.35 грн
10000+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFG-7Diodes ZetexDMPH6050SFG-7
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.45 грн
10+43.38 грн
100+28.39 грн
500+20.59 грн
1000+18.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.31 грн
10+50.02 грн
100+29.68 грн
500+24.44 грн
1000+22.71 грн
3000+18.98 грн
6000+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH6050SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.041 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.86 грн
500+30.06 грн
1000+27.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
440+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 440 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+26.20 грн
4000+24.11 грн
6000+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH6050SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.041 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.77 грн
17+48.16 грн
100+32.86 грн
500+30.06 грн
1000+27.27 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.06 грн
10+44.78 грн
100+26.58 грн
500+21.12 грн
1000+18.92 грн
2000+16.91 грн
4000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.17 грн
24+32.51 грн
25+32.22 грн
100+27.06 грн
500+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+26.10 грн
4000+24.02 грн
6000+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.11 грн
10+45.62 грн
100+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.78 грн
10+44.50 грн
100+29.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS:
на замовлення 61182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.99 грн
10+44.14 грн
100+25.13 грн
500+19.67 грн
1000+17.74 грн
2500+15.60 грн
5000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.81 грн
500+23.56 грн
1000+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.27 грн
5000+25.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.23 грн
50+48.08 грн
100+31.81 грн
500+23.56 грн
1000+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3-13DiodesMOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6A; Idm: -40A; 3.8W; TO252
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO252
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -40A
Drain current: -6A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 70mΩ
Power dissipation: 3.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.22 грн
10+45.29 грн
50+31.16 грн
100+26.51 грн
500+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.21 грн
10+40.68 грн
100+29.53 грн
500+24.41 грн
1000+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.57 грн
32+24.18 грн
100+22.95 грн
250+20.91 грн
500+19.74 грн
1000+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.96 грн
5000+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60
на замовлення 8279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.38 грн
15+21.44 грн
2500+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.79 грн
33+24.81 грн
100+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
587+24.18 грн
596+23.80 грн
606+23.42 грн
616+22.21 грн
1000+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 587 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH6050SPD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.86 грн
10+101.48 грн
100+63.14 грн
500+44.95 грн
1000+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.3A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+100.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SPD-13DiodesMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SPD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 21942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.14 грн
10+70.34 грн
100+41.28 грн
500+32.93 грн
1000+29.89 грн
2500+25.47 грн
5000+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 26A POWERDI5060-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.17 грн
10+69.03 грн
100+44.80 грн
500+33.23 грн
1000+30.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.3A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH6050SPD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.14 грн
500+44.95 грн
1000+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.3A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+100.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 26A POWERDI5060-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 26A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.48 грн
10+75.24 грн
100+49.14 грн
500+37.43 грн
1000+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SPDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 4283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.42 грн
10+77.17 грн
100+44.80 грн
500+35.41 грн
1000+32.38 грн
2500+28.72 грн
5000+27.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 26A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SPDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 26A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.5W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SPDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SPDWQ-13Diodes Zetex175 Degree C 60V Dual P-Channel Enhancement Mode Mosfet
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 2108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.37 грн
10+52.95 грн
100+30.31 грн
500+23.61 грн
1000+21.40 грн
2500+18.71 грн
5000+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH6050SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.18 грн
14+58.15 грн
100+38.74 грн
500+28.34 грн
1000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 5.2A 8SO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.80 грн
10+49.51 грн
100+34.26 грн
500+26.87 грн
1000+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SSD-13Diodes INC.Транзистор польовий 2P, Udss, В = 60, Id = 5,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1525, Qg, нКл = 14,5, Rds = 48 мОм, Ugs(th) = 3, Р, Вт = 1,5, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Очікується: 100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 5.2A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 5.2A 8SO
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.53 грн
5000+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH6050SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.74 грн
500+28.34 грн
1000+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SSD-13DiodesMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 5.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 5.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.01 грн
5000+26.58 грн
10000+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH6050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.79 грн
500+29.09 грн
1000+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 60V 5.2A 8SOIC
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.86 грн
10+59.38 грн
100+37.83 грн
500+27.80 грн
1000+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 8911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.23 грн
10+58.67 грн
100+33.76 грн
500+26.44 грн
1000+24.02 грн
2500+20.09 грн
5000+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 5.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.01 грн
5000+26.58 грн
10000+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 60V 5.2A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMPH6050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.76 грн
14+60.16 грн
100+39.79 грн
500+29.09 грн
1000+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6051SFVWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6051SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6051SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6051SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6051SSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6250S-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 41V~60V SOT23
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6250S-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 10K
на замовлення 8496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.89 грн
14+24.21 грн
100+14.36 грн
500+10.56 грн
1000+8.49 грн
5000+7.59 грн
10000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 32 33 34 35 36 37 38  Наступна Сторінка >> ]