Продукція > IRL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRLSL4030Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL4030PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+208.62 грн
500+196.83 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL4030PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.10 грн
15+52.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL4030PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL4030PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.51 грн
10+170.95 грн
25+152.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL4030PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLSL4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0034 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 180
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 370
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 370
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL4030PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL4030PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+208.62 грн
500+196.83 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL4030PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL4030PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+196.55 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL4030PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLTS2242TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.57 грн
27+30.16 грн
100+17.80 грн
500+13.59 грн
1000+11.22 грн
5000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBFMOSFET 20V 6.9A (55A pulse), P Channel TSOP-6
на замовлення 62 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
11+45.44 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 34588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.79 грн
21+36.69 грн
100+23.10 грн
500+17.21 грн
1000+14.24 грн
3000+10.81 грн
6000+9.93 грн
9000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.71 грн
6000+8.53 грн
9000+8.12 грн
15000+7.18 грн
21000+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.9A; 2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.89 грн
16+26.75 грн
100+16.94 грн
500+12.50 грн
1000+10.82 грн
3000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBFON SemiconductorP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 905 @ 10, Qg, нКл = 12, Rds = 32 мОм, Ugs(th) = 1,1, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 474000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.13 грн
6000+12.06 грн
9000+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs P-CHANNEL -20V -6.9A 32mOhm -2.5V capabl
на замовлення 22336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 474000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.96 грн
6000+11.91 грн
9000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBF
Код товару: 106324
Додати до обраних Обраний товар
International RectifierТранзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBFInfineonMOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP Транзистори
на замовлення 200 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
12+27.74 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.33 грн
12+25.29 грн
100+16.17 грн
500+11.48 грн
1000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+28.67 грн
512+27.64 грн
1000+26.73 грн
2500+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 34588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
383+36.94 грн
609+23.26 грн
787+17.97 грн
1000+15.48 грн
3000+11.33 грн
6000+10.00 грн
9000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 383 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
472+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 472 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLTS6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.014 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.40 грн
500+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3049+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 3049 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.88 грн
9000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.18 грн
6000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.04 грн
9000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLTS6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.014 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.23 грн
50+23.82 грн
100+20.40 грн
500+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable
на замовлення 8826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
705+20.08 грн
1250+11.31 грн
1328+10.65 грн
3000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 705 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.61 грн
23+32.91 грн
26+29.97 грн
100+21.18 грн
250+18.36 грн
500+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2W; TSOP6
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 8.3A
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 754 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.42 грн
19+23.06 грн
25+19.46 грн
50+17.02 грн
100+15.18 грн
500+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBFIRLTS6342TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 110 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 25 V
на замовлення 6911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
13+24.68 грн
100+15.77 грн
500+11.20 грн
1000+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014
Код товару: 36936
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014ATU
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 6A, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014NPBFInfineon / IRMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 140mOhms 5.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.52 грн
75+60.32 грн
150+54.17 грн
525+42.62 грн
1050+39.06 грн
2025+36.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.09 грн
10+42.44 грн
11+38.41 грн
50+33.55 грн
75+32.88 грн
150+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014PBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
на замовлення 2181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+75.04 грн
197+72.02 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024IR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ, Vdss В = 55, Id = 17 A, Ptot, Вт = 45, Тип монт. = выводной, Rds = 65 мОм, Qg,нКл = 15, Tэксп, °C = -55...+175, Vgs(th) = 5, Входная ёмкость = 480 пФ (при напряжении 25 В),... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 600 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NInternational RectifierTranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU024N; IRLU 024 N; IRLU024N; IRLU024N TIRLU024n
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
75+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024N
Код товару: 32876
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 17 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 480/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 3720 шт
  • 3444 шт - склад
  • 68 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 75 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 133 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+21.00 грн
10+19.00 грн
100+17.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NInternational RectifierTranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU024N; IRLU 024 N; IRLU024N; IRLU024N TIRLU024n
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
75+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
на замовлення 34509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.41 грн
75+53.98 грн
150+48.38 грн
525+37.90 грн
1050+34.65 грн
2025+32.05 грн
5025+28.61 грн
10050+26.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
358+39.57 грн
Мінімальне замовлення: 358 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+61.95 грн
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 78624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+58.53 грн
285+49.76 грн
324+43.67 грн
525+38.01 грн
1050+34.85 грн
2025+30.61 грн
5025+27.24 грн
10050+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.065 R, P=45W, -55 to +175C), логический уровень перекл-я, Pb-free.... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 20938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.53 грн
12000+34.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl
на замовлення 12771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.53 грн
12000+34.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 46W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 15350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.11 грн
11+75.68 грн
100+49.10 грн
500+35.10 грн
1000+30.17 грн
5000+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.32 грн
12+37.66 грн
25+34.22 грн
50+31.87 грн
75+31.03 грн
150+29.18 грн
525+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 78640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.92 грн
75+49.25 грн
150+43.21 грн
525+37.62 грн
1050+34.49 грн
2025+30.30 грн
5025+26.97 грн
10050+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBFInternational RectifierTO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBF (транзистор)
Код товару: 73061
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 17 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 480/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 176 шт
  • 142 шт - склад
  • 28 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+30.00 грн
10+27.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBF /IRIR08+;
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024PBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
на замовлення 5538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.12 грн
10+83.26 грн
100+74.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.60 грн
75+72.73 грн
150+65.60 грн
525+52.03 грн
1050+47.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 16A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024ZPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 16A I-PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024ZPBFIR07+
на замовлення 55650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU110Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU110Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU110ATUonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.7A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 2.35A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU110ATUFSCMIX06
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+86.33 грн
192+73.83 грн
215+66.02 грн
525+55.35 грн
1050+50.45 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+74.47 грн
1050+58.79 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU110PBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
на замовлення 5727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU110PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 6.1nC
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+53.34 грн
10+51.41 грн
25+47.80 грн
75+36.15 грн
150+34.89 грн
1050+32.88 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.66 грн
75+73.25 грн
150+65.50 грн
525+54.93 грн
1050+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU110PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 4811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.36 грн
75+63.84 грн
150+57.39 грн
525+45.24 грн
1050+41.50 грн
2025+38.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU120Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU120ATU
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU120NInternational RectifierN-MOSFET 10A 100V 48W IRLU120N TIRLU120n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+35.69 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48  [ Наступна Сторінка >> ]