Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF632HARRISIRF632
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+149.35 грн
500+143.47 грн
1000+135.24 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF633NSC9130
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF633Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634
Код товару: 18551
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 250 Volt 8 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634International RectifierN-MOSFET 8.1A 250V 74W 0.45Ω IRF634 TIRF634
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 8A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634VishayN-MOSFET 8.1A 250V 74W 0.45Ω IRF634 TIRF634
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634B
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634B-FP001onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.05A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634B_FP001ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634FP
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 8.1A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634NLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 8A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 435mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634NPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 8A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 435mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634NSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634NSD2Pak Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634NSPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 8A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 435mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF634PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 8.1 A, 0.45 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 8.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 6280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
50+49.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 250V 8.1A N-CH MOSFET
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634PBFMOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; Idm: 32A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+129.45 грн
10+79.57 грн
50+60.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634SInternational RectifierD2Pak (TO-263) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634SVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF634STRRPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 8.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634STRLIOR1998
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634STRLPBFVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 250V 8.1 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 250V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; Idm: 32A; 74W
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 74W
Gate charge: 41nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK; TO263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 8.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 250V 8.1 Amp
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634STRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; Idm: 32A; 74W
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 74W
Gate charge: 41nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; TO263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 8.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF634STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF636N/A09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640
Код товару: 192240
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,18 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1600/57
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+27.00 грн
10+25.60 грн
100+23.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640MOSFET 200V 18A (72A pulse), N Channel TO-220
на замовлення 66 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
6+128.13 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SLKORTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640 SLKOR TIRF640n SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640
Код товару: 7926
Додати до обраних Обраний товар
PhilipsТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,18 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/70
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+27.00 грн
10+23.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 200 Volt 18 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640GOODWORKDescription: 200V18A180m@10VTO-220-3L
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640STMСНЯТ С ПРОИЗВОДСТВА Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640AFAI
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640AFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 139, Тип монт. = вивідний, Rds = 180 мОм, Tексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640ACP001ON SemiconductorIRF640ACP001
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+119.95 грн
500+107.96 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640ACP001Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+87.86 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640ACP001ONSEMIDescription: ONSEMI - IRF640ACP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640BFairchild
на замовлення 10005 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640BONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640BTSTU_FP001onsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640B_FP001ONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640B_FP001onsemi / FairchildMOSFET 200V Single
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640B_FP001Fairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 20 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 139, Тип монт. = вивідний, Rds = 180 мОм, Tексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640B_FP001_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640B_FP01F080onsemi / Fairchildonsemi N-CH/200V/18A/0.18OHM/Substitute of IRF640 & IRF640A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640FPSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640FPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640FPorSTF40NF20ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640L
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 18A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640LPBFТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NJSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N JSMICRO TIRF640n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 150, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1160 @ 25, Qg, нКл = 67 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 11 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NInternational RectifierN-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NHXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 145mOhm; 18A; 125W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N HXY MOSFET TIRF640n HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NIRF640N Транзисторы
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NInternational RectifierN-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N
Код товару: 30510
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 18 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,15 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
на замовлення: 12 шт
  • 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NInfineonN-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N-005(94-2065)
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640N-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF640; IRF640-BE3; IRF640N; SP001570078; IRF640N-ML MOSLEADER TIRF640n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10495 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NL
Код товару: 143762
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NLInternational RectifierN-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+40.07 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF640NLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+118.78 грн
500+106.90 грн
1000+98.59 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+118.78 грн
500+106.90 грн
1000+98.59 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+144.36 грн
256+55.29 грн
258+54.74 грн
500+52.25 грн
1000+42.40 грн
4000+36.62 грн
10000+36.25 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 25022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.65 грн
10+96.83 грн
50+73.21 грн
100+61.56 грн
500+49.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+42.05 грн
4000+39.80 грн
10000+39.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
на замовлення 35944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]