Продукція > sum

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SUM60N0412LTN/A
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N06-15
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+391.46 грн
46+307.81 грн
100+232.74 грн
250+216.15 грн
500+169.20 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+142.40 грн
2400+126.29 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.50 грн
10+117.53 грн
25+115.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUM60N10-17-E3 - MOSFET, N, TO-263
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+134.39 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V 60A 150W
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 589 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+317.45 грн
10+181.59 грн
25+164.70 грн
100+138.52 грн
250+120.78 грн
500+108.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+379.70 грн
10+243.02 грн
50+190.36 грн
100+162.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60P05
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60P05-11LT
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60P05-11LT-E3
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30Vishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE - USE SUM65N20-30-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30VISHAY
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+138.18 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+463.38 грн
10+299.81 грн
100+216.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3
Код товару: 192327
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 65A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 130nC
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+205.15 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+138.18 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+231.82 грн
2400+227.22 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+179.92 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+234.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V 65A 375W 30mohm @ 10V
на замовлення 3063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+234.73 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM65N20-30-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM6600HRSOP-56L
на замовлення 999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM6K1N
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM70030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 2880 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2880µohm
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.76 грн
10+201.06 грн
100+142.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds; 20V Vgs TO-263
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 150A TO263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM70030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 2880 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2880µohm
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 150A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+116.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 100V 150A N-CH MOSFET
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM70030M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+146.78 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+318.92 грн
10+208.13 грн
100+147.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM70030M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 375
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+151.00 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030M-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+118.09 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM70040E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.10 грн
10+156.67 грн
25+156.58 грн
100+133.33 грн
250+122.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+99.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM70040E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+179.10 грн
90+156.58 грн
102+133.33 грн
250+122.53 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.50 грн
10+174.53 грн
100+122.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040E-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 120A; 125W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 76nC
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 771 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+256.51 грн
5+184.97 грн
10+152.03 грн
25+148.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040E-GE3-XVishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040M-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM70040M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040M-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040M-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 120A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040M-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM70040M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040M-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs TO-263-7L
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040M-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 120A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70040M-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.50 грн
10+174.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042E-GE3VishayMOSFETs TO263 100V 150A N-CH MOSFET
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET D2P
Packaging: Strip
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6490 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.97 грн
10+189.74 грн
100+133.30 грн
800+97.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 4000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 278W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
на замовлення 4063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042MVishaySUM70042M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042M-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.83mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042M-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.83mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+479.95 грн
10+311.13 грн
100+225.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042M-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.5 mohm a. 10V 2.3 mohm a. 7.5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70060E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM70060E-GE3 - N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70060E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70060E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 7663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.82 грн
10+119.42 грн
100+82.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70060E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 8883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70060E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70060E-GE3
Код товару: 180235
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70060E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.17 грн
1600+58.21 грн
2400+55.89 грн
4000+51.68 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70090E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70090E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+50.75 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70090E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70090E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70090E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.46 грн
10+98.67 грн
100+67.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
на замовлення 59236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+379.70 грн
10+243.18 грн
50+190.51 грн
100+162.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Ciss, пФ @ Uds, В = 7000 @ 50, Qg, нКл = 190, Р, Вт = 375, Тексп, °C = -55...+175,... Транзистори Корпус: TO-263 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+367.29 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 14289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+446.71 грн
44+322.82 грн
100+229.88 грн
500+200.04 грн
800+177.14 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -120A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -120A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 14289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+449.13 грн
10+324.57 грн
100+231.13 грн
500+201.13 грн
800+178.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUM70101EL-GE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 120A, TO-263
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+191.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
на замовлення 59200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+142.52 грн
2400+126.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -100V Vds 20V Vgs TO-263
на замовлення 3297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 120A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]