Продукція > IPD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD90P03P4L04ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+137.97 грн
115+123.80 грн
151+94.31 грн
500+84.29 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD90P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+97.45 грн
500+72.02 грн
1000+64.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+122.85 грн
500+110.69 грн
1000+102.07 грн
10000+87.75 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
на замовлення 5103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.07 грн
10+109.94 грн
100+75.42 грн
500+57.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2Infineon TechnologiesP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 90 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25, Qg, нКл = 160 @ 10, Rds = 4,1 мОм @ 90 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 253 мкА, Р, Вт = 137 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Очікується: 520 Од. ви
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+64.25 грн
Мінімальне замовлення: 1089 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 6431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.38 грн
10+115.91 грн
100+69.72 грн
500+55.85 грн
1000+54.54 грн
2500+47.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD90P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.46 грн
10+140.94 грн
100+97.45 грн
500+72.02 грн
1000+64.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.71 грн
5000+49.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2Infineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4-05Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD90P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.46 грн
10+134.50 грн
100+100.67 грн
500+77.78 грн
1000+62.75 грн
5000+61.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA2InfineonMOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+125.21 грн
500+112.69 грн
1000+103.93 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA2
Код товару: 205599
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.39 грн
5000+59.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.03 грн
10+111.70 грн
100+99.51 грн
250+93.77 грн
500+77.03 грн
1000+70.31 грн
2500+60.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+171.55 грн
10+104.00 грн
100+72.49 грн
250+71.80 грн
500+59.30 грн
1000+57.02 грн
2500+50.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+161.03 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD90P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.48 грн
500+71.80 грн
1000+62.75 грн
5000+61.37 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.12 грн
10+138.21 грн
100+94.86 грн
500+71.63 грн
1000+66.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+154.04 грн
133+106.78 грн
134+106.54 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P405AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L-04Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+264.34 грн
56+254.27 грн
100+245.64 грн
250+229.68 грн
500+206.89 грн
1000+193.75 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L-04Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L-04InfineonTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 16V; 6,6mOhm; 90A; 125W; -55°C ~ 175°C; IPD90P04P4L04ATMA1 IPD90P04P4L04 TIPD90p04p4l04
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+99.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+129.94 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA1InfineonMOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD90P04P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 3237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.91 грн
50+123.23 грн
100+88.59 грн
500+67.61 грн
1000+58.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.44 грн
5000+52.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+134.97 грн
126+112.73 грн
151+94.05 грн
500+78.27 грн
1000+70.08 грн
2500+67.19 грн
5000+65.28 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.97 грн
10+112.73 грн
100+94.05 грн
500+78.27 грн
1000+70.08 грн
2500+67.19 грн
5000+65.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -90A; 125W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -90A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 28504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+131.12 грн
500+118.01 грн
1000+108.83 грн
10000+93.57 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD90P04P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 3237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.59 грн
500+67.61 грн
1000+58.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.84 грн
10+114.95 грн
100+79.00 грн
500+60.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.07 грн
10+139.72 грн
100+83.53 грн
500+69.72 грн
1000+64.68 грн
2500+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+236.17 грн
88+162.19 грн
121+117.72 грн
500+89.91 грн
1000+79.16 грн
2500+75.85 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 900V 5.1A DPAK-2 CoolMOS C3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3InfineonN-MOSFET 900V 5.1A 83W 1.2Ω IPD90R1K2C3 INFINEON TIPD90r1k2c3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+55.40 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+171.62 грн
86+165.08 грн
100+159.48 грн
250+149.13 грн
500+134.32 грн
1000+125.79 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3InfineonТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 900V 5.1A DPAK-2
на замовлення 8427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
422+84.05 грн
500+80.47 грн
1000+76.01 грн
Мінімальне замовлення: 422 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.54 грн
10+99.39 грн
100+67.56 грн
500+50.62 грн
1000+46.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD90R1K2C3ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.88 грн
10+103.90 грн
100+69.59 грн
500+51.45 грн
1000+44.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.39 грн
10+93.68 грн
100+54.88 грн
500+43.70 грн
1000+40.94 грн
2500+35.55 грн
5000+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD90R1K2C3ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.59 грн
500+51.45 грн
1000+44.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3BTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90R1K2C3BTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD950P06NMSAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V TO252-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.92 грн
10+85.74 грн
100+50.05 грн
500+40.38 грн
1000+36.31 грн
2500+30.79 грн
5000+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 6A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 107082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.17 грн
10+69.85 грн
100+46.63 грн
500+34.41 грн
1000+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+138.71 грн
159+89.57 грн
160+88.67 грн
162+84.65 грн
212+59.70 грн
382+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.26 грн
13+65.72 грн
100+47.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.75 грн
10+88.95 грн
25+88.06 грн
50+84.07 грн
100+59.29 грн
250+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.04 грн
10+77.69 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.15 грн
5000+27.85 грн
7500+26.76 грн
12500+23.96 грн
17500+23.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
на замовлення 42067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.98 грн
10+69.86 грн
100+47.63 грн
500+40.38 грн
1000+32.93 грн
2500+30.93 грн
5000+29.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7Infineon TechnologiesIPD95R450P7
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+219.62 грн
68+211.25 грн
100+204.08 грн
250+190.82 грн
500+171.88 грн
1000+160.97 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+272.16 грн
81+176.72 грн
100+173.88 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 3323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.32 грн
10+126.23 грн
100+75.94 грн
500+62.34 грн
1000+57.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1InfineonMOSFET N-CH 950V 14A TO252 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 104W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 35nC
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+180.77 грн
5+134.62 грн
10+118.83 грн
25+115.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+159.44 грн
100+152.31 грн
250+146.20 грн
500+135.89 грн
1000+121.72 грн
2500+113.39 грн
5000+110.35 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD95R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.62 грн
500+66.34 грн
1000+59.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+91.71 грн
5000+87.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 400 V
на замовлення 5483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.17 грн
10+116.44 грн
100+80.19 грн
500+61.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+92.26 грн
5000+87.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD95R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.21 грн
10+131.28 грн
100+92.62 грн
500+66.34 грн
1000+59.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+144.11 грн
500+129.94 грн
1000+119.31 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42  [ Наступна Сторінка >> ]