Продукція > IPD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD95R450P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+159.09 грн
100+151.97 грн
250+145.88 грн
500+135.58 грн
1000+121.45 грн
2500+113.14 грн
5000+110.10 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 3323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+91.51 грн
5000+86.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+92.06 грн
5000+87.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 104W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Gate charge: 35nC
Version: ESD
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+192.37 грн
5+143.41 грн
10+126.64 грн
25+116.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD95R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450PFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450PFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 13.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 13.3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 400 V
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.63 грн
10+113.75 грн
100+78.23 грн
500+59.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450PFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD95R450PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 13.3 A, 0.35 ohm, TO-252 (DPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 13.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450PFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 13.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R750P7InfineonTrans MOSFET N-CH 950V 9A DPAK Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R750P7Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R750P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R750P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD95R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 73W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
на замовлення 3168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R750P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+104.34 грн
500+93.91 грн
1000+86.61 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R750P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.49 грн
10+141.99 грн
100+102.22 грн
500+85.11 грн
1000+70.44 грн
2500+61.25 грн
5000+60.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R750P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 3049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R750P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R750P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 73W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R750P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R750P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+207.49 грн
100+141.99 грн
139+102.22 грн
500+85.11 грн
1000+70.44 грн
2500+61.25 грн
5000+60.56 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R750P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD95R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 73W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
на замовлення 3168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R750P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+104.34 грн
500+93.91 грн
1000+86.61 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R750P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 9A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R037CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R037CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPDD60R037CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R037CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPDD60R037CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+638.03 грн
10+419.66 грн
50+336.35 грн
100+290.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R045CFD7Infineon Technologies HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 61A 10-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 9290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+493.84 грн
100+469.09 грн
500+444.34 грн
1000+404.61 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R045CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDD60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 61A HDSOP-10
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+569.05 грн
10+397.70 грн
100+293.37 грн
500+241.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 61A 10-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R045CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDD60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 379W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R045CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 61A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R050G7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDD60R050G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.043 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R050G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 47A HDSOP-10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+750.89 грн
10+498.01 грн
100+382.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R050G7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 47A 10-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R050G7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDD60R050G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.043 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R050G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 47A HDSOP-10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+324.91 грн
Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R050G7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 47A 10-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R050G7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R055CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 52A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2724 pF @ 400 V
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.21 грн
10+343.50 грн
100+253.88 грн
500+203.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R055CFD7XTMA1Infineon TechnologiesSP003803300
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R055CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R055CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 52A HDSOP-10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2724 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R075CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R075CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDD60R075CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.06 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R075CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 40A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2102 pF @ 400 V
на замовлення 2703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+484.40 грн
10+313.99 грн
50+248.60 грн
100+213.58 грн
500+201.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R075CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDD60R075CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.06 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 266W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R075CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 40A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2102 pF @ 400 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+193.06 грн
Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R080G7XTMA1Infineon TechnologiesIPDD60R080G7XTMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 29A 10-Pin HDSOP EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R080G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 29A HDSOP-10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 9.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+214.19 грн
Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R080G7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDD60R080G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.069 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R080G7XTMA1Infineon TechnologiesIPDD60R080G7XTMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 29A 10-Pin HDSOP EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R080G7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R080G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 29A HDSOP-10
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 9.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.20 грн
10+226.13 грн
100+218.74 грн
500+193.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R080G7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDD60R080G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.069 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R090CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDD60R090CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.074 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R090CFD7XTMA1Infineon TechnologiesIPDD60R090CFD7XTMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R090CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R090CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 33A HDSOP-10
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1747 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+153.14 грн
Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R090CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDD60R090CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.074 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.074ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R090CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 33A HDSOP-10
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1747 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+429.53 грн
10+276.10 грн
50+217.17 грн
100+186.01 грн
500+159.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R102G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 23A HDSOP-10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.31 грн
10+258.29 грн
100+185.81 грн
500+172.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R102G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 23A HDSOP-10
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R102G7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23A 10-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R102G7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R105CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 31A HDSOP-10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1504 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R105CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDD60R105CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.088 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 198W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R105CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R105CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 31A HDSOP-10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1504 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R105CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDD60R105CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.088 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R125CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R125CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDD60R125CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.101 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pins
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.101ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R125CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 27A HDSOP-10
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.69 грн
10+176.02 грн
100+132.67 грн
500+110.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R125CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDD60R125CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.101 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 176W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.101ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.101ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R125CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 27A HDSOP-10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1329 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R125G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 20A HDSOP-10
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R125G7XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 120W
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ G7
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-HDSOP-10-1
On-state resistance: 0.125Ω
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+307.07 грн
10+241.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R125G7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R125G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 20A HDSOP-10
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.79 грн
10+142.81 грн
100+129.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R145CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R145CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 24A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
на замовлення 3296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.20 грн
10+184.92 грн
100+133.99 грн
500+100.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R145CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDD60R145CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.114 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 160W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.114ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R145CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDD60R145CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.114 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.114ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R145CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 24A HDSOP-10
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+105.46 грн
Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R150G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 16A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 902 pF @ 400 V
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.85 грн
10+170.28 грн
100+119.75 грн
500+101.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R150G7XTMA1Infineon TechnologiesIPDD60R150G7XTMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 16A 10-Pin HDSOP EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R150G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 16A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 902 pF @ 400 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+91.49 грн
Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R150G7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R150G7XTMA1Infineon TechnologiesIPDD60R150G7XTMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 16A 10-Pin HDSOP EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R170CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 19A HDSOP-10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1016 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.93 грн
10+148.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R170CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R170CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPDD60R170CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.139 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 137W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.139ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.139ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R170CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 19A HDSOP-10
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1016 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.