Продукція > IRL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 41 42 43 44 45 46 47 48  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRLZ14STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14STRLPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs TO263 N-CH 60V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.41 грн
10+95.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14STRR
на замовлення 753 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14STRRPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs TO263 N-CH 60V 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24SiliconixTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRLZ24 TIRLZ24
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 17A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24L
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24LPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 60V 17 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.28 грн
11+71.97 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 17A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24NInternational RectifierN-MOSFET 18A 55V 45W 0.06Ω IRLZ24N TIRLZ24n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.00 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24N
Код товару: 17389
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 18 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 18A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 18A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 18 А, Ptot, Вт = 45, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 480 @ 25, Qg, нКл = 15 @ 5 В, Rds = 60 мОм @ 11 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLZ24NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 18 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24NPBF
Код товару: 40554
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 18 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 480/15
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 253 шт
  • 199 шт - склад
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 51 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+26.00 грн
10+22.40 грн
100+19.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
692+51.11 грн
1000+47.14 грн
Мінімальне замовлення: 692 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24NPBFInternational RectifierTO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 18A 60mOhm 10nC LogLvlAB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24NS
Код товару: 99543
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 18 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 480/15
Примітка: Управління логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24NSPBFInternational RectifierD2PAK=TO-263AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24NSPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 60mOhms 10nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24NSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLZ24NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 18 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 18A 60mOhm 10nC Log Lvl
на замовлення 5383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
689+51.37 грн
Мінімальне замовлення: 689 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLZ24NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 18 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRLZ24PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 60V 17A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24SPBFVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 60V 17 Amp 100mohm @ 5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34IR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34
Код товару: 17390
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 30 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34(94-4580)
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34-???IRTO-220AB
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34L
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34LPBFVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NUMWTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 60mOhm; 30A; 68W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLZ34; IRLZ34-BE3; IRLZ34N; SP001553290; IRLZ34N UMW TIRLZ34 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NNXP SemiconductorsMOSFETs RAIL PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34N
Код товару: 965
Додати до обраних Обраний товар
IR, NXPТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 30 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,035 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1600/35
Примітка: Управління логічним рівнем
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 60mOhm; 30A; 68W; -55°C ~ 175°C; IRLZ34N TIRLZ34
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+31.66 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NLIR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NL(94-4877)
на замовлення 11950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 51114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.99 грн
50+54.44 грн
100+51.28 грн
500+42.32 грн
1000+36.76 грн
2000+33.22 грн
5000+31.50 грн
10000+30.06 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 6678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.52 грн
50+50.59 грн
100+45.10 грн
500+33.29 грн
1000+30.39 грн
2000+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 51114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+54.87 грн
261+54.32 грн
277+51.17 грн
500+42.22 грн
1000+36.68 грн
2000+33.14 грн
5000+31.43 грн
10000+29.99 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+48.89 грн
2000+44.94 грн
5000+41.81 грн
10000+39.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.00 грн
50+70.28 грн
100+64.31 грн
500+50.18 грн
1000+42.74 грн
2000+37.96 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 27A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4682 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+96.64 грн
10+48.31 грн
50+40.34 грн
100+37.15 грн
250+33.55 грн
500+31.20 грн
1000+29.18 грн
2000+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 30 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 880 пФ @ 25 В, Qg, нКл = 25 @ 5 В, Rds = 35 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 5 В, Р, Вт = 68 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+71.00 грн
202+70.28 грн
220+64.31 грн
500+50.18 грн
1000+42.74 грн
2000+37.96 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+48.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 27A 16.7nC 35mOhm LogLvAB
на замовлення 5806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 27 A, 0.035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.12 грн
13+67.55 грн
100+60.23 грн
500+44.00 грн
1000+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF
Код товару: 40555
3 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 55 V
Струм стоку Idd, A: 30 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,035 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 880/25
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 118 шт
  • 118 шт - склад
1+22.50 грн
10+19.80 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBFInternational Rectifier(HEXSFET N-CH LOG LEV VDSