Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF6655TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SH
на замовлення 3241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6655TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 10852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+114.20 грн
126+112.52 грн
128+110.84 грн
130+105.25 грн
132+95.95 грн
250+90.67 грн
500+89.23 грн
1000+87.78 грн
3000+86.34 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6662TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.022 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBF
Код товару: 87232
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBFInfineon
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBFInternational RectifierDescription: IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
на замовлення 8018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+117.53 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+125.83 грн
500+121.13 грн
1000+113.96 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.50 грн
10+133.83 грн
100+92.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6662TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.022 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 10852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.20 грн
10+112.52 грн
25+110.84 грн
50+105.25 грн
100+95.95 грн
250+90.67 грн
500+89.23 грн
1000+87.78 грн
3000+86.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBFInfineon / IRMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MZ
на замовлення 3688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6665IRF6665 Транзисторы HEXFRED
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6665Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Packaging: Tube
Package / Case: DirectFET™ Isometric SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6665Infineon TechnologiesMOSFETs DIGITAL AUDIO 100V 1 N-CH HEXFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6665TR1IRF6665TR1 Транзисторы HEXFRED
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6665TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6665TR1PBFIOR2006
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6665TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SH
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6665TR1PBFInternational RectifierN-Channel 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6665TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6665TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio
на замовлення 4644 шт:
термін постачання 469-478 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6665TRPBFInfineon TechnologiesIRF6665TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 100V 4.2A 6-Pin Direct-FET SH T/R Si - Arrow.com
на замовлення 5752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
617+57.28 грн
1000+54.09 грн
Мінімальне замовлення: 617 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6665TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6665TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.053 ohm, DirectFET SH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET SH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6665TRPBFInfineon TechnologiesIRF6665TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 100V 4.2A 6-Pin Direct-FET SH T/R Si - Arrow.com
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
617+57.28 грн
1000+54.09 грн
Мінімальне замовлення: 617 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6665TRPBFInfineon TechnologiesIRF6665TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 100V 4.2A 6-Pin Direct-FET SH T/R Si - Arrow.com
на замовлення 633870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
617+57.28 грн
1000+54.09 грн
Мінімальне замовлення: 617 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6665TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6665TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.053 ohm, DirectFET SH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 42W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TR1Infineon / IRMOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TR1PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 80V 55A 15mOhm 22nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TR1PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 8393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
352+100.43 грн
500+96.15 грн
1000+90.82 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.20 грн
10+89.38 грн
25+86.76 грн
100+76.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+67.42 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+72.73 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+58.98 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+97.20 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+191.80 грн
10+168.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+119.47 грн
126+112.47 грн
138+102.54 грн
500+88.32 грн
1000+72.36 грн
2500+67.29 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 7461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
352+100.43 грн
500+96.15 грн
1000+90.82 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+93.80 грн
152+93.08 грн
200+87.68 грн
1000+81.08 грн
2000+77.62 грн
4800+75.87 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC
на замовлення 7254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+84.88 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+85.45 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+197.55 грн
80+178.22 грн
82+172.10 грн
102+133.77 грн
250+120.08 грн
500+96.68 грн
1000+77.08 грн
3000+71.29 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.11 грн
10+109.12 грн
100+82.67 грн
500+62.52 грн
1000+56.31 грн
2000+53.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6674TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6674TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6674TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6674TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+338.69 грн
59+239.90 грн
71+201.10 грн
100+183.71 грн
200+169.05 грн
500+147.17 грн
1000+138.10 грн
2000+135.07 грн
4800+131.04 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6674TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6674TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 67 A, 0.009 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 89
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6674TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 13524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.67 грн
10+126.67 грн
100+100.07 грн
500+84.87 грн
1000+84.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6674TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 24nC
на замовлення 8141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6674TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+134.93 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6674TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6674TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 67 A, 0.009 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 67
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 89
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 89
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6674TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+94.73 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6674TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 13.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+135.24 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6678Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 7-Pin Direct-FET MX
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+165.82 грн
500+158.76 грн
1000+150.53 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6678Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6678TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6678TR1IOR05+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6678TR1Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6678TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6678TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6678TRPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6691Infineon TechnologiesMOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6691Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6691Infineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6691IR
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6691PBFIOR2007
на замовлення 944 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6691TR1IOR2007
на замовлення 835 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6691TR1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 10 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6691TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6691TR1PBFIOR2007
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6691TRPBFInfineon / IRMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6691TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF66L8-25Infineon TechnologiesPower Management IC Development Tools DIRECTFET-LV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF66MN-25Infineon TechnologiesPower Management IC Development Tools DIRECTFET-LV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF66MX-25Infineon TechnologiesPower Management IC Development Tools DIRECTFET-LV
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF66MZ-25Infineon TechnologiesPower Management IC Development Tools DIRECTFET-LV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF66S1-25Infineon TechnologiesPower Management IC Development Tools DIRECTFET-LV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6702M2DTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6702M2DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.7W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6706S2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 13 V
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.51 грн
10+60.47 грн
100+53.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6706S2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 13 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6706S2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6708S2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET S1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6708S2TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET S1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6709S2TR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric S1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]