Продукція > C3M

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1682.04 грн
10+1514.49 грн
25+1479.69 грн
50+1392.21 грн
100+1146.89 грн
500+1017.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; D2PAK-7; 14ns
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
Mounting: SMD
Power dissipation: 113.5W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 9nC
Reverse recovery time: 14ns
On-state resistance: 65mΩ
Drain current: 35A
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100JWolfspeedSiC MOSFETs 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1699.31 грн
10+1182.07 грн
100+963.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100J-TRWolfspeedMOSFET 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KMACOMMOSFET 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 3289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1957.46 грн
10+1775.48 грн
25+1592.56 грн
50+1393.84 грн
100+1121.38 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KCREE1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1952.56 грн
10+1771.71 грн
25+1589.54 грн
50+1391.48 грн
100+1119.27 грн
1000+1063.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1952.56 грн
10+1771.71 грн
25+1589.54 грн
50+1391.48 грн
100+1119.27 грн
1000+1063.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1952.56 грн
10+1771.71 грн
25+1589.54 грн
50+1391.48 грн
100+1119.27 грн
1000+1063.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1329.49 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100K
Код товару: 126113
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedSiC MOSFETs 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1936.79 грн
10+1753.83 грн
30+1570.87 грн
60+1372.20 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1736.15 грн
30+1064.45 грн
120+984.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065100K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 113.5W
SVHC: No SVHC (20-Jun-2016)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2365.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1957.46 грн
10+1775.48 грн
25+1592.56 грн
50+1393.84 грн
100+1121.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+852.45 грн
24+613.10 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedSiC MOSFETs 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+859.41 грн
10+618.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 113.6W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.105Ω
Pulsed drain current: 80A
Gate charge: 54nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 19.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 113.6W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+855.72 грн
22+644.14 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+442.41 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+694.63 грн
10+477.67 грн
25+459.19 грн
100+441.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+862.70 грн
10+649.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+801.38 грн
10+703.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+794.89 грн
21+697.46 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D-AWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75m, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+363.68 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120D-AWolfspeed, Inc.Description: 75M 1200V 175C SIC FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+652.13 грн
30+367.45 грн
60+336.45 грн
120+291.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1129.31 грн
100+1077.36 грн
250+1066.51 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 113.6W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1602.93 грн
11+1338.92 грн
12+1272.92 грн
50+723.74 грн
100+668.45 грн
200+640.09 грн
1000+573.82 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JMACOMMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
на замовлення 3558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+574.32 грн
2000+568.57 грн
3000+562.82 грн
5000+537.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+638.03 грн
10+420.04 грн
50+336.89 грн
100+291.09 грн
500+247.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+574.32 грн
2000+568.57 грн
3000+562.82 грн
5000+537.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1129.31 грн
100+1077.36 грн
250+1066.51 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JCREEMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Power dissipation: 113.6W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Technology: C3M™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Reverse recovery time: 18ns
Mounting: SMD
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1212.95 грн
5+997.15 грн
10+925.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J-TRWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+638.03 грн
10+420.04 грн
50+336.89 грн
100+292.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TRWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TRWolfspeed, Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 30A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+599.50 грн
25+590.16 грн
50+559.99 грн
100+510.18 грн
250+481.69 грн
500+473.61 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TRWolfspeed, Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 30A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1066.77 грн
10+713.27 грн
25+631.48 грн
100+505.80 грн
250+496.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120J2-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+608.92 грн
10+599.50 грн
25+590.16 грн
50+559.99 грн
100+510.18 грн
250+481.69 грн
500+473.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+799.58 грн
50+769.20 грн
100+710.54 грн
200+602.11 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+721.32 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+473.34 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+937.62 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+901.08 грн
2+748.19 грн
10+742.53 грн
25+658.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedSiC MOSFETs SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KCREEMOSFET N-CH 1200V 30A TO247-4 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1843.46 грн
10+1767.69 грн
25+1661.43 грн
60+1485.36 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+473.34 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+656.84 грн
30+371.43 грн
60+340.31 грн
120+294.78 грн
510+255.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120K - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30.8A, 1.2kV, 0.075 Ohm, 15V, 2.5V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 119W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 4224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+937.62 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 214200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+583.28 грн
4500+577.43 грн
9000+571.68 грн
18000+545.72 грн
45000+500.24 грн
99000+475.46 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+721.32 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KMACOMMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 214200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+583.28 грн
4500+577.43 грн
9000+571.68 грн
18000+545.72 грн
45000+500.24 грн
99000+475.46 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+748.19 грн
20+742.53 грн
25+682.75 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K Wolfspeed
Код товару: 222345
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+810.89 грн
50+781.02 грн
100+721.49 грн
200+628.78 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeed, Inc.Description: 75M 1200V 175C SIC FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+653.70 грн
30+368.33 грн
120+311.12 грн
510+252.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+920.84 грн
10+912.92 грн
25+777.04 грн
100+728.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75m, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+912.92 грн
25+777.04 грн
100+728.02 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K-AMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial, G3
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K1WolfspeedSiC MOSFETs SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+546.88 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K1Wolfspeed, Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 32A TO247-4L
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 17.9A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 1000 V
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+653.70 грн
30+368.33 грн
120+311.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0075120K1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+546.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+715.85 грн
10+638.81 грн
25+575.64 грн
50+550.35 грн
100+411.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DCREEN-Channel 650V 120M SIC MOSFET Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+332.66 грн
45+318.79 грн
47+305.78 грн
50+293.77 грн
100+247.60 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+638.81 грн
10+478.16 грн
30+438.15 грн
120+377.63 грн
270+363.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+332.66 грн
10+318.79 грн
25+305.78 грн
50+293.77 грн
100+247.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+715.85 грн
23+638.81 грн
25+575.64 грн
50+550.35 грн
100+411.76 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
C3M0120065D
Код товару: 178862
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.