Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF6644TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 28800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+87.37 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 26832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.65 грн
500+130.54 грн
1000+119.95 грн
10000+103.22 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.43 грн
10+118.67 грн
25+112.18 грн
100+87.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.013 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 258452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.65 грн
500+130.54 грн
1000+119.95 грн
10000+103.22 грн
100000+80.08 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
на замовлення 5269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.08 грн
10+163.95 грн
50+126.47 грн
100+107.34 грн
500+87.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 9560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+125.13 грн
128+111.01 грн
130+109.13 грн
500+104.34 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 28800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+87.05 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 6604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.65 грн
500+130.54 грн
1000+119.95 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+118.36 грн
135+104.59 грн
137+103.60 грн
146+93.77 грн
153+82.82 грн
250+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+143.43 грн
119+118.67 грн
126+112.18 грн
155+87.90 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 171243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.65 грн
500+130.54 грн
1000+119.95 грн
10000+103.22 грн
100000+80.08 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 8389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.65 грн
500+130.54 грн
1000+119.95 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vg
на замовлення 8499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.013 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 151875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.65 грн
500+130.54 грн
1000+119.95 грн
10000+103.22 грн
100000+80.08 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 4588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.65 грн
500+130.54 грн
1000+119.95 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.93 грн
10+104.21 грн
25+103.22 грн
50+93.42 грн
100+82.53 грн
250+72.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645Infineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Packaging: Tube
Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRInfineonN-MOSFET 100V 5.7A 35mΩ 2.2W IRF6645TR Infineon TIRF6645
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+73.78 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TR1PBF
Код товару: 32430
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 4078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
449+78.61 грн
500+70.76 грн
1000+65.25 грн
Мінімальне замовлення: 449 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+108.44 грн
10+86.21 грн
25+64.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET SJ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 4546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.36 грн
10+110.65 грн
100+79.94 грн
500+62.06 грн
1000+51.73 грн
2500+49.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 3379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
449+78.61 грн
500+70.76 грн
1000+65.25 грн
Мінімальне замовлення: 449 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.7A; 42W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 42W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 6412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
449+78.61 грн
500+70.76 грн
1000+65.25 грн
Мінімальне замовлення: 449 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.52 грн
10+103.99 грн
100+70.70 грн
500+52.99 грн
1000+48.70 грн
2000+47.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 4546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+169.36 грн
128+110.65 грн
177+79.94 грн
500+62.06 грн
1000+51.73 грн
2500+49.08 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SJ
на замовлення 9810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET SJ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6645TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 28721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
449+78.61 грн
500+70.76 грн
1000+65.25 грн
10000+56.10 грн
Мінімальне замовлення: 449 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6646Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6646Infineon / IRMOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 36nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6646TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6646TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6646TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6646TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 36nC
на замовлення 9550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6646TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 12A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 29168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.38 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6646TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 12A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 4304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+112.99 грн
126+112.24 грн
127+107.49 грн
250+98.86 грн
500+94.26 грн
1000+93.61 грн
3000+92.96 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6646TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.34 грн
10+114.66 грн
100+78.75 грн
500+59.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6646TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 12A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 29168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+107.38 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6646TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 12A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 75862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+147.00 грн
500+141.12 грн
1000+132.89 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6646TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 12A 7-Pin Direct-FET MN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6646TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+54.16 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6646TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 12A 7-Pin Direct-FET MN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6646TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 12A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 13281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+147.00 грн
500+141.12 грн
1000+132.89 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6646TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 12A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+111.01 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6646TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 12A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 4304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.74 грн
10+112.99 грн
25+112.24 грн
100+107.49 грн
250+98.86 грн
500+94.26 грн
1000+93.61 грн
3000+92.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648Infineon TechnologiesMOSFETs 60V 1 N-CH 5.5mOhm DirectFET 36nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBF
Код товару: 167334
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF6648TRPBF
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+139.94 грн
500+125.83 грн
1000+116.15 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 8617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+139.94 грн
500+125.83 грн
1000+116.15 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.23 грн
10+143.99 грн
50+110.53 грн
100+93.60 грн
500+75.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 3159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 86A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 86A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 3468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+187.61 грн
109+129.59 грн
500+107.35 грн
1000+99.78 грн
2500+91.53 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 60V 1 N-CH 5.5mOhm DirectFET 36nC
на замовлення 23252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.07 грн
10+105.12 грн
25+104.06 грн
100+87.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 3328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+264.17 грн
78+181.10 грн
111+127.43 грн
500+99.15 грн
1000+87.49 грн
2500+82.76 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 3159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 17090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+139.94 грн
500+125.83 грн
1000+116.15 грн
10000+99.86 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 3332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+277.13 грн
10+180.77 грн
100+127.10 грн
500+101.87 грн
1000+90.96 грн
2500+84.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6648TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 5011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+128.89 грн
124+113.84 грн
145+97.84 грн
500+83.55 грн
1000+70.22 грн
2000+62.90 грн
4800+61.69 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6655TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 25µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6655TR1Infineon / IRMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6655TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6655TR1PBFInfineon / IRMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6655TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SH
на замовлення 3241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6655TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6655TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 25µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBFInternational RectifierDescription: IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
на замовлення 8018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+118.90 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBFInfineon
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.99 грн
10+135.38 грн
100+94.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6662TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.022 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+125.83 грн
500+121.13 грн
1000+113.96 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBF
Код товару: 87232
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 10852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.20 грн
10+112.52 грн
25+110.84 грн
50+105.25 грн
100+95.95 грн
250+90.67 грн
500+89.23 грн
1000+87.78 грн
3000+86.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBFInfineon / IRMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MZ
на замовлення 3688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6662TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.022 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 10852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+114.20 грн
126+112.52 грн
128+110.84 грн
130+105.25 грн
132+95.95 грн
250+90.67 грн
500+89.23 грн
1000+87.78 грн
3000+86.34 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6665Infineon TechnologiesMOSFETs DIGITAL AUDIO 100V 1 N-CH HEXFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6665IRF6665 Транзисторы HEXFRED
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]