Продукція > FDP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDP100N10onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+289.14 грн
10+156.40 грн
100+124.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP100N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP100N10Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+143.72 грн
Мінімальне замовлення: 139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP100N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP100N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.45 грн
50+147.57 грн
100+134.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP10AN06A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
на замовлення 5110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+103.26 грн
Мінімальне замовлення: 211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP10AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP10AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+121.62 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP10N60NZFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
на замовлення 10506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+75.18 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120AN15A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+94.40 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120AN15A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP120AN15A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+83.76 грн
Мінімальне замовлення: 369 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120AN15A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 74A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.68 грн
50+104.34 грн
100+94.25 грн
500+71.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+167.74 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120N10ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 74A; Idm: 296A; 170W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120N10onsemiMOSFETs N Chan 100V 12Mohm
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.73 грн
10+113.53 грн
100+88.36 грн
500+71.80 грн
1000+70.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP120N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+147.66 грн
500+132.30 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP12N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.55 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 165
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 165
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50onsemi / FairchildMOSFETs 500V N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+82.32 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDP12N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.46 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.83 грн
10+151.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N50NZonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Chan MOSFET UniFET-II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N60NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1676 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP12N60NZonsemi / FairchildMOSFET The factory is currently not accepting orders for this product.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP13AN06A0
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP13AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP13AN06A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 23918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+83.76 грн
Мінімальне замовлення: 369 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP13AN06A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+72.86 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP13AN06A0_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP13AN06A0 
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP14AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 67A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 14481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+201.95 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP14AN06LA0
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP14AN06LA0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 67A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10onsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 228A; 110W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+258.14 грн
100+255.63 грн
250+253.13 грн
500+241.67 грн
1000+221.53 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10Aonsemionsemi FET 100V 15.0 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP150N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 91W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+255.31 грн
10+165.91 грн
100+121.62 грн
500+94.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102ON Semiconductor
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102onsemiMOSFETs N-Channel PwrTrench 100V 50A 15mOhm
на замовлення 23321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.39 грн
10+143.69 грн
100+103.55 грн
500+83.53 грн
1000+79.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+124.95 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 50 V
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.79 грн
50+106.00 грн
100+95.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102
Код товару: 150159
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 91W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 91W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP150N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+116.67 грн
500+105.00 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N40ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP15N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 15 A, 0.24 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 170
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 170
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N40onsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP15N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+190.07 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+227.98 грн
500+216.17 грн
1000+204.36 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N50onsemi / FairchildMOSFETs 15a 500V N-Ch SMPS Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 4753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+169.77 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+227.98 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+227.98 грн
500+216.17 грн
1000+204.36 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N50F102Fairchild SemiconductorDescription: 15A, 500V, 0.38OHM, N CHANNEL ,
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N65onsemi / FairchildMOSFETs SINGLE N-CH 500V .38OHM SMPS PWR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP15N65onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.18 грн
50+85.27 грн
100+76.73 грн
500+57.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.71 грн
14+54.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+97.33 грн
500+93.18 грн
1000+88.01 грн
Мінімальне замовлення: 365 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0onsemi / FairchildMOSFETs 75V 58a 0.016 Ohms/VGS=10V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+76.71 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP16AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+78.04 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16AN08A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+97.33 грн
500+93.18 грн
1000+88.01 грн
Мінімальне замовлення: 365 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP16N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945 pF @ 25 V
на замовлення 14108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+126.99 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N20FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N20Fonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.64 грн
10+111.94 грн
100+75.25 грн
500+62.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N20FonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N20FONSEMIDescription: ONSEMI - FDP18N20F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.12 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 100
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N20FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.84 грн
10+82.80 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+124.46 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+112.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 954 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+246.09 грн
3+209.40 грн
10+172.84 грн
50+124.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+112.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50onsemiMOSFETs 500V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.03 грн
10+137.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 6492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.50 грн
50+128.29 грн
100+116.29 грн
500+89.38 грн
1000+83.03 грн
2000+79.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+157.11 грн
500+148.84 грн
1000+140.57 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP18N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.265 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+313.30 грн
10+203.77 грн
100+159.47 грн
500+124.15 грн
1000+106.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP19N40onsemi / FairchildMOSFETs UniFET, 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP19N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP19N40ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP19N40 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP19N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.92 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP1XSZAM63R262XCONECD-Sub Standard Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20AN06A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 45A TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N40onsemi / FairchildMOSFETs 20a 400V N-Ch SMPS Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FDP20N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.23 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+315.72 грн
10+251.28 грн
100+192.49 грн
500+127.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP20N50onsemi / FairchildMOSFETs 500V NCH UNIFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14  [ Наступна Сторінка >> ]