Продукція > NXH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NXH50C120L2C2ES1GonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 50A 20MW 26-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.89 nF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50C120L2C2ESGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 50A 20MW 26-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.897 nF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50C120L2C2ESGonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 50A CIB
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50C120L2C2ESGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH50C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50M65L4C2ESGonsemiDescription: 650V 50A CONVERTER-INVERTER-PFCS
Packaging: Tube
Package / Case: 27-PowerDIP Module (1.858", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Single Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 27-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.608 nF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50M65L4C2SGonsemiDescription: IGBT MODULE 650V 50A 20MW 27-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 27-PowerDIP Module (1.858", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Single Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 27-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.877 nF @ 20 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5462.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50M65L4C2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH50M65L4C2SG - IGBT-Modul, 50 A, 1.6 V, 150 °C, DIP
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 50A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50M65L4C2SGonsemiIGBT Modules 650V 50A Converter-Inverter-PFCs Module 650V 50A Converter-Inverter-PFCs Module
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50M65L4Q1PTGonsemiIGBT Modules 6KW H6.5 50A Q1PACK PRESS-FIT PIN WITH TCP7000
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50M65L4Q1PTGonsemiDescription: IGBT MODULE 650V 48A 86W 53-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.137 nF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50M65L4Q1SGonsemiDescription: IGBT MODULE 650V 48A 86W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.137 nF @ 20 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50M65L4Q1SGonsemiIGBT Modules Q1PACK 50A 650V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50VB1000M12.5X35SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 1000uF; 50VDC; Ø12.5x35mm
Type of capacitor: electrolytic
Kind of capacitor: low ESR
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 50V DC
Body dimensions: Ø12.5x35mm
Terminal pitch: 5mm
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Impedance: 19mΩ
Operating temperature: -40...105°C
Height: 35mm
Diameter: 12.5mm
Manufacturer series: NXH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50VB100M8X11.5SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 100uF; 50VDC; Ø8x11.5mm
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 100µF
Operating voltage: 50V DC
Body dimensions: Ø8x11.5mm
Terminal pitch: 3.5mm
Tolerance: ±20%
Service life: 8000h
Operating temperature: -40...105°C
Height: 11.5mm
Diameter: 8mm
Impedance: 74mΩ
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.93 грн
63+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50VB220M10X16SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 220uF; 50VDC; Pitch: 5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 42mΩ
Dimensions: Ø10x16mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 220µF
Height: 16mm
Operating voltage: 50V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 10mm
Terminal pitch: 5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 10000h
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50VB470M10X20SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 470uF; 50VDC; Pitch: 5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 30mΩ
Dimensions: Ø10x20mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 470µF
Height: 20mm
Operating voltage: 50V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 10mm
Terminal pitch: 5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 10000h
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50VB47M6.3X11SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 47uF; 50VDC; Ø6.3x11mm; ±20%
Tolerance: ±20%
Manufacturer series: NXH
Mounting: THT
Terminal pitch: 2.5mm
Body dimensions: Ø6.3x11mm
Operating temperature: -40...105°C
Operating voltage: 50V DC
Impedance: 0.14Ω
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 47µF
Height: 11mm
Diameter: 6.3mm
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 6000h
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+451.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH5104ADBULNXP SemiconductorsEEPROM 4MB EEPROM demo board, SO8-footprint compatible
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH5104UK/A1ZNXP SemiconductorsEEPROM 4 Mbit Serial EEPROM
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH5104UK/A1ZNXP USA Inc.Description: IC EEPROM 4MBIT SPI 13WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1V ~ 2.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 10 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 13-WLCSP (2.8x2.74)
Part Status: Active
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+719.54 грн
10+644.28 грн
25+624.57 грн
50+572.17 грн
100+558.25 грн
250+540.06 грн
500+517.87 грн
1000+504.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH5104UK/A1ZNXPDescription: NXP - NXH5104UK/A1Z - EEPROM, 4 Mbit, Seriell SPI, 5 MHz, WLCSP, 13 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Schnittstelle: SPI
Betriebstemperatur, min.: -20
Versorgungsspannung, min.: 1
Taktfrequenz: 5
Speicherkonfiguration EEPROM: -
Speichergröße: 4
Anzahl der Pins: 13
Produktpalette: 4Mbit SPI Serial EEPROM
Speicherschnittstelle: Seriell SPI
Versorgungsspannung, max.: 2
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH5104UK/A1ZNXP USA Inc.Description: IC EEPROM 4MBIT SPI 13WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1V ~ 2.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 10 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 13-WLCSP (2.8x2.74)
Part Status: Active
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600A100H4F5SNGonsemiDescription: F5 1500V 600A ANPC IGBT SOLDER P
Packaging: Tray
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16009.41 грн
16+13879.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600A100H4F5SNGonsemiIGBT Modules F5 1500V 600A ANPC IGBT SOLDER PIN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600B100H4Q2F2PGonsemiIGBT Modules MASS MARKET GEN3 Q2BOOST WITH PRESS-FIT PIN
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600B100H4Q2F2PGonsemiDescription: IGBT MOD 1KV 192A 511W 44-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 192 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1 kV
Power - Max: 511 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13256 pF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+15484.08 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600B100H4Q2F2S1GonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 173A 422W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 173 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 422 W
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12687.7 pF @ 20 V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13715.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600B100H4Q2F2S1GonsemiIGBT Modules FLYING CAP 3CHANNEL Q2BOOST WITH IN-HOUSE DIE
