Продукція > PMV

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PMV27UPEARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.34 грн
25+30.81 грн
100+22.90 грн
250+21.01 грн
500+16.27 грн
1000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPEARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
459+30.81 грн
596+23.75 грн
601+23.53 грн
746+18.30 грн
1000+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 459 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPEARNexperiaMOSFETs 20 V, P-channel Trench MOSFET
на замовлення 12441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPEARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPERNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.46 грн
6000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPERNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPERNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPERNexperiaMOSFET PMV27UPE/SOT23/TO-236AB
на замовлення 11377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPERNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV27UPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.027 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 490
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPERNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
на замовлення 6184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
16+20.08 грн
100+15.51 грн
500+12.62 грн
1000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPERNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPERNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV27UPERNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV27UPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.027 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 490
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEANexperiaNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEA,215Nexperia USA Inc.Description: 1.1A, 100V, N CHANNEL, SILICON,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEA215NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV280ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.285 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 580
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 16680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
459+30.83 грн
678+20.88 грн
732+19.34 грн
1009+13.52 грн
1315+9.61 грн
3000+7.45 грн
6000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 459 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.78 грн
6000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.09 грн
23+33.03 грн
25+30.83 грн
100+20.13 грн
250+17.27 грн
500+12.02 грн
1000+9.22 грн
3000+7.45 грн
6000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEARNexperiaMOSFETs PMV280ENEA/SOT23/TO-236AB
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV280ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.285 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 580
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.285
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 16680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEAR
Код товару: 194408
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.07 грн
6000+8.27 грн
9000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28ENEARNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 30V 4.4A
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
16+19.02 грн
100+12.45 грн
500+8.76 грн
1000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28ENERNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28ENERNexperia USA Inc.Description: PMV28ENE/SOT23/TO-236AB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
13+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28ENERNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 30V 4.4A
на замовлення 4805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28ENERNexperia USA Inc.Description: PMV28ENE/SOT23/TO-236AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 8.3W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28UN
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28UN,215NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
на замовлення 6399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2885 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28UNEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 4.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28UNEAR
Код товару: 215734
Додати до обраних Обраний товар
NexperiaТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Idd, А: 4,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 24 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 490/6,2
Примітка: 20 V, N-канальний Trench MOSFET
Монтаж: SMD
у наявності: 10 шт
  • 10 шт - склад
1+157.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28UNEARNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 20V 4.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28UNEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 4.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.97 грн
32+24.01 грн
100+10.36 грн
250+9.49 грн
500+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28UNEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 4.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 3.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28UNEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 4.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28XPEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV28XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.026 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28XPEARNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 8V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28XPEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV28XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.033 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV28XPEARNexperiaMOSFETs SOT23 P-CH 20V 5A
на замовлення 80461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV3036GYHammond ManufacturingDescription: POLE MOUNT KIT PMK SERIES
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: PMK Series
Accessory Type: Mounting Kit
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3573.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMV3036GYHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Pole Mount Vertical Steel Channel - Steel/Gray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV3036GYHammondPole Mounting Kit, Vertical Steel Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30ENEANexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 4.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 4.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 4.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30ENEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV30ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.8 A, 0.023 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 8.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.3W
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 4.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30ENEARNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 40V 4.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 4.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 4.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30ENEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV30ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.8 A, 0.023 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8.3W
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UNNXP SemiconductorsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UNNXP07+ROHS SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN T/RNXP SemiconductorsMOSFETs TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN-TRNexperia USA Inc.Description: PMV30UN-T/SOT23/TO-236AB
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
19+16.00 грн
100+10.05 грн
500+7.00 грн
1000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN-TRNexperia USA Inc.Description: PMV30UN-T/SOT23/TO-236AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2NexperiaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2-MLMOSLEADERDescription: N 20V 5.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.61 грн
1000+2.45 грн
3000+2.29 грн
6000+2.11 грн
15000+2.04 грн
30000+1.96 грн
75000+1.81 грн
150000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2RNexperiaMOSFETs PMV30UN2/SOT23/TO-236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2RNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2RNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV30UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2RNXPTrans MOSFET N-CH 20V 5.4A 3-Pin TO-236AB PMV30UN2R TPMV30u
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 2690 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
556+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 556 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 407 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2RNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
407+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 407 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1244000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4894+7.22 грн
10000+6.45 грн
100000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 4894 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2RNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV30UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.4 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2RNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.7A; Idm: 18A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 18A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2VLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2VLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 2.7A; Idm: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 18A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2VLNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 20V 5.4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2VLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XN
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XN,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPARNexperiaMOSFETs PMV30XPA/SOT23/TO-236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV30XPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 610mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPARNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.9A TO236AB
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Part Status: Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.9A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPARNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.9A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1039 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV30XPAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 610mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPARNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -20A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPEANexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]