Продукція > IPD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD90N04S3-04Infineon TechnologiesDescription: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S3-H4Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.97 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.97 грн
500+130.83 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD90N04S304ATMA1 - IPD90N04 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE M
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+133.92 грн
10000+122.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+102.59 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.97 грн
500+130.83 грн
1000+120.22 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 90A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S304ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.97 грн
500+130.83 грн
1000+120.22 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S3H4ATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD90N04S3H4ATMA1 - IPD90N04 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE M
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S3H4ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S3H4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S3H4ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+107.25 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S3H4ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+152.04 грн
500+136.72 грн
1000+126.11 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4-02Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4-03Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 4021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4-04Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4-05Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S40-4ATMA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.33 грн
500+96.59 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD90N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.30 грн
11+74.02 грн
25+73.28 грн
50+69.96 грн
100+58.43 грн
250+55.52 грн
500+51.42 грн
1000+46.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+107.33 грн
500+96.59 грн
1000+89.09 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+74.02 грн
194+73.28 грн
195+72.55 грн
217+63.10 грн
250+57.84 грн
500+51.42 грн
1000+46.56 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.51 грн
10+89.45 грн
25+88.40 грн
100+84.22 грн
250+77.04 грн
500+73.05 грн
1000+72.15 грн
3000+71.24 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.87 грн
10+105.37 грн
100+71.86 грн
500+53.98 грн
1000+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD90N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+89.45 грн
160+88.40 грн
162+87.34 грн
250+83.20 грн
500+76.10 грн
1000+72.15 грн
3000+71.24 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
306+46.30 грн
309+45.82 грн
322+43.95 грн
326+41.95 грн
500+38.46 грн
1000+36.85 грн
3000+36.78 грн
Мінімальне замовлення: 306 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
477+74.19 грн
530+66.77 грн
1000+61.57 грн
Мінімальне замовлення: 477 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+53.87 грн
270+52.56 грн
273+51.89 грн
276+49.53 грн
291+43.45 грн
320+37.89 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.30 грн
25+45.82 грн
100+42.38 грн
250+38.84 грн
500+36.92 грн
1000+36.85 грн
3000+36.78 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 40V; 90A; Idm: 90A; 94W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 94W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 90A
Application: automotive industry
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Gate charge: 66.8nC
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+43.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 17999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.20 грн
25+51.53 грн
50+49.20 грн
100+43.15 грн
250+37.63 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
477+74.19 грн
530+66.77 грн
Мінімальне замовлення: 477 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5260 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.11 грн
10+79.71 грн
100+53.61 грн
500+39.79 грн
1000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD90N04S403ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S403ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD90N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 57274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 81A; Idm: 360A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 81A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Pulsed drain current: 360A
Gate charge: 20nC
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+99.35 грн
6+72.12 грн
10+62.90 грн
25+57.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 19434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.10 грн
145+97.68 грн
217+65.40 грн
500+55.06 грн
1000+45.23 грн
2500+42.77 грн
5000+39.93 грн
7500+38.47 грн
12500+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.95 грн
5000+46.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
668+52.95 грн
1000+48.83 грн
Мінімальне замовлення: 668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
668+52.95 грн
1000+48.83 грн
Мінімальне замовлення: 668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD90N04S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 57274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.95 грн
5000+46.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
668+52.95 грн
Мінімальне замовлення: 668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 19434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.13 грн
10+97.01 грн
100+64.95 грн
500+54.68 грн
1000+44.92 грн
2500+42.48 грн
5000+39.66 грн
7500+38.20 грн
12500+36.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.73 грн
10+67.02 грн
100+44.68 грн
500+32.93 грн
1000+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
739+47.88 грн
1000+44.16 грн
Мінімальне замовлення: 739 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 3261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 86A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.46 грн
10+62.65 грн
50+46.75 грн
100+39.04 грн
500+30.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD90N04S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 86 A, 4300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
739+47.88 грн
1000+44.16 грн
Мінімальне замовлення: 739 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 86A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 61A; Idm: 344A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 344A
Power dissipation: 65W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD90N04S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 86 A, 4300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L-04Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 4166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
668+52.95 грн
1000+48.83 грн
Мінімальне замовлення: 668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 71W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.13 грн
28+27.77 грн
53+14.26 грн
56+13.00 грн
100+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 2127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4690 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.73 грн
10+67.02 грн
100+44.68 грн
500+32.93 грн
1000+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD90N04S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 20046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
668+52.95 грн
1000+48.83 грн
Мінімальне замовлення: 668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4690 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 40V; 90A; 71W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Gate charge: 60nC
на замовлення 24937 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD90N04S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 3800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 20046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4-04Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4-05Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4-07ATMA2Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL_55/60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+123.76 грн
500+111.38 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.39 грн
10+139.56 грн
50+107.04 грн
100+90.61 грн
500+73.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+123.76 грн
500+111.38 грн
1000+102.72 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+76.33 грн
187+75.77 грн
189+75.22 грн
250+71.99 грн
500+66.15 грн
1000+63.03 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 150W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK3
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Gate charge: 128nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+123.76 грн
500+111.38 грн
1000+102.72 грн
10000+88.31 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.