Продукція > IRL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRLTS6342TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.35 грн
22+19.37 грн
25+17.19 грн
50+15.68 грн
100+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLTS6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.014 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014
Код товару: 36936
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014ATU
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014NPBFInfineon / IRMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 140mOhms 5.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014PBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.32 грн
9+49.14 грн
10+45.04 грн
50+38.07 грн
75+35.73 грн
150+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+83.97 грн
184+77.06 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.79 грн
75+77.00 грн
150+69.41 грн
525+55.01 грн
1050+50.63 грн
2025+47.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.04 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU014PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024IR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ, Vdss В = 55, Id = 17 A, Ptot, Вт = 45, Тип монт. = выводной, Rds = 65 мОм, Qg,нКл = 15, Tэксп, °C = -55...+175, Vgs(th) = 5, Входная ёмкость = 480 пФ (при напряжении 25 В),... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 600 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024N
Код товару: 32876
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 480/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
очікується: 3000 шт
  • 3000 шт - очікується 05.10.2026
на замовлення: 50 шт
  • 50 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+21.00 грн
10+19.00 грн
100+17.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NInternational RectifierTranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU024N; IRLU 024 N; IRLU024N; IRLU024N TIRLU024n
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
75+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NInternational RectifierTranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU024N; IRLU 024 N; IRLU024N; IRLU024N TIRLU024n
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 375 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
75+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.74 грн
11+41.43 грн
25+37.49 грн
50+34.97 грн
75+34.13 грн
150+32.20 грн
525+29.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+177.37 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBFInternational RectifierTO-251 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 16558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl
на замовлення 6713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
на замовлення 31780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.06 грн
10+75.18 грн
75+52.72 грн
150+44.35 грн
525+37.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 46W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 12111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 103190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.18 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.065 R, P=45W, -55 to +175C), логический уровень перекл-я, Pb-free.... Транзистори Корпус: I-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 103190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+140.18 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBF (транзистор)
Код товару: 73061
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 17 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,065 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 480/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 170 шт
  • 132 шт - склад
  • 33 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+30.00 грн
10+27.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBF /IRIR08+;
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.12 грн
10+83.26 грн
100+74.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024PBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
на замовлення 4859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024ZPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 16A I-PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024ZPBFIR07+
на замовлення 55650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 16A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU110Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU110Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU110ATUFSCMIX06
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU110ATUonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.7A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 2.35A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU110PBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU
на замовлення 5497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.02 грн
75+76.81 грн
150+65.00 грн
525+56.59 грн
1050+51.88 грн
2025+49.31 грн
5025+46.55 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU110PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 4811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.36 грн
75+63.84 грн
150+57.39 грн
525+45.24 грн
1050+41.50 грн
2025+38.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 7280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
420+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU110PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+111.09 грн
8+54.85 грн
10+50.91 грн
25+46.29 грн
50+42.94 грн
75+41.43 грн
150+38.58 грн
1050+31.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU110PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+83.30 грн
185+76.70 грн
1050+67.85 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU120Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU120ATU
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU120NInternational RectifierN-MOSFET 10A 100V 48W IRLU120N TIRLU120n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+35.69 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU120NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU120NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU120NPBFInternational RectifierI-Pak Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU120NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU120NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 11A 185mOhm 13.3nC LogLv
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU120NPBF
Код товару: 48939
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,185 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 440/20
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8542 31 90 00
товару немає в наявності
2+18.00 грн
10+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU120NPBFVBSEMII-Pak Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU120NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU120PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU120PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU120PBFVISHAY
на замовлення 14100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU130ATU
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU210ATUonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU230ATUonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2703Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2703PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 22A 45mOhm 10nC Log Lvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2703PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2705Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 28A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2705PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 24A 40mOhm 16.7nC LogLvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905
Код товару: 189658
Додати до обраних Обраний товар
JSMicroТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 35 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,025 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 670/11
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+32.00 грн
10+28.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905HRInfineon TechnologiesDescription: IRLU2905HR
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905HRInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905PBF
Код товару: 184659
2 Додати до обраних Обраний товар
VBsemiТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 35 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,032 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1100/46
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 76 шт
  • 39 шт - склад
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+38.50 грн
10+35.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 42A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905PBF
Код товару: 45467
2 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 42 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,027 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1700/48
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 88 шт
  • 80 шт - склад
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+39.00 грн
10+34.70 грн
100+30.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905PBFInfineon TechnologiesMOSFETs PLANAR 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905Z
Код товару: 182753
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 42 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 13,5 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1570/23
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+55.00 грн
10+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 5414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.17 грн
10+81.36 грн
100+69.23 грн
500+61.24 грн
1000+47.81 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905ZPBFInternational RectifierMOSFET N-CH, 55V, 42A, I-PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905ZPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 60A 13.5mOhm 23nC LogLvl
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU2905ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLU2905ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 60 A, 0.011 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.