Продукція > BSZ
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSZ065N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ065N06LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ065N06LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 46W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 11272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ065N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 14900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ067N06LS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 1753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ067N06LS3G | Infineon technologies | на замовлення 650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BSZ067N06LS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ067N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 6700 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 30390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 14A/79A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V | на замовлення 9779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 8040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 10001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 14A/79A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ067N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ068N06NS | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ068N06NS | Infineon | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BSZ068N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ068N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ068N06NSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ068N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 6800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ068N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ068N06NSATMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ068N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ068N06NSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ068N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 6800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ068N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V | на замовлення 2848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ068N06NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | на замовлення 6798 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ068N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ068N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 30990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0702LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0702LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0702LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | на замовлення 20117 шт: термін постачання 322-331 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0702LSATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0702LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0703LSATMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0703LSATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0703LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0703LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS | на замовлення 3960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0704LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 11A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0704LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | на замовлення 44915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0704LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 11A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ070N08LS5 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ070N08LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ070N08LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 74A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ070N08LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ070N08LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ070N08LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7000 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 69W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm | на замовлення 4457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ070N08LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ070N08LS5ATMA1 | Infineon | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BSZ070N08LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ070N08LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH 40<-<100V | на замовлення 13225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ070N08LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ070N08LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 74A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V | на замовлення 19205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ070N08LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ070N08LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 7000 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 74A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 69W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 69W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0059ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm | на замовлення 4457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ070N08LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ070N08LS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 69W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 40A Power dissipation: 69W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 7.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14.1nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ075N08NS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ075N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 7500 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 11868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ075N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8 | на замовлення 61176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ075N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V | на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ075N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 On-state resistance: 7.5mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 40A Power dissipation: 69W Drain-source voltage: 80V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Case: PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ075N08NS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ075N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 7500 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 11868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ075N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V | на замовлення 57871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ076N06NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ076N06NS3G | Infineon Technologies | Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ076N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0803LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0803LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 9A/40A TSDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0803LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | на замовлення 4953 шт: термін постачання 301-310 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0803LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 9A/40A TSDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0803LSATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0124 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ0804LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V | на замовлення 4884 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0804LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ0804LSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ084N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ 5 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 63W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: 40A Drain-source voltage: 80V On-state resistance: 8.4mΩ Gate-source voltage: ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ084N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 31µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 40 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ084N08NS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ084N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0084 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 127438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ084N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 40A TSDSON-8 | на замовлення 10762 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ084N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 31µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 40 V | на замовлення 5455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ084N08NS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ084N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0084 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 127438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3E G | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3EG | Infineon technologies | на замовлення 409 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 165 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3EGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ086P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 32831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 9410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3EGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ086P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 32831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3EGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -40A Power dissipation: 69W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 8.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V | на замовлення 4688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ P3 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 52W Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: -40A Drain-source voltage: -30V On-state resistance: 8.6mΩ Gate-source voltage: ±25V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSZ086P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ086P03NS3GXT | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 | на замовлення 977 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSZ088N03LS G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | на замовлення 4935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |