Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF6616TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6616TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 106 A, 5000 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MX Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6616TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 19A 7-Pin Direct-FET MX T/R | на замовлення 1374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF6617 | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6617 | IRF | 09+ | на замовлення 14818 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6617 | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6617TR1 | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF6617TR1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 55A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric ST Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6617TR1 | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R | на замовлення 1117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF6617TR1PBF | IOR | 2006 | на замовлення 898 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6617TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6617TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6617TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6617TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.0062 ohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: DirectFET ST Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6617TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric ST Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6617TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6617TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.0062 ohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: DirectFET ST Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6617TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC | на замовлення 4202 шт: термін постачання 231-240 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6618 | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6618 | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6618 | IOR | 04+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6618-8 | IOR | 2006 | на замовлення 650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6618PBF-6 | IOR | 2007 | на замовлення 956 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6618PBF-8 | IOR | 2007 | на замовлення 2311 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6618TR1 | IR | на замовлення 3325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF6618TR1 | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6618TR1PBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6618TR1PBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6618TR1PBF | IOR | 2007 | на замовлення 59 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6618TR1PBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6618TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 170A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MT Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6618TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 7-Pin Direct-FET MT T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6618TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6618TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 0.0017 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 170 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 89 Bauform - Transistor: DirectFET MT Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.64 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6618TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V N-CH 2.2mOhm HEXFET 43 nC | на замовлення 4595 шт: термін постачання 313-322 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6618TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 7-Pin Direct-FET MT T/R | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF6618TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MT Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 170A (Tc) FET Type: N-Channel | на замовлення 1969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF6618TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6618TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 0.0017 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6619 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5040 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF6619 | Infineon Technologies | MOSFETs 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6619 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5040 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 13859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF6619TR1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5040 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 7158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF6619TR1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5040 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF6619TR1PBF | IOR | 2006 | на замовлення 390 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6619TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5040 pF @ 10 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF6619TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5040 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc) FET Type: N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6619TRPBF | на замовлення 48000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF6620 | IOR | 2006 | на замовлення 209 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6620 | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6620 | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6620IRPBF | на замовлення 2570 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF6620TR1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6620TR1 | IR | 0527+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6620TR1PBF | IR | 06+ | на замовлення 10603 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6620TR1PBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6620TR1PBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6620TR1PBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6620TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 20V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6620TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 A, 0.0021 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 150 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 89 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45 Verlustleistung: 89 Bauform - Transistor: DirectFET MX Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6620TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 20V 1 N-CH 2.7mOhm DirectFET 28nC | на замовлення 3817 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6620TRPBF | International Rectifier | Description: IRF6620 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 10 V | на замовлення 526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF6620TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 20V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6620TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 A, 0.0021 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage Verlustleistung: 89 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6621 | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6621PBF-6 | IOR | 2007 | на замовлення 949 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6621PBF-8 | IOR | 2007 | на замовлення 15310 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6621TR1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 55A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6621TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6621TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6621TR1PBF | IOR | 2006 | на замовлення 918 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6621TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6621TRPBF | IOR | 2007 | на замовлення 638 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6621TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SQ | на замовлення 2589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6622TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 34W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 59A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ Packaging: Tape & Reel (TR) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 13 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6622TRPBF | на замовлення 695 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF6622TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 13 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 34W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 59A (Tc) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ Packaging: Tape & Reel (TR) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6623 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric ST Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6623 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric ST Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6623TR1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric ST | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6623TR1 | Infineon Technologies | MOSFET 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6623TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric ST Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6623TR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6623TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric ST Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6623TR1PBF | IR | 07+ SMD | на замовлення 4960 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6623TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6623TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 55 A, 5700 µohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 42W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DirectFET ST Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm | на замовлення 4103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6623TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric ST Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6623TRPBF | Infineon Technologies | IRF6623TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 20V 16A 7-Pin Direct-FET ST T/R Si - Arrow.com | на замовлення 3439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF6623TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF6623TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 55 A, 5700 µohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 42W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DirectFET ST Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm | на замовлення 4103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6623TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC | на замовлення 4602 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6623TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric ST Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V | на замовлення 2802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF6623TRPBF | Infineon Technologies | IRF6623TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 20V 16A 7-Pin Direct-FET ST T/R Si - Arrow.com | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6626 | IOR | 2006 | на замовлення 491 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6626 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6626TR1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 72A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric ST Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6626TR1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 72A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric ST Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6626TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6626TR1PBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6626TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 72A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric ST Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6628TR1PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 160A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6628TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 160A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6629TR1PBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6629TR1PBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6629TR1PBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF6629TRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |