Продукція > PMV
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PMV27UPER | Nexperia | MOSFET PMV27UPE/SOT23/TO-236AB | на замовлення 11377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV27UPER | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV27UPER | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V | на замовлення 6184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV27UPER | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV27UPER | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV27UPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.027 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 490 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700 euEccn: NLR Verlustleistung: 490 Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV27UPER | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV27UPER | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV27UPER | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV27UPER | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV27UPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.027 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 490 Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV280ENEA | Nexperia | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV280ENEA,215 | Nexperia USA Inc. | Description: 1.1A, 100V, N CHANNEL, SILICON, Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV280ENEA215 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV280ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV280ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV280ENEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV280ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.285 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 580 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 580 Bauform - Transistor: TO-236AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.285 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 16680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV280ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV280ENEAR Код товару: 194408
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| PMV280ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV280ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV280ENEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 100V 1.1A N-CH TRENCH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV280ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV280ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV280ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV280ENEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV280ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.285 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 580 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 16680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV280ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV280ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV28ENEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 30V 4.4A | на замовлення 2385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV28ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV28ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV28ENER | Nexperia USA Inc. | Description: PMV28ENE/SOT23/TO-236AB Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) FET Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV28ENER | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 30V 4.4A | на замовлення 4805 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV28ENER | Nexperia USA Inc. | Description: PMV28ENE/SOT23/TO-236AB Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV28ENER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV28UN | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| PMV28UN,215 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | на замовлення 6399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2885 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV28UNEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 4.7A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV28UNEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 4.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV28UNEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 20V 4.7A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV28UNEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 4.7A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV28UNEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 4.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV28UNEAR Код товару: 215734
Додати до обраних
Обраний товар
| Nexperia | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 20 V Струм стоку Idd, A: 4,7 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 24 mOhm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 490/6,2 Примітка: 20 V, N-channel Trench MOSFET Монтаж: SMD | у наявності: 10 шт
|
| ||||||||||||||||||
| PMV28XPEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV28XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.033 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV28XPEAR | Nexperia USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 8V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV28XPEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 P-CH 20V 5A | на замовлення 80461 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV28XPEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV28XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.026 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV3036GY | Hammond Manufacturing | Description: POLE MOUNT KIT PMK SERIES Packaging: Bulk For Use With/Related Products: PMK Series Accessory Type: Mounting Kit | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV3036GY | Hammond Manufacturing | Electrical Enclosure Accessories Pole Mount Vertical Steel Channel - Steel/Gray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV3036GY | Hammond | Pole Mounting Kit, Vertical Steel Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30ENEA | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| PMV30ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 4.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30ENEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV30ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.8 A, 0.023 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 8.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 8.3W Bauform - Transistor: TO-236AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 4.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 4.8A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 4.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30ENEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV30ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.8 A, 0.023 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 8.3W Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30ENEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 40V 4.8A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 4.8A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 4.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30UN | NXP Semiconductors | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30UN | NXP | 07+ROHS SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30UN T/R | NXP Semiconductors | MOSFETs TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30UN,215 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A TO236AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ) Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30UN,215 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A TO236AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ) Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30UN2 | Nexperia | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30UN2-ML | MOSLEADER | Description: N 20V 5.4A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30UN2R | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30UN2R | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 407 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30UN2R | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30UN2R | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV30UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 11751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30UN2R | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30UN2R | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1244000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30UN2R | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30UN2R | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30UN2R | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV30UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 11751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30UN2R | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30UN2R | NXP | Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 3-Pin TO-236AB PMV30UN2R TPMV30u кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 2690 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30UN2R | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30UN2R | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 20V 4.2A | на замовлення 22824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30UN2VL | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 20V 5.4A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30UN2VL | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30UN2VL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30XN | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| PMV30XN,215 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30XPAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.9A TO236AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30XPAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 P CHAN 20V | на замовлення 6590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30XPAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30XPAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV30XPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30XPAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30XPAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.9A TO236AB FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Part Status: Active Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) | на замовлення 12810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30XPAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV30XPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30XPAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30XPEA | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| PMV30XPEAR | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30XPEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV30XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.028 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30XPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30XPEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5.435W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2330 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV30XPEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 P-CH 20V 4.5A | на замовлення 134156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30XPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30XPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| PMV30XPEAR | NXP | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin TO-236AB PMV30XPEAR PMV30XPEAR PMV30XPEAR TPMV30xpear кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 110 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|

