Продукція > IPD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 37 38 39 40 41 42  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPDQ60T010S7AXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CoolMOS S7TA with embedded temperature sensor
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1686.50 грн
10+1349.62 грн
25+1172.20 грн
100+1026.54 грн
250+972.00 грн
500+971.31 грн
750+936.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T010S7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CoolMOS S7T with embedded temperature sensor
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1627.71 грн
10+1297.22 грн
100+986.50 грн
250+934.72 грн
500+920.91 грн
750+883.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T017S7AXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+742.58 грн
50+619.98 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T017S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T017S7AXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+985.81 грн
5+864.19 грн
10+742.58 грн
50+619.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T017S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T017S7AXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+967.28 грн
10+753.40 грн
25+635.11 грн
100+624.76 грн
750+509.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T017S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60T017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+809.42 грн
5+709.56 грн
10+609.69 грн
50+551.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T017S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 29A, 12V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.88mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7370 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T017S7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 750 шт:
термін постачання 140-149 дні (днів)
1+1193.60 грн
10+1036.82 грн
25+876.73 грн
50+828.41 грн
100+779.39 грн
250+755.23 грн
500+706.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T017S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60T017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+609.69 грн
50+551.93 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T017S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 29A, 12V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.88mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7370 pF @ 300 V
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1011.95 грн
10+767.99 грн
25+716.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T022S7AXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60T022S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+622.57 грн
50+566.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T022S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+919.53 грн
10+694.10 грн
25+646.22 грн
100+557.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T022S7AXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60T022S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+764.32 грн
5+693.45 грн
10+622.57 грн
50+566.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T022S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T022S7AXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+863.39 грн
10+782.78 грн
25+652.37 грн
100+574.36 грн
250+546.06 грн
750+510.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T022S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+915.74 грн
5+815.87 грн
10+716.00 грн
50+611.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T022S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+901.67 грн
10+679.66 грн
25+632.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T022S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+716.00 грн
50+611.76 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T022S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T040S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 780µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+573.93 грн
10+427.33 грн
25+396.04 грн
100+339.38 грн
250+323.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T040S7AXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T040S7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 780µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+307.93 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R008CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1590.66 грн
10+1282.93 грн
100+985.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R017CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 61.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12338 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+684.54 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R017CFD7AXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ65R017CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 136 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1350.65 грн
5+1230.65 грн
10+1110.64 грн
50+946.05 грн
100+824.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R017CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 61.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12338 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1081.85 грн
10+826.02 грн
25+772.13 грн
100+669.06 грн
250+642.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R017CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 200 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
1+1473.07 грн
10+1290.87 грн
25+1047.25 грн
50+1014.11 грн
100+981.66 грн
250+916.08 грн
500+842.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R017CFD7AXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ65R017CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 136 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1110.64 грн
50+946.05 грн
100+824.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R017CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 61.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12338 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R017CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1172.66 грн
10+914.56 грн
25+742.81 грн
100+685.51 грн
250+658.59 грн
750+633.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R017CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 61.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12338 pF @ 400 V
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1098.16 грн
10+836.64 грн
25+781.49 грн
100+676.52 грн
250+649.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R017CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 136A 22-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R018CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPDQ65R018CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 55.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R018CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+989.83 грн
10+682.75 грн
100+488.07 грн
500+455.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R018CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPDQ65R018CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 55.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 400 V
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+943.61 грн
10+635.24 грн
100+522.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R029CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+715.28 грн
10+538.32 грн
25+500.77 грн
100+431.29 грн
250+412.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R029CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
на замовлення 750 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
1+809.42 грн
10+717.68 грн
25+602.67 грн
50+579.89 грн
100+533.63 грн
250+512.23 грн
500+456.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R029CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R029CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+761.10 грн
10+585.10 грн
25+473.57 грн
100+434.22 грн
250+414.89 грн
750+414.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R029CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+788.28 грн
10+593.36 грн
25+551.96 грн
100+475.28 грн
250+454.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R029CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 85A 22-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R029CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R040CFD7Infineon Technologies HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R040CFD7AXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ65R040CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 64 A, 0.04 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+474.38 грн
50+424.79 грн
100+384.52 грн
250+376.24 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R040CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 64A 22-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R040CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 64A 22-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R040CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+839.22 грн
