Продукція > NXH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NXH600B100H4Q2F2PGonsemiIGBT Modules MASS MARKET GEN3 Q2BOOST WITH PRESS-FIT PIN
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600B100H4Q2F2S1GonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 173A 422W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 173 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 422 W
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12687.7 pF @ 20 V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11927.31 грн
10+10569.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600B100H4Q2F2S1GonsemiIGBT Modules FLYING CAP 3CHANNEL Q2BOOST WITH IN-HOUSE DIE
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600B100H4Q2F2SGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 192A 511W 44-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 192 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 511 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.256 nF @ 20 V
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11823.06 грн
36+10462.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600B100H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules MASS MARKET GEN3 Q2BOOST
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N100L4F5PGonsemiDescription: IGBT MOD 1KV 339A 745W 52-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 52-PIM (112x62)
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 339 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 745 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38976.2 pF @ 20 V
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13034.05 грн
24+11722.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N100L4F5PGonsemiIGBT Modules 15709 F5 INVENTER WITH BASEPLATE
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N105H7F5P1HGonsemiIGBT Modules F5+BP-PIM 250KW SOLAR 1500VDC INPC INVERTER WITH HPS DBC - AGILE#N07L0
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N105H7F5S1HGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH600N105H7F5S1HG - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 429 A, 1.6 V, 1.08 kW, 150 °C, PIM
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.08kW
Bauform - Transistor: PIM
Dauerkollektorstrom: 429A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.05kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24673.90 грн
5+21589.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N105H7F5S1HGonsemiIGBT Modules F5+BP-PIM 250KW SOLAR 1500VDC INPC INVERTER WITH HPS DBC - AGILE#N07L0
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N105L7F5P1HGonsemiIGBT Modules F5+BP-PIM 250KW ESS 1500VDC INPC INVERTER WITH HPS DBC- AGILE#N07L0
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N105L7F5P2HGonsemiIGBT Modules 320KW SOLAR F5BP-INPC WITH 15709 PIN-OUT & 1050V FS7 IGBT & HPS DBC- AGILE#N07L0
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N105L7F5S1HGonsemiIGBT Modules F5+BP-PIM 250KW ESS 1500VDC INPC INVERTER WITH HPS DBC- AGILE#N07L0
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N105L7F5S1HGonsemiDescription: IGBT MODULE 1.05KV 429A 1.08KW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 429 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1050 V
Power - Max: 1080 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 48597 pF @ 20 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12280.02 грн
24+10927.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N65L4Q2F2SGONSEMICategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 600A; PIM41; SiC
Technology: SiC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 600A
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Application: for UPS; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Case: PIM41
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N65L4Q2F2SGonsemiDescription: IGBT MOD 650V 483A 931W 41-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 41-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 483 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 931 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37.1 nF @ 20 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9295.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N65L4Q2F2SGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), I-Type NPC 650 V, 600 A IGBT, 650 V, 300 A Diode Solder pins
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH75M65L4Q1PTGonsemiDescription: IGBT MODULE 650V 59A 86W 53-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.665 nF @ 30 V
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4357.23 грн
21+3179.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH75M65L4Q1PTGonsemiIGBT Modules 6KW H6.5 75A Q1PACK PRESS-FIT PIN WITH TCP7000
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH75M65L4Q1SGonsemiIGBT Modules Q1PACK 75A 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH75M65L4Q1SGonsemiDescription: IGBT MODULE 650V 59A 86W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.665 nF @ 30 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4505.37 грн
21+3310.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800A100L4Q2F2P1GonsemiIGBT Modules MASS MARKET GEN3 Q2PACK POSITIVE WITH PRESS-FIT PIN
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800A100L4Q2F2P2GonsemiIGBT Modules MASS MARKET GEN3 Q2PACK NEGATIVE WITH PRESS-FIT PIN
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800A100L4Q2F2S1GonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 309A 714W 51-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 51-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 309 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 714 W
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 49.7 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9477.10 грн
36+8069.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800A100L4Q2F2S1Gonsemionsemi MASS MARKET GEN3 Q2PACK POSITIVE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800A100L4Q2F2S2Gonsemionsemi MASS MARKET GEN3 Q2PACK NEGATIVE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800A100L4Q2F2S2GonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 309A 714W 51-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 51-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 309 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 714 W
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 49.7 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9477.10 грн
