Продукція > FDM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 34 35 36 37 38 39 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMS8D8N15ConsemiMOSFETs FET ENGR DEV-NOT REL
на замовлення 3276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+355.18 грн
10+231.82 грн
100+142.21 грн
500+122.88 грн
1000+118.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8D8N15CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 12.2A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408ON SemiconductorFDMS9408
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+99.88 грн
500+89.90 грн
1000+82.90 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
342+58.25 грн
Мінімальне замовлення: 342 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V 80A Power56 N-Chnl PowerTrench
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 80A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 80A 8-Pin PQFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408-F085-DON SemiconductorFDMS9408-F085-D
на замовлення 21705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
353+100.43 грн
500+90.39 грн
1000+83.36 грн
10000+71.66 грн
Мінімальне замовлення: 353 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 80A 8-Pin PQFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V 80A NChnl Logic Level Power Trench
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 80A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408L_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A 8PQFN
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A 8PQFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9408_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A 8PQFN
на замовлення 300036000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9409-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V 65A N-Chnl Power Trench MOSFET
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9409L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9409_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 65A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9409_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 65A
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9409_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 65A
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9410-F085ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 50A 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9410-F085ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 50A 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9410-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET NMOS PWR56 40V 4.4 MOHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9410-F085ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 50A 8PQFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9410L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PQFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9410L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40/20V 550A NChnl LL Power Trench MOSFET
на замовлення 7498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9410L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PQFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9411-F085ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9411-F085ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 8PQFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9411-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40/20V 740A N-Ch Power Trench MOSFET
на замовлення 5952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9411-F085ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9411L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V NChnl LogicLevel Power Trench MOSFET
на замовлення 14340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9600Sonsemi / FairchildMOSFET 30V PowerTrench
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.85 грн
10+153.22 грн
100+105.62 грн
250+101.48 грн
500+89.05 грн
1000+75.94 грн
3000+73.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9600SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS9600S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.0085 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.20 грн
10+155.44 грн
100+119.20 грн
500+93.48 грн
1000+79.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9600SFairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9600SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A 8MLP PWR56
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1705pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9600SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS9600S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.0085 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+119.20 грн
500+93.48 грн
1000+79.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9600SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A/16A 8-Pin MLP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.5A/10A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+49.97 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9620SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP PWR56
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9620SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP PWR56
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9620S
Код товару: 57035
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.5A/10A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9620SON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 4002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9620SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP PWR56
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT1D3N08BONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 103A; Idm: 864A; 178W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 103A
Pulsed drain current: 864A
Power dissipation: 178W
Case: PQFN8
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT1D3N08Bonsemi / FairchildMOSFETs MV7 80V N chDualCool PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT1D3N08BonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 164A 8DL COOL88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19600 pF @ 40 V
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+504.81 грн
10+329.74 грн
100+241.43 грн
500+199.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT1D3N08BonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 164A 8DL COOL88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19600 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+522.40 грн
32+443.11 грн
100+393.39 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT800100DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 2300 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+468.74 грн
5+418.81 грн
10+368.87 грн
50+314.85 грн
100+259.57 грн
250+254.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DCOn SemiconductorMOSFET N-CH 100V 24A/162A 8DUAL Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+522.40 грн
10+448.59 грн
25+443.11 грн
100+393.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 24A/162A 8DUAL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7835 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 162A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+481.51 грн
10+354.94 грн
100+328.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+522.11 грн
100+496.12 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 102A; Idm: 989A; 156W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 102A
Pulsed drain current: 989A
Power dissipation: 156W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DCONN
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DConsemi / FairchildMOSFETs N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET 100 V, 162 A, 2.95 mO