10+597.80 грн
100+433.53 грн
500+386.59 грн
750+361.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R040CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+674.89 грн
10+505.26 грн
25+469.15 грн
100+403.04 грн
250+385.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R040CFD7AXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ65R040CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 64 A, 0.04 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+633.85 грн
5+554.11 грн
10+474.38 грн
50+424.79 грн
100+384.52 грн
250+376.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R040CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 64A 22-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R040CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R040CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R040CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ65R040CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 64 A, 0.034 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+414.78 грн
50+373.93 грн
100+307.20 грн
250+300.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R040CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+597.23 грн
10+445.36 грн
25+412.94 грн
100+354.10 грн
250+338.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R040CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ65R040CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 64 A, 0.034 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+560.56 грн
5+488.07 грн
10+414.78 грн
50+373.93 грн
100+307.20 грн
250+300.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R040CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R060CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 820µA
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R060CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+542.84 грн
10+458.87 грн
25+362.43 грн
100+332.74 грн
250+312.72 грн
500+293.39 грн
750+263.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R060CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 820µA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+504.81 грн
10+374.38 грн
25+346.41 грн
100+296.28 грн
250+282.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R060CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 750 шт:
термін постачання 220-229 дні (днів)
1+589.55 грн
10+498.56 грн
25+392.80 грн
100+361.05 грн
250+339.65 грн
500+284.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R060CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 820µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+444.23 грн
10+327.79 грн
25+302.83 грн
100+258.47 грн
250+246.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R060CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 820µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7Infineon Technologies HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+376.12 грн
10+261.19 грн
100+197.44 грн
500+187.08 грн
750+184.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+417.05 грн
10+307.45 грн
25+283.80 грн
100+241.97 грн
250+230.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7AXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ65R080CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+508.21 грн
10+337.46 грн
100+273.03 грн
500+207.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 36A 22-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+320.12 грн
500+303.58 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 36A 22-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 36A 22-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+324.99 грн
48+295.88 грн
50+284.54 грн
100+272.83 грн
250+251.27 грн
500+239.84 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7AXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ65R080CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+337.46 грн
100+273.03 грн
500+207.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 36A 22-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+324.99 грн
10+295.88 грн
25+284.54 грн
100+272.83 грн
250+251.27 грн
500+239.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ65R080CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.068 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+539.62 грн
10+359.21 грн
100+290.75 грн
500+240.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 36A 22-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 36A 22-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+465.20 грн
10+301.54 грн
100+218.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ65R080CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.068 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+290.75 грн
500+240.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 36A 22-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 3604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+307.12 грн
500+291.77 грн
1000+275.23 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+481.63 грн
10+319.14 грн
100+201.58 грн
500+176.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+191.78 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 36A 22-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.60 грн
10+104.85 грн
25+103.09 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R099CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 186W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R099CFD7AXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ65R099CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.099 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 186W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+206.99 грн
500+183.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R099CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R099CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 186W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.87 грн
10+285.46 грн
25+263.10 грн
100+223.79 грн
250+212.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R099CFD7AXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 29A; 186W; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 29A
Power dissipation: 186W
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
750+233.57 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R099CFD7AXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ65R099CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.099 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 186W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+331.82 грн
10+237.59 грн
100+206.99 грн
500+183.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R099CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R099CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 186W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R099CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 186W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+372.01 грн
10+272.00 грн
25+250.48 грн
100+212.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R125CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1566 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.07 грн
10+186.89 грн
25+171.68 грн
100+145.48 грн
250+138.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R125CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1566 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R125CFD7AXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+349.54 грн
10+259.60 грн
25+200.89 грн
100+175.35 грн
250+160.85 грн
500+151.18 грн
750+140.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R125CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1566 pF @ 400 V
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.65 грн
10+172.31 грн
25+158.10 грн
100+133.74 грн
250+126.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R125CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.19 грн
10+221.50 грн
25+177.42 грн
100+160.16 грн
250+151.18 грн
500+127.02 грн
750+126.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R125CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1566 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDSB-09-FWL-1MSure-SealDescription: CABLE ASSY DB09 BLACK 1M
Packaging: Box
Contact Finish: Gold
Color: Black, Individual (Round)
Length: 3.28' (1.00m)
Shielding: Unshielded
Number of Positions: 9
Type: DB9
1st Connector: Receptacle, Female Sockets
2nd Connector: Individual Wire Leads
Part Status: Active
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+782.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDSB-09-MWL-1MSure-SealDescription: CABLE ASSY DB09 BLACK 1M
2nd Connector: Individual Wire Leads
1st Connector: Plug, Male Pins
Type: DB9
Number of Positions: 9
Shielding: Unshielded
Length: 3.28' (1.00m)
Color: Black, Individual (Round)
Contact Finish: Gold
Packaging: Box
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+827.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 37 38 39 40 41 42  [ Наступна Сторінка >> ]