Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 39 40 41 42 43 44 45 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN67D8LW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
на замовлення 51516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+17.96 грн
23+14.13 грн
100+4.42 грн
1000+2.76 грн
2500+2.35 грн
10000+2.00 грн
20000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.24 грн
20000+1.95 грн
30000+1.85 грн
50000+1.62 грн
70000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 80165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.98 грн
37+8.23 грн
100+5.06 грн
500+3.47 грн
1000+3.06 грн
2000+2.70 грн
5000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 114215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.32 грн
49+6.21 грн
100+4.14 грн
500+2.95 грн
1000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7143+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 7143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 25 V
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.46 грн
6000+2.14 грн
9000+2.02 грн
15000+1.77 грн
21000+1.70 грн
30000+1.62 грн
75000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LW-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN67D8LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN68M7SCTDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220-3 TUBE 50PCS
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.37 грн
10+79.39 грн
100+62.48 грн
500+59.16 грн
1000+50.46 грн
2500+48.74 грн
5000+47.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN68M7SCTDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN68M7SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 68 V, 100 A, 0.0062 ohm, TO-220AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 68V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN68M7SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220-3 T
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 68 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+64.63 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN68M7SCTDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN68M7SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 68 V, 100 A, 0.0062 ohm, TO-220AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 68V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.28 грн
10+86.18 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN7022LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN7022LFG-13Diodes IncorporatedMOSFET 75V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.5A 2737pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN7022LFG-7Diodes IncorporatedMOSFET 75V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.5A 2737pF
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN7022LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN7022LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWRDI3333-8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN7022LFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN7022LFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN80H2D0SCTIDiodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 651V-800V
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN8100 COLSILOGIC02+
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN8100COLSI
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN8102LSIBGA
на замовлення 9360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN8600-D0LSI04+ BGA2727
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN8602-B0LSI
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN8602B0
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN8602BOLSIQFP
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN8652LSI06+;
на замовлення 957 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN8652BOLSI
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN8802-BC
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN8802BOLSILOGIC
на замовлення 426 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN90H2D2HCTIDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: >800V ITO-220AB TUBE 50PCS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN90H8D5HCTDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN90H8D5HCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.5 A, 5.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN90H8D5HCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.41 грн
10+86.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN90H8D5HCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: >800V TO220AB TUBE 50PCS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN90H8D5HCTIDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: >800V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.56 грн
10+84.15 грн
50+61.99 грн
100+52.81 грн
500+44.80 грн
1000+36.45 грн
2500+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN95H2D2HCTIDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: >800V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.91 грн
10+135.76 грн
100+93.20 грн
250+86.29 грн
500+78.01 грн
1000+68.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN95H8D5HCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: >800V TO220AB TUBE 50PCS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN95H8D5HCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN95H8D5HCTIDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.41 грн
10+85.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN95H8D5HCTIDiodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: >800V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.01 грн
10+80.98 грн
100+54.26 грн
500+44.80 грн
1000+35.35 грн
2500+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNF1-285-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNF1-285FIB-3KPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNF1-285FIB-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNF1-288-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNF1-288FIB-3KPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNF1-288FIB-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNF1-485FIB-3KPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNF1-488-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNF1-488FIB-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187
Contact Material: Electrolytic Copper
Tab Width: 0.187" (4.75mm)
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Termination: Crimp
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Terminal Type: Standard
Insulation: Fully Insulated
Wire Gauge: 18-22 AWG
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Color: Red
Gender: Female
Features: Butted Seam
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNF1-488FIB-MPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187
Features: Butted Seam
Packaging: Bulk
Gender: Female
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.187" (4.75mm)
Contact Material: Electrolytic Copper
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNF1-63-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNF1-63FIB-3KPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNF1-63FIB-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250
Features: Butted Seam
Packaging: Bulk
Gender: Female
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.878" (22.30mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Contact Material: Electrolytic Copper
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNF1-63FIM-2KPanduit CorpDescription: CONN QC TAB 18-22AWG 0.250 CRIMP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNF1-63FIM-LPanduit CorpDescription: CONN QC TAB 18-22AWG 0.250 CRIMP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNF1-63FIMX-2KPanduit CorpDescription: CONN QC TAB 18-24AWG 0.250 CRIMP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNF1-63M-CPanduit CorpDescription: CONN QC TAB 18-22AWG 0.250 CRIMP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNF2-288-CPanduitQuick Disconnect Terminal 13-15AWG Blue F 18.8mm Tin
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+745.93 грн
40+593.32 грн
60+324.40 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNF2-288-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.110
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNF2-488-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.187
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNF2-488FIB-3KPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.187
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNF2-488FIB-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.187
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNF2-63-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNF2-63FIB-CPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250
Features: Butted Seam
Packaging: Bulk
Gender: Female
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.839" (21.30mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Contact Material: Electrolytic Copper
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNF2-63FIBX-2KPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNF6-63FIB-2KPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 10-12AWG 0.250
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNF6-63M-LPanduit CorpDescription: CONN QC TAB 10-12AWG 0.250 CRIMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNFR1485FIB-KDPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNFR163FIB-KDPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNFR263FIB-KDPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250
Part Status: Obsolete
Contact Material: Electrolytic Copper
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Termination: Crimp
Terminal Type: Angled - 90°
Insulation: Fully Insulated
Wire Gauge: 14-16 AWG
Mounting Type: Free Hanging (In-Line), Right Angle
Color: Blue
Gender: Female
Features: Butted Seam
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNG1-63FL-3KPanduit CorpDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H021SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H028SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.70 грн
10+111.51 грн
100+86.96 грн
500+67.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H028SCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H028SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.14 грн
5000+36.82 грн
12500+36.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H028SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 100Vds 20Vgs 125W
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.45 грн
10+88.12 грн
100+52.88 грн
500+44.80 грн
1000+37.49 грн
2500+32.52 грн
5000+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H028SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H028SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.26 грн
10+97.15 грн
100+68.95 грн
500+55.06 грн
1000+50.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H028SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V 175c N-Ch FET 28mOhm 10V 55A
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.38 грн
10+112.73 грн
100+67.10 грн
500+53.64 грн
1000+51.98 грн
2500+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H028SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H028SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
на замовлення 7420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.42 грн
10+72.84 грн
100+56.61 грн
500+45.03 грн
1000+36.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H028SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.69 грн
5000+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H028SPS-13Diodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET 175c 20Vgss 1.6W
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.48 грн
10+82.56 грн
100+55.78 грн
500+47.29 грн
1000+38.52 грн
2500+34.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H028SPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET 175c 20Vgss 1.6W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H028SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.45 грн
10+115.17 грн
100+91.69 грн
500+72.81 грн
1000+61.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H028SPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.94 грн
5000+60.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH15H110SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH15H110SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH15H110SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.07 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.83 грн
14+59.92 грн
100+43.17 грн
500+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH15H110SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH15H110SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.07 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.17 грн
500+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH15H110SK3-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 101V 250V TO252 T&R 2.5K
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.79 грн
10+77.72 грн
100+52.67 грн
500+43.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH15H110SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH15H110SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.07 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.11 грн
30+27.54 грн
100+26.98 грн
500+24.83 грн
1000+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH15H110SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 989 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH15H110SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMNH15H110SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27 A, 0.07 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+24.83 грн
1000+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH3010LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/55A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH3010LK3-13Diodes IncorporatedMOSFET 175c N-Ch Enh FET 30V 9.5mOhm 10V 55A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH4004SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 39 40 41 42 43 44 45 46  [ Наступна Сторінка >> ]