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+463.91 грн
10+359.63 грн
100+278.90 грн
1000+269.23 грн
3000+260.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT800100DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 2300 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+259.57 грн
250+254.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 24A/162A 8DUAL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7835 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 162A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC-22897onsemiDescription: FET 100V 2.95 MOHM PQFN88
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 162A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7835 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800100DC-22897onsemiMOSFET FET 100V 2.95 MOHM PQFN88
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT800120DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 128 A, 3450 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3450µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+347.93 грн
50+305.88 грн
100+266.47 грн
250+260.95 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 81A; Idm: 767A; 156W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 767A
Power dissipation: 156W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 107nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DConsemiDescription: MOSFET N-CH 120V 20A 8DLCOOL88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.14mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+526.56 грн
10+344.24 грн
100+264.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT800120DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 128 A, 3450 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3450µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+430.89 грн
5+389.81 грн
10+347.93 грн
50+305.88 грн
100+266.47 грн
250+260.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 20A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DConsemi / FairchildMOSFETs 120V NChnl Dual Cool PowerTrench MOSFET
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+402.70 грн
10+296.92 грн
100+247.83 грн
1000+215.39 грн
3000+206.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DConsemiDescription: MOSFET N-CH 120V 20A 8DLCOOL88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.14mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+224.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DCON Semiconductor
на замовлення 25990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 20A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DConsemiMOSFETs 120V NChnl Dual Cool PowerTrench MOSFET
на замовлення 2188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+603.24 грн
10+404.88 грн
100+258.88 грн
500+255.43 грн
1000+238.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DC-22897onsemiMOSFET FET 120V 4.2 MOHM PQFN88
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800120DC-22897onsemiDescription: FET 120V 4.2 MOHM PQFN88
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 128A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800150DConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 15A/99A 8DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8205 pF @ 75 V
на замовлення 33483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+629.07 грн
10+414.24 грн
100+307.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800150DCONN
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800150DConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 15A/99A 8DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8205 pF @ 75 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+260.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800150DConsemiMOSFETs N-Channel Dual CoolTM 88 PowerTrench MOSFET 150 V, 99 A, 6.5 mOhm
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+616.13 грн
10+429.50 грн
100+287.18 грн
500+286.49 грн
1000+271.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800150DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 62A; Idm: 561A; 156W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 561A
Power dissipation: 156W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800150DC-22897onsemiDescription: FET 150V 6.5 MOHMS PQFN88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8205 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800150DC-22897onsemiMOSFET FET 150V 6.5 MOHMS PQFN88
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800150DC-22897onsemiDescription: FET 150V 6.5 MOHMS PQFN88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8205 pF @ 75 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800152DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; Idm: 413A; 113W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 413A
Power dissipation: 113W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800152DConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 8 DUAL COOL88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 75 V
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+520.34 грн
10+339.61 грн
100+247.98 грн
500+201.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800152DConsemi / FairchildMOSFETs N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET 150 V, 72 A, 9.0 mO
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+488.88 грн
10+331.05 грн
100+227.12 грн
1000+200.20 грн
3000+193.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800152DConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 8 DUAL COOL88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT800152DConsemiMOSFETs N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET 150 V, 72 A, 9.0 mO
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+552.50 грн
10+369.16 грн
100+228.50 грн
500+214.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 265A; Idm: 2644A; 156W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 265A
Pulsed drain current: 2644A
Power dissipation: 156W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 338nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DCONN
на замовлення 895 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DConsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 420A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.56mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 338 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26110 pF @ 20 V
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.15 грн
10+367.28 грн
100+296.73 грн
500+269.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DConsemi / FairchildMOSFETs 40 V N-Channel Dual CoolTM 88 PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT80040DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 420 A, 440 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Dual Cool PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+337.58 грн
250+334.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+364.77 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+452.84 грн
10+410.04 грн
25+405.88 грн
100+351.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT80040DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 420 A, 440 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Dual Cool PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+405.92 грн
5+402.70 грн
10+399.48 грн
50+368.70 грн
100+337.58 грн
250+334.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DConsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 420A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26110 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 338 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.56mOhm @ 64A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 34 35 36 37 38 39 40  [ Наступна Сторінка >> ]