Продукція > DMP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMPH4029LFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH4029LFGQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6.7A; Idm: -88A; 2.8W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -88A Drain current: -6.7A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 34nC On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 2.8W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: PowerDI3333-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMPH4029LFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH4029LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 22 A, 0.018 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH4029LFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 92000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH4029LFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1626 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH4029LFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 40V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 92000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH4029LFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6023SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6023SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMPH6023SK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH6023SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6023SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6023SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6023SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V | на замовлення 6238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6023SK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH6023SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6023SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T&R 2.5K | на замовлення 2334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6023SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 477833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6023SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMPH6023SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 477500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6023SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 270000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SFG-13 | Diodes Zetex | DMPH6050SFG-13 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI3333-8 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMPH6050SFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333 Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 18A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SFG-13 | Diodes Zetex | DMPH6050SFG-13 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMPH6050SFG-7 | Diodes Zetex | DMPH6050SFG-7 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMPH6050SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI3333-8 T&R 2K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMPH6050SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 18A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SFG-7 | Diodes Zetex | DMPH6050SFG-7 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SFGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V PWRDI3333 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 18A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SFGQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMPH6050SFGQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SFGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V PWRDI3333 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 18A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 4286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SFGQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | на замовлення 2671 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH6050SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.041 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMPH6050SFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 72 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMPH6050SFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH6050SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.041 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | на замовлення 6018 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 6.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V | на замовлення 377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMPH6050SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: | на замовлення 61182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.9W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 4301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMPH6050SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 4301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SK3-13 | Diodes | MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMPH6050SK3-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6A; Idm: -40A; 3.8W; TO252 Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: TO252 Drain-source voltage: -60V Pulsed drain current: -40A Drain current: -6A Gate charge: 25nC On-state resistance: 70mΩ Power dissipation: 3.8W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape | на замовлення 2508 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SK3Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 | на замовлення 8279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMPH6050SK3Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SK3Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SPD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH6050SPD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 2927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SPD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 6.3A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SPD-13 | Diodes | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMPH6050SPD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | на замовлення 21942 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SPD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 26A POWERDI5060-8 Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SPD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 6.3A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMPH6050SPD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH6050SPD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 2927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SPD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 6.3A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SPD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 26A POWERDI5060-8 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SPDQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 6.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMPH6050SPDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 26A POWERDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SPDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | на замовлення 4283 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SPDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 26A POWERDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMPH6050SPDWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 26A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.5W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMPH6050SPDWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMPH6050SPDWQ-13 | Diodes Zetex | 175 Degree C 60V Dual P-Channel Enhancement Mode Mosfet | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMPH6050SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | на замовлення 2108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH6050SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.034 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 5.2A 8SO Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 11985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SSD-13 | Diodes INC. | Транзистор польовий 2P, Udss, В = 60, Id = 5,2 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1525, Qg, нКл = 14,5, Rds = 48 мОм, Ugs(th) = 3, Р, Вт = 1,5, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Очікується: 100 Од. вим: шт кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMPH6050SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 5.2A 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMPH6050SSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 5.2A 8SO Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH6050SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.034 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SSD-13 | Diodes | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMPH6050SSDQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 5.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMPH6050SSDQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 5.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SSDQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH6050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.034 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SSDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 60V 5.2A 8SOIC Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 2W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount | на замовлення 2555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | на замовлення 8911 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SSDQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 5.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SSDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 60V 5.2A 8SOIC Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 2W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6050SSDQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMPH6050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.034 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMPH6051SFVWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI3333-8 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMPH6051SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMPH6051SSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMPH6051SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMPH6051SSSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMPH6250S-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 41V~60V SOT23 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMPH6250S-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 10K | на замовлення 8496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|

