Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF6614TRPBFInfineon TechnologiesDescription: IRF6614 - 12V-300V N-CHANNEL POW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6614TRPBFInfineon
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6614TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6614TRPBFInfineon TechnologiesIRF6614TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 40V 12.7A 7-Pin Direct-FET ST T/R Si - Arrow.com
на замовлення 4797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+256.05 грн
10+227.18 грн
25+224.89 грн
100+178.35 грн
250+134.76 грн
500+128.07 грн
1000+117.51 грн
3000+90.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6614TRPBFInfineon / IRMOSFET 40V 1 N-CH 5.9mOhm DirectFET 1.8Vgs
на замовлення 9583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 106A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 106A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 19A 7-Pin Direct-FET MX T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6616TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 106 A, 5000 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 19A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.58 грн
10+151.03 грн
100+118.49 грн
500+100.28 грн
1000+75.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TRPBFInternational RectifierDescription: IRF6616 - MOSFET, 40V, 106A, 5.0
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 106A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+123.61 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 19A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 16200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.66 грн
10+210.35 грн
25+208.26 грн
100+161.79 грн
250+119.86 грн
500+113.92 грн
1000+112.78 грн
3000+104.92 грн
6000+97.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 1 N-CH 3.7mOhm DirectFET 1.8V Vgs
на замовлення 4903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6616TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 106 A, 5000 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 19A 7-Pin Direct-FET MX T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617IRF09+
на замовлення 14818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617TR1International RectifierTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617TR1International RectifierTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+36.56 грн
1001+31.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617TR1PBFIOR2006
на замовлення 898 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC
на замовлення 4202 шт:
термін постачання 231-240 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6617TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.0062 ohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET ST
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6617TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.0062 ohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET ST
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618IOR04+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618-8IOR2006
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618PBF-6IOR2007
на замовлення 956 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618PBF-8IOR2007
на замовлення 2311 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618TR1IR
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618TR1PBFIOR2007
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6618TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 0.0017 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 7-Pin Direct-FET MT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V N-CH 2.2mOhm HEXFET 43 nC
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 313-322 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 170A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.92 грн
10+155.74 грн
100+108.36 грн
500+82.70 грн
1000+76.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6618TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 170 A, 0.0017 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 170
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 89
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.64
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6618TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+191.30 грн
10+172.14 грн
25+165.29 грн
100+135.77 грн
250+113.64 грн
500+106.43 грн
1000+99.34 грн
3000+80.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6619Infineon TechnologiesMOSFETs 20V 1 N-CH 1.65mOhm DirectFET 2.0V VGS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6619Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5040 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+99.19 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6619Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5040 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.82 грн
10+106.19 грн
100+95.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6619TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5040 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.82 грн
10+106.71 грн
100+93.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6619TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5040 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+96.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6619TR1PBFIOR2006
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6619TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5040 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+105.36 грн
2000+96.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6619TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5040 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6619TRPBF
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620IOR2006
на замовлення 209 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620IRPBF
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TR1IR0527+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TR1PBFIR06+
на замовлення 10603 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TR1PBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 A, 0.0021 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 89
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45
Verlustleistung: 89
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TRPBFInternational RectifierDescription: IRF6620 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 10 V
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+55.68 грн
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6620TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 150 A, 0.0021 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 89
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 27A 7-Pin Direct-FET MX T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6620TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 20V 1 N-CH 2.7mOhm DirectFET 28nC
на замовлення 3817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6621Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6621PBF-6IOR2007
на замовлення 949 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6621PBF-8IOR2007
на замовлення 15310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6621TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6621TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6621TR1PBFIOR2006
на замовлення 918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6621TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6621TRPBFIOR2007
на замовлення 638 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6621TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6621TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SQ
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6622TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 13 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6622TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 34W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 59A (Tc)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6622TRPBF
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TR1Infineon TechnologiesMOSFET 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TR1PBFIR07+ SMD
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6623TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 55 A, 5700 µohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET ST
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 4103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TRPBFInfineon TechnologiesIRF6623TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 20V 16A 7-Pin Direct-FET ST T/R Si - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6623TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
на замовлення 2802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.33 грн
10+137.82 грн
100+95.21 грн
500+72.27 грн
1000+67.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]