Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF644PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.39 грн
10+137.23 грн
100+100.07 грн
500+84.08 грн
1000+74.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 250V 14A N-CH MOSFET
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+171.89 грн
10+114.83 грн
100+76.81 грн
500+66.69 грн
1000+59.00 грн
2000+43.08 грн
5000+42.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF644PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 5507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.15 грн
10+102.65 грн
100+75.68 грн
500+60.29 грн
1000+52.30 грн
5000+42.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBF
Код товару: 22636
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+39.00 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+161.41 грн
105+136.27 грн
112+127.01 грн
250+109.71 грн
500+94.50 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBF
Код товару: 123223
Додати до обраних Обраний товар
SILIТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 8,5 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/68
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+23.50 грн
10+20.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBFTO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+317.37 грн
50+157.07 грн
100+142.70 грн
500+110.28 грн
1000+102.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+134.01 грн
145+98.38 грн
500+85.94 грн
1000+60.63 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.05 грн
10+84.14 грн
100+74.71 грн
500+67.89 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+138.72 грн
141+101.14 грн
500+88.14 грн
1000+81.56 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 250V 14A N-CH MOSFET
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.41 грн
10+118.04 грн
100+83.79 грн
500+77.51 грн
1000+76.81 грн
2000+64.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF644PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 250V, 14A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+268.84 грн
10+179.22 грн
25+174.34 грн
50+158.10 грн
100+142.45 грн
500+122.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.59 грн
50+145.80 грн
100+132.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+197.97 грн
75+190.43 грн
100+183.96 грн
250+172.02 грн
500+154.94 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644SSiliconixN-MOSFET 14A 250V 125W 0.28Ω IRF644S TIRF644s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 134 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+130.13 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644SVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF644SPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+292.38 грн
58+246.08 грн
100+231.52 грн
250+207.95 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.82 грн
50+105.75 грн
100+97.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 250V 14 Amp
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+338.90 грн
10+163.82 грн
100+120.10 грн
500+109.63 грн
1000+104.04 грн
2000+101.95 грн
5000+101.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+311.87 грн
50+155.17 грн
100+141.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+461.35 грн
10+242.46 грн
100+192.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF644SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+314.46 грн
10+167.82 грн
100+147.45 грн
500+121.79 грн
1000+108.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+106.82 грн
135+105.75 грн
145+97.87 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+292.37 грн
10+162.22 грн
50+136.16 грн
100+127.76 грн
250+119.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+311.87 грн
10+198.80 грн
100+141.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 250V 14 Amp
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+339.71 грн
10+220.03 грн
100+139.66 грн
500+112.42 грн
800+101.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+311.87 грн
10+198.80 грн
100+141.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 250V 14 Amp
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+329.12 грн
10+212.80 грн
100+138.26 грн
500+112.42 грн
800+101.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF645Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 265 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF646onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF646H
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF646_R4943onsemi / FairchildMOSFET TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF647Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 275 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+101.45 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF647HARRISIRF647
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+144.11 грн
500+128.76 грн
1000+119.31 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF650ASamsung
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF650B
Код товару: 83092
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 28 A
Rds(on), Ohm: 0,085 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2600/95
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+35.00 грн
10+30.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF650B_FP001onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF654B07+
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF654BONSEMIDescription: ONSEMI - IRF654B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
378+83.09 грн
Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF654BON SemiconductorIRF654B
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+132.30 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF654BFairchild SemiconductorDescription: IRF654B - 21A, 250V, 0.14OHM, N-
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+92.83 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF654BFP001ON SemiconductorIRF654BFP001
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.58 грн
500+114.82 грн
1000+105.89 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF654BFP001Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+91.60 грн
Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF654BFP001ONSEMIDescription: ONSEMI - IRF654BFP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
391+80.00 грн
Мінімальне замовлення: 391 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF654B_FP001onsemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel B-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6601Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6601IR2004
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6602
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6602Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6603Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6590 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 92A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6603International RectifierMFET N-CH 30V 28A DirectFETtm (new!!! ключ для ноутбуков) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6603IOR2004 SC70-5
на замовлення 6085 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6603TR1International RectifierTrans MOSFET N-CH Si 30V 27A 7-Pin Direct-FET MT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6603TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6590 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6604Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6604Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6604Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6604TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6607IR
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6607Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 94A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6607Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6607PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6607TR1Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6607TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 94A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6607TR1PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6607TRPBFIOR2007
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6608International RectifierTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A 7-Pin Direct-FET ST T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6608Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6608TR1IR2005
на замовлення 810 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6608TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6609Infineon TechnologiesMOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6609Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6609PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6609TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6609TR1Infineon / IRMOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6609TR1PBFInfineon / IRMOSFET 20V N-CH HEXFET 2mOhms 46nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6609TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6609TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6609TRPBFInfineon / IRMOSFET 20V N-CH HEXFET 2mOhms 46nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6610Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6610TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6610TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6610TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6610TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6610TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6611Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4860 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6611TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]