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600B100H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules MASS MARKET GEN3 Q2BOOST
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600B100H4Q2F2SGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 192A 511W 44-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 192 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 511 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.256 nF @ 20 V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12591.20 грн
36+10610.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N100L4F5PGonsemiIGBT Modules 15709 F5 INVENTER WITH BASEPLATE
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N100L4F5PGonsemiDescription: IGBT MOD 1KV 339A 745W 52-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 52-PIM (112x62)
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 339 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 745 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38976.2 pF @ 20 V
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14347.73 грн
24+13077.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N105H7F5P1HGonsemiDescription: IGBT MODULE 1050V 429A 57-PIM
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18378.89 грн
24+17410.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N105H7F5P1HGonsemiIGBT Modules F5+BP-PIM 250KW SOLAR 1500VDC INPC INVERTER WITH HPS DBC - AGILE#N07L0
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N105H7F5P2HGonsemiDescription: IGBT SIC HYBRID
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N105H7F5S1HGonsemiIGBT Modules F5+BP-PIM 250KW SOLAR 1500VDC INPC INVERTER WITH HPS DBC - AGILE#N07L0
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N105H7F5S1HGonsemiDescription: IGBT MODULE 1050V 429A 57-PIM
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20612.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N105H7F5S1HGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH600N105H7F5S1HG - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 429 A, 1.6 V, 1.08 kW, 150 °C, PIM
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
IGBT-Anschluss: Lötstift
Verlustleistung: 1.08kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PIM
Dauerkollektorstrom: 429A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.05kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N105H7F5S2HGonsemiDescription: IGBT MODULE 1.05KV 429A 60-PIM
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15604.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N105L7F5P1HGonsemiDescription: INVERTER
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13764.57 грн
24+12461.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N105L7F5P1HGonsemiIGBT Modules F5+BP-PIM 250KW ESS 1500VDC INPC INVERTER WITH HPS DBC- AGILE#N07L0
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N105L7F5P2HGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH600N105L7F5P2HG - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 429 A, 1.6 V, 1.08 kW, 175 °C, PIM
tariffCode: 85414900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
IGBT-Anschluss: Lötstift
Verlustleistung: 1.08kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PIM
Dauerkollektorstrom: 429A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.05kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N105L7F5P2HGonsemiDescription: IGBT MODULE 1050V 429A 60-PIM
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12662.53 грн
10+11308.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N105L7F5P2HGonsemiIGBT Modules 320KW SOLAR F5BP-INPC WITH 15709 PIN-OUT & 1050V FS7 IGBT & HPS DBC- AGILE#N07L0
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N105L7F5S1HGonsemiIGBT Modules F5+BP-PIM 250KW ESS 1500VDC INPC INVERTER WITH HPS DBC- AGILE#N07L0
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N105L7F5S1HGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH600N105L7F5S1HG - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 429 A, 1.6 V, 1.08 kW, 150 °C, PIM
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
IGBT-Anschluss: Lötstift
Verlustleistung: 1.08kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PIM
Dauerkollektorstrom: 429A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.05kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N105L7F5S1HGonsemiDescription: IGBT MODULE 1.05KV 429A 1.08KW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 429 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1050 V
Power - Max: 1080 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 48597 pF @ 20 V
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12396.03 грн
24+11030.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N105L7F5S2HGonsemiDescription: IGBT MODULE 1050V 429A 60-PIM
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14845.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N105L7F5SHGonsemiDescription: IGBT MODULE 1050V 429A 58-PIM
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14845.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N65L4Q2F2PGonsemiDescription: IGBT MOD 650V 483A 931W 41-PIM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N65L4Q2F2PGonsemiIGBT Modules 150KW 1100V Q2PACK PRESS-FIT PIN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N65L4Q2F2SGonsemiDescription: IGBT MOD 650V 483A 931W 41-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 41-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 483 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 931 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37.1 nF @ 20 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9946.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N65L4Q2F2SGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), I-Type NPC 650 V, 600 A IGBT, 650 V, 300 A Diode Solder pins
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N65L4Q2F2SGONSEMICategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 600A; PIM41; SiC
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 600A
Case: PIM41
Application: for UPS; Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH63VB470M12.5X25SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 470uF; 63VDC; Pitch: 5mm
Type of capacitor: electrolytic
Kind of capacitor: low ESR
Mounting: THT
Capacitance: 470µF
Operating voltage: 63V DC
Terminal pitch: 5mm
Tolerance: ±20%
Impedance: 37mΩ
Operating temperature: -40...105°C
Height: 25mm
Diameter: 12.5mm
Service life: 10000h
Dimensions: Ø12.5x25mm
Manufacturer series: NXH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH75M65L4Q1PTGonsemiDescription: IGBT MODULE 650V 59A 86W 53-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.665 nF @ 30 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH75M65L4Q1PTGONSEMICategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 59A; PIM27; SiC
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 59A
Case: PIM27
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: Press-Fit
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 176A
Mechanical mounting: screw
Technology: SiC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH75M65L4Q1PTGonsemiIGBT Modules 6KW H6.5 75A Q1PACK PRESS-FIT PIN WITH TCP7000
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH75M65L4Q1SGonsemiDescription: IGBT MODULE 650V 59A 86W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.665 nF @ 30 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH75M65L4Q1SGonsemiIGBT Modules Q1PACK 75A 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800A100L4Q2F2P1GonsemiIGBT Modules MASS MARKET GEN3 Q2PACK POSITIVE WITH PRESS-FIT PIN
