Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+85.26 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+85.83 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+198.43 грн
80+179.01 грн
82+172.87 грн
102+134.36 грн
250+120.61 грн
500+97.11 грн
1000+77.42 грн
3000+71.61 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+59.25 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 8393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
352+100.88 грн
500+96.58 грн
1000+91.22 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.64 грн
10+89.78 грн
25+87.15 грн
100+76.44 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+67.72 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+73.06 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC
на замовлення 7254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164.56 грн
10+112.42 грн
100+72.62 грн
500+60.54 грн
1000+55.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6674TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6674TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6674TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+135.53 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6674TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6674TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 67 A, 0.009 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 67
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 89
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 89
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6674TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+135.84 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6674TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 13524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.40 грн
10+127.24 грн
100+100.52 грн
500+85.25 грн
1000+84.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6674TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 24nC
на замовлення 8141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+171.08 грн
10+142.13 грн
100+97.76 грн
500+92.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6674TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6674TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 67A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 67A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 89W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6674TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+340.20 грн
59+240.98 грн
71+201.99 грн
100+184.53 грн
200+169.80 грн
500+147.82 грн
1000+138.71 грн
2000+135.68 грн
4800+131.62 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6674TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6674TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 67 A, 0.009 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 89
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6674TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+95.15 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6678Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6678Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 7-Pin Direct-FET MX
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+166.56 грн
500+159.47 грн
1000+151.20 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6678TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6678TR1IOR05+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6678TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6678TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6678TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6678TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6691IR
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6691Infineon TechnologiesMOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6691Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6691Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6691PBFIOR2007
на замовлення 944 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6691TR1IOR2007
на замовлення 835 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6691TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 10 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6691TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6691TR1PBFIOR2007
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6691TRPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6691TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF66L8-25Infineon TechnologiesPower Management IC Development Tools DIRECTFET-LV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF66MN-25Infineon TechnologiesPower Management IC Development Tools DIRECTFET-LV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF66MX-25Infineon TechnologiesPower Management IC Development Tools DIRECTFET-LV
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1053.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF66MZ-25Infineon TechnologiesPower Management IC Development Tools DIRECTFET-LV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF66S1-25Infineon TechnologiesPower Management IC Development Tools DIRECTFET-LV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6702M2DTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6702M2DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.7W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6706S2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 13 V
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.84 грн
10+60.74 грн
100+53.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6706S2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 13 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6706S2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6708S2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET S1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6708S2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET S1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6709S2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6709S2TRPBFInfineon / IRMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 7.8mOhms 8.1nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6709S2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6710S2PBFIOR2007
на замовлення 694 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6710S2PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6710S2TR1PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6710S2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6710S2TRPBFInfineon / IRMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 5.9mOhms 8.8nC
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6710S2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 15W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6711STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6711STRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 25V 19A/84A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 13 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+77.53 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS HEXFET
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.38 грн
10+122.06 грн
100+88.68 грн
250+86.59 грн
500+72.62 грн
1000+61.24 грн
2500+57.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 36W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 2209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
459+77.26 грн
500+73.97 грн
1000+69.86 грн
Мінімальне замовлення: 459 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: DirectFET SQ
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.42 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
459+77.26 грн
500+73.97 грн
1000+69.86 грн
Мінімальне замовлення: 459 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 4238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.32 грн
25+51.53 грн
50+48.93 грн
100+44.59 грн
250+42.12 грн
500+41.44 грн
1000+40.76 грн
3000+40.08 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6712STRPBF - IRF6712 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+54.38 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R
на замовлення 4238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+52.32 грн
276+51.53 грн
280+50.74 грн
284+48.16 грн
289+43.88 грн
500+41.44 грн
1000+40.76 грн
3000+40.08 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6713STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6713STR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6713STRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 25V 22A/95A DIRECTFT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Packaging: Bulk
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+107.88 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6714MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6714MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6714MTRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECT
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 166A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 56738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+99.74 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6714MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
331+107.30 грн
500+102.75 грн
1000+97.03 грн
Мінімальне замовлення: 331 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6714MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6714MTRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6714MTRPBF - IRF6714 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 57902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+87.17 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6714MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
331+107.30 грн
500+102.75 грн
1000+97.03 грн
Мінімальне замовлення: 331 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6714MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.90 грн
10+103.01 грн
25+94.78 грн
100+88.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6714MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+103.01 грн
150+94.78 грн
154+92.05 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6714MTRPBFInfineon / IRMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 2.1mOhms 29nC
на замовлення 4753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.41 грн
10+178.27 грн
100+124.29 грн
500+102.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6714MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
331+107.30 грн
500+102.75 грн
1000+97.03 грн
Мінімальне замовлення: 331 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6714MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6714MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+154.54 грн
100+141.93 грн
101+136.02 грн
102+125.17 грн
250+119.42 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms 40nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6715MTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 180A; 78W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 180A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 78W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]