Продукція > MSC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22 24  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MSC025SMB120SDT/RMMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-263-7 XL Mini Reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC027SMA330D/TMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 3300 V 27 mOhm DIE TAPE & REEL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA070BMicrochip TechnologyZero Recovery Silicon Carbide Schottky Dual Diode
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+666.35 грн
30+608.45 грн
120+537.92 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA070BMicrochip TechnologyZero Recovery Silicon Carbide Schottky Dual Diode
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+666.35 грн
30+608.45 грн
120+537.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA070BMicrosemiMSC030SDA070B
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+669.46 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA070BMicrochip TechnologyDescription: DIODE SIL CARBIDE 700V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 700 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+526.72 грн
25+467.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA070BMicrochip TechnologySchottky Diodes & Rectifiers FG, SIC SBD, TO-247
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA070BMicrochip TechnologyZero Recovery Silicon Carbide Schottky Dual Diode
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+873.80 грн
60+814.19 грн
120+769.02 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA070BCTMicrochip TechnologyZero Recovery Silicon Carbide Schottky Dual Diode
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1239.91 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA070BCTMicrochip TechnologyDescription: SIC SBD 700 V 30 A TO-247
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA070BCTMicrochip TechnologySchottky Diodes & Rectifiers SIC SBD 700 V 30 A TO-247
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA070BCTMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC030SDA070BCT - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 700 V, 30 A, 83 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 83nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 700V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+499.09 грн
25+489.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA070BCTMicrochip TechnologyZero Recovery Silicon Carbide Schottky Dual Diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1596.55 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA070BCTMicrochip TechnologyZero Recovery Silicon Carbide Schottky Dual Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA070KMicrosemiMSC030SDA070K
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+636.46 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA070KMicrochip TechnologyDescription: DIODE SIL CARB 700V 30A TO220-2
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 30A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+499.29 грн
25+442.94 грн
100+399.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA070KMicrochip TechnologySchottky Diodes & Rectifiers 700 V, 20 A SiC SBD
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA070SMicrosemiMSC030SDA070S
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+702.46 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA070SMicrochip TechnologyDescription: DIODE SIL CARBIDE 700V 60A D3PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D3Pak
Current - Average Rectified (Io): 60A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+594.92 грн
25+529.38 грн
100+444.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA070SMicrochip TechnologySchottky Diodes & Rectifiers 700V, 30A SiC SBD
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA120BMicrochip TechnologyRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 65A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+937.90 грн
25+841.07 грн
100+840.69 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA120BMicrochip TechnologyRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 65A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+939.79 грн
10+928.29 грн
25+860.96 грн
50+737.56 грн
100+663.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA120BMicrochip TechnologyRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 65A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA120BMicrochip TechnologyRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 65A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1114.55 грн
60+979.90 грн
120+934.69 грн
270+879.21 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA120BMicrochip TechnologyRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 65A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA120BMicrochip TechnologyRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 65A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+811.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA120BMicrochip TechnologyRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 65A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1027.76 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA120BMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC030SDA120B - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 30 A, 130 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 130nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+750.26 грн
25+735.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA120BMicrochipDiode 1200 V 30A Through Hole TO-247 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA120BMicrochip TechnologyDescription: DIODE SIL CARB 1200V 30A TO247
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io): 30A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+718.76 грн
25+638.22 грн
100+562.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA120BMicrochip TechnologySiC Schottky Diodes 1200 V, 30 A SiC SBD
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA120BMicrochip TechnologyRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 65A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+928.29 грн
25+860.96 грн
50+737.56 грн
100+663.73 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA120BCTMicrochip TechnologyMSC030SDA120BCT
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2467.14 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA120BCTMicrochip TechnologyMSC030SDA120BCT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA120BCTMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC030SDA120BCT - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 30 A, 130 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 130nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1429.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA120BCTMicrochip TechnologyDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 141pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 65A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1508.84 грн
25+1340.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA120BCTMicrochip TechnologySiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 30 A TO-247
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA120BCTMicrochip TechnologyMSC030SDA120BCT
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1914.09 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA120BCTMicrochip TechnologyMSC030SDA120BCT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA120KMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC030SDA120K - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 30 A, 130 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 130nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+725.87 грн
25+639.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA120KMicrochip TechnologyDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO220
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 70A
Capacitance @ Vr, F: 141pF @ 400V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+766.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA120KMicrochip TechnologySiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 30 A TO-220
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA120KMicrochip TechnologyRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 70A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA120KMicrochip TechnologyRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 70A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+805.43 грн
10+782.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA120KMicrosemiRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 70A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+971.19 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA120KMicrochip TechnologyRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 70A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+805.43 грн
19+782.14 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA120SMicrochip Technology / AtmelSchottky Diodes & Rectifiers FG, SIC SBD, TO-268
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA120SMicrochip TechnologyDescription: UNRLS, FG, GEN2, SIC SBD, TO-268
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+978.20 грн
25+868.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA120SMicrochip TechnologySiC Schottky Diodes SIC SBD 1200 V 30 A TO-268