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800A100L4Q2F2P2GonsemiIGBT Modules MASS MARKET GEN3 Q2PACK NEGATIVE WITH PRESS-FIT PIN
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800A100L4Q2F2S1Gonsemionsemi MASS MARKET GEN3 Q2PACK POSITIVE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800A100L4Q2F2S1GonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 309A 714W 51-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 51-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 309 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 714 W
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 49.7 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10092.40 грн
36+8184.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800A100L4Q2F2S2GonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 309A 714W 51-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 51-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 309 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 714 W
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 49.7 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10092.40 грн
36+8184.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800A100L4Q2F2S2Gonsemionsemi MASS MARKET GEN3 Q2PACK NEGATIVE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800H120L7QDSGonsemiDescription: 1200V 800A QDUAL3
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 800A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 11-PIM (152x62.15)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 94300 pF @ 25 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13951.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800H120L7QDSGonsemiIGBT Modules 1200V 800A QDUAL3
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120H2Q0SGON SemiconductorIGBT Modules PIM 1200V 40A DU BST SiC DIODE
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120H2Q0SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH80B120H2Q0SG - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 40 A, 2.2 V, 103 W, 150 °C, PIM
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Dauer-Kollektorstrom: 40
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2
Verlustleistung Pd: 103
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103
Bauform - Transistor: PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 22
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120H2Q0SGonsemiDescription: PIM 1200V, 40A DUAL BOOST
Packaging: Bulk
на замовлення 28543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+5869.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120H2Q0SGonsemiDescription: PIM 1200V, 40A DUAL BOOST
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5268.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120H2Q0SGonsemiDescription: PIM 1200V, 40A DUAL BOOST
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120H2Q0SNGonsemiDescription: PIM POWER MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 103 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.7 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120MNQ0SNGonsemiDescription: PIM POWER MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Power - Max: 69 W
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5077.55 грн
24+3733.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120MNQ0SNGonsemiMOSFET Modules 50KW GENII 1200V 80MOHM SIC MOSFET
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120MNQ0SNGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH80B120MNQ0SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, DualPack, Zweifach n-Kanal, 23 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: DualPack
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0P2GonsemiIGBT Modules PIM Q0 T-TYPE NPC 80A 1200V PRESS-FIT PINS
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0P2GonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 67A 158W 20-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19.4 nF @ 20 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+2972.91 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0P2TGonsemiDescription: IGBT MODULE 1200V 80A TNPC PIM20
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0PGON SemiconductorIGBT Modules 1200V 80AT-TYPE IGBT PWR INTEG MODULE
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S1GON SemiconductorIGBT Modules PIM 1200V 80A TNPC CUST T-TYPE MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S2GONSEMIDescription: ONSEMI - NXH80T120L2Q0S2G - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 67 A, 2.35 V, 158 mW, 150 °C, PIM
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35V
Dauer-Kollektorstrom: 67A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35V
Verlustleistung Pd: 158mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158mW
Bauform - Transistor: PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 67A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S2GonsemiDescription: PIM 1200V 80A TNPC STAND
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19400 pF @ 25 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4062.51 грн
24+3733.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S2GonsemiIGBT Modules PIM 1200V 80A TNPC STANDARD PINOUT
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S2TGonsemiDescription: MODULE PIM 1200V 80A
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S2TGonsemiIGBT Modules PIM Q0 T-TYPE NPC 80A 1200V SOLDER PINS TIM
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S2TGonsemiDescription: MODULE PIM 1200V 80A
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+5202.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0SGON SemiconductorIGBT Modules 80A 1200V PIM Q0PACK
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0SGonsemiDescription: IGBT MODULE 1200V 65A 146W PIM20
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: T-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 146 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.99 nF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L3Q0P3GonsemiDescription: PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 188 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18150 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L3Q0P3GonsemiIGBT Modules PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V 80A TNPC (PRESS-FIT PIN)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L3Q0S3GONSEMIDescription: ONSEMI - NXH80T120L3Q0S3G - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 75 A, 1.7 V, 188 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Lötstift
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 188W
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L3Q0S3GonsemiIGBT Modules PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V 80A TNPC (SOLDER PIN)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L3Q0S3GonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 75A 188W 20-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 188 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.15 nF @ 20 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4143.24 грн
24+2992.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L3Q0S3TGonsemiIGBT Modules PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V 80A TNPC (SOLDER PIN TIM)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXHP270C5C520
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.