36+8069.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800H120L7QDSGonsemiIGBT Modules 1200V 800A QDUAL3
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800H120L7QDSGonsemiDescription: 1200V 800A QDUAL3
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 94300 pF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: 11-PIM (152x62.15)
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 800A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13951.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120H2Q0SGonsemiDescription: PIM 1200V, 40A DUAL BOOST
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5268.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120H2Q0SGonsemiDescription: PIM 1200V, 40A DUAL BOOST
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120H2Q0SGON SemiconductorIGBT Modules PIM 1200V 40A DU BST SiC DIODE
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120H2Q0SGonsemiDescription: PIM 1200V, 40A DUAL BOOST
Packaging: Bulk
на замовлення 28543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+5869.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120H2Q0SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH80B120H2Q0SG - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 40 A, 2.2 V, 103 W, 150 °C, PIM
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Dauer-Kollektorstrom: 40
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2
Verlustleistung Pd: 103
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103
Bauform - Transistor: PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 22
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3713.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120H2Q0SNGonsemiDescription: PIM POWER MODULE
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.7 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Power - Max: 103 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Dual Boost Chopper
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120MNQ0SNGonsemiMOSFET Modules 50KW GENII 1200V 80MOHM SIC MOSFET
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120MNQ0SNGonsemiDescription: PIM POWER MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Power - Max: 69 W
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5077.55 грн
24+3733.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120MNQ0SNGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH80B120MNQ0SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, DualPack, Zweifach n-Kanal, 23 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: DualPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5288.37 грн
5+4951.85 грн
10+4615.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0P2GonsemiIGBT Modules PIM Q0 T-TYPE NPC 80A 1200V PRESS-FIT PINS
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0P2GonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 67A 158W 20-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19.4 nF @ 20 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+2972.91 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0P2TGonsemiDescription: IGBT MODULE 1200V 80A TNPC PIM20
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0PGON SemiconductorIGBT Modules 1200V 80AT-TYPE IGBT PWR INTEG MODULE
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S1GON SemiconductorIGBT Modules PIM 1200V 80A TNPC CUST T-TYPE MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S2GONSEMIDescription: ONSEMI - NXH80T120L2Q0S2G - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 67 A, 2.35 V, 158 mW, 150 °C, PIM
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35V
Dauer-Kollektorstrom: 67A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35V
Verlustleistung Pd: 158mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158mW
Bauform - Transistor: PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 67A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4810.42 грн
5+4185.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S2GonsemiDescription: PIM 1200V 80A TNPC STAND
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19400 pF @ 25 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4062.51 грн
24+3733.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S2GON Semiconductor
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S2GonsemiIGBT Modules PIM 1200V 80A TNPC STANDARD PINOUT
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S2TGonsemiIGBT Modules PIM Q0 T-TYPE NPC 80A 1200V SOLDER PINS TIM
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S2TGonsemiDescription: MODULE PIM 1200V 80A
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+5202.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S2TGonsemiDescription: MODULE PIM 1200V 80A
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0SGON SemiconductorIGBT Modules 80A 1200V PIM Q0PACK
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0SGonsemiDescription: IGBT MODULE 1200V 65A 146W PIM20
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: T-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 146 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.99 nF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L3Q0P3GonsemiIGBT Modules PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V 80A TNPC (PRESS-FIT PIN)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L3Q0P3GonsemiDescription: PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 188 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18150 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L3Q0S3GonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 75A 188W 20-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 188 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.15 nF @ 20 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4143.24 грн
24+2992.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L3Q0S3GONSEMIDescription: ONSEMI - NXH80T120L3Q0S3G - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 75 A, 1.7 V, 188 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötstift
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 188W
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3897.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L3Q0S3GonsemiIGBT Modules PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V 80A TNPC (SOLDER PIN)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L3Q0S3TGonsemiIGBT Modules PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V 80A TNPC (SOLDER PIN TIM)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXHP270C5C520
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4