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA170BMicrochip TechnologyDescription: DIODE SIL CARB 1.7KV 82A TO247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io): 82A
Capacitance @ Vr, F: 2070pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA170BMicrosemiSchottky Barrier Diodes
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2253.53 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA170BMicrochip TechnologySchottky Barrier Diodes
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA170BMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC030SDA170B - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.7 kV, 30 A, 230 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 230nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.7kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1914.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA170BMicrochip TechnologySiC Schottky Diodes SIC SBD 1700 V 30 A TO-247
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA170BMicrochip TechnologySchottky Barrier Diodes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2991.76 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA330BMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC030SDA330B - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 3.3 kV, 62 A, 274 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 274nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 62A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 3.3kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8998.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA330BMicrochip TechnologySiC Schottky Diodes SIC SBD 3300 V 30 A TO-247
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SDA330BMicrochip TechnologyDescription: DIODE SIL CARB 3300V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8573.36 грн
25+7613.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SMB120B4NMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 30 mOhm TO-247-4 Notch
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SMB120B4NMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1200 V 30 MOHM TO-247
Packaging: Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+790.09 грн
25+701.47 грн
100+610.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SMB120B4NMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC030SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 69 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+818.53 грн
25+786.83 грн
100+754.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SMB120D/SMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1200 V 30 MOHM DIE
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC030SMB120D/SMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 30 mOhm DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070BMicrosemiTrans MOSFET SiC 700V 73A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1419.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070BMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-247
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070BMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 700V TO247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 30A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +25V, -10V
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+707.78 грн
25+628.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070B4Microchip Technology700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1344.58 грн
30+1176.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070B4Microchip TechnologyDescription: TRANS SJT N-CH 700V 77A TO247-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 30A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+766.57 грн
25+680.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070B4Microchip Technology700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1344.58 грн
30+1176.74 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070B4MICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC035SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 700 V, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1036.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070B4Microchip Technology700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1712.04 грн
30+1504.85 грн
60+1456.79 грн
120+1326.91 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070B4Microchip Technology700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070B4Microchip TechnologySiC MOSFETs FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070B4Microchip Technology700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1452.07 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070B4NMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-247-4 Notch
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070B4NMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 35 MOHM TO-247-
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+587.08 грн
25+521.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070D/TMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 35 mOhm DIE TAPE & REEL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070D/TMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 35 MOHM DIE TAP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070JMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 35 MOHM SOT-227
Packaging: Box
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®)
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070JMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 35 mOhm SOT-227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070SMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-268
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070SMicrochip Technology700V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1938.26 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070SMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 700V D3PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D3Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 206W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 30A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+597.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070SMicrosemiMSC035SMA070S
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1503.93 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070SCT/RMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 35 MOHM PSMT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070SCT/RMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 35 mOhm PSMT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070SCT/RMMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 35 mOhm PSMT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070SCT/RMMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 35 MOHM PSMT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070SDT/RMicrochip Technology MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-263-7 XL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070SDT/RMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 35 MOHM TO-263-
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070SDT/RMMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 35 MOHM TO-263-
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA070SDT/RMMicrochip Technology MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-263-7L-XL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA170BMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC035SMA170B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.7 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.25V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2851.46 грн
25+2740.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA170BMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA170BMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1700 V 45 MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -60°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.25V @ 2.5mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 1000 V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3031.80 грн
25+2692.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA170B4Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4760.64 грн
4+4678.46 грн
5+4066.47 грн
10+3776.69 грн
20+3473.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA170B4Microchip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-247-
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.25V @ 2.5mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 1000 V
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2819.38 грн
25+2503.44 грн
100+2178.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA170B4Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4169.64 грн
10+4168.69 грн
25+3844.04 грн
100+3556.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA170B4Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4169.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC035SMA170B4MICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC035SMA170B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.7 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.25V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2945.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22 24  [ Наступна Сторінка >> ]