Продукція > 2SA

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 54 60 65  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SA2153onsemi BIP PNP 2A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2153-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.08 грн
21+36.63 грн
100+23.79 грн
500+17.53 грн
1000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2153-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A PCP
Power - Max: 3.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 420MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2153-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1183+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 1183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2153-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2153-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.84 грн
50+15.24 грн
100+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2153-TD-EON Semiconductor
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2153-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2153-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 420MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2153-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+16.31 грн
2000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2153-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 14920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2110+16.73 грн
10000+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 2110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2153-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2153-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.66 грн
21+36.61 грн
100+23.77 грн
500+17.52 грн
1000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2153-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 89999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2110+16.73 грн
10000+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 2110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2153-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1313+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 1313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2153-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2153-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 420MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2153-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A PCP
Power - Max: 3.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 420MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.94 грн
11+28.52 грн
100+18.38 грн
500+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2153-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
998+35.37 грн
1082+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 998 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2153-TD-EONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.3W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Frequency: 420MHz
Polarisation: bipolar
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2153-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2153-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+36.63 грн
594+23.79 грн
777+18.18 грн
1000+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 386 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2153-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 26900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2110+16.73 грн
10000+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 2110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2153-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+16.31 грн
2000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154CT-GR(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - BJT 100mA -50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154CT-GR,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.1A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 15620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.78 грн
28+10.65 грн
100+6.64 грн
500+4.58 грн
1000+4.04 грн
2000+3.59 грн
5000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154CT-GR,L3FToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 145503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154CT-GR,L3FToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.1A 100mW 3-Pin CST T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154CT-GR,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.1A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154CT-GR,L3F(BToshiba2SA2154CT-GR,L3F(B
на замовлення 9480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1197+11.80 грн
1237+11.41 грн
2500+11.07 грн
5000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 1197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154CT-GR,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA2154CT-GR,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 100 mW, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154CT-GR,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA2154CT-GR,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 100 mW, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CST
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154CT-GR,L3F(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.1A 50000mW 3-Pin CST T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154CT-Y(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.1A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154CT-Y(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - BJT 100mA -50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154CT-Y,L3F(BToshiba2SA2154CT-Y,L3F(B
на замовлення 350000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6397+5.51 грн
10000+4.92 грн
100000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 6397 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154CT-Y,L3F(BToshiba2SA2154CT-Y,L3F(B
на замовлення 260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6397+5.51 грн
10000+4.92 грн
100000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 6397 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154CT-Y,L3F(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.1A 100mW 3-Pin CST T/R
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
869+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 869 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFVToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFV-GRTOSHIBASOT23
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFV-GR(TPL3Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFV-GR(TPL3ToshibaBipolar Transistors - BJT -150mA -50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFV-GR(TPL3ToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1737+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 1737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFV-YTOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 6363 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFV-Y(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - BJT -150mA -50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFV-Y(TPL3)ToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1563+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 1563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFV-Y,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 15186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.60 грн
44+6.92 грн
100+4.25 грн
500+2.90 грн
1000+2.54 грн
2000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFV-Y,L3FToshibaBipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT723 50V
на замовлення 7890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFV-Y,L3FToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFV-Y,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFV-Y,L3F(BToshiba2SA2154MFV-Y,L3F(B
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3948+3.58 грн
4066+3.47 грн
5000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3948 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFV-Y,L3F(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFV-Y,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA2154MFV-Y,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFV-Y,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA2154MFV-Y,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFV-Y,L3F(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
на замовлення 8045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4644+3.04 грн
5085+2.78 грн
5103+2.77 грн
8000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 4644 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFV-Y,L3F(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2101+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 2101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFV-Y,L3F(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+9.75 грн
155+4.87 грн
233+3.12 грн
500+2.86 грн
1000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFV-Y,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA2154MFV-Y,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFV-Y,L3F(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
на замовлення 8045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4298+3.28 грн
4688+3.01 грн
4703+3.00 грн
8000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 4298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFV-Y,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA2154MFV-Y,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFV-Y,L3F(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
на замовлення 5695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4323+3.26 грн
4717+2.99 грн
4747+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 4323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFV-YL3F(TToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFVGR,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 7110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.60 грн
44+6.92 грн
100+4.25 грн
500+2.90 грн
1000+2.54 грн
2000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFVGR,L3FToshibaBipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT723 50V
на замовлення 3149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFVGR,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFVGR,L3F(BToshiba2SA2154MFVGR,L3F(B
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4274+3.30 грн
4412+3.20 грн
5000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 4274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFVGR,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA2154MFVGR,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFVGR,L3F(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA2154MFVGR,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFVGR,L3F(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R
на замовлення 4834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2119+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 2119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFVGR,LXG(TToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2154MFVGR,LXG(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA216NECCAN
на замовлення 627 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2160ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2160EROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2161G0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 12V 0.5A SSMINI3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2161G0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 12V 0.5A SSMINI3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2161J0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 12V 0.5A SSMINI3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2161J0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 12V 0.5A SSMINI3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA216200LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 12V 0.5A SSSMINI3
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SSSMini3-F1
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 100 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA216200LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 12V 0.5A SSSMINI3
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SSSMini3-F1
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2162G0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 12V 0.5A SSSMINI3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2162G0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 12V 0.5A SSSMINI3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA216300APanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 20V 0.03A ML3-N2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: ML3-N2
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 100 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA216400LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 20V 0.03A SSSMINI3
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SSSMini3-F1
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2169onsemi BIP PNP 10A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2169-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 10A TP
Power - Max: 950 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: TP
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 580mV @ 250mA, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2169-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 10A 50V
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2169-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 10A 950mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2169-H-TL-Eonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2169-H-TL-EonsemiDescription: IC REG LINEAR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2169-H-TL-ESANYO08+ TO-252
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2169-H-TL-EXonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2169-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2169-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Verlustleistung: 20
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2169-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 10A TP-FA
Power - Max: 950 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 580mV @ 250mA, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2169-TL-EONN
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2169-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 10A 50V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2169-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 10A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 580mV @ 250mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 950 mW
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2169-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 10A 950mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2169-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2169-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 130
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2169-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 10A TP-FA
Power - Max: 950 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 580mV @ 250mA, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA217NECCAN
на замовлення 837 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2174G0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 50V 0.1A SSMINI3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 54 60 65  [ Наступна Сторінка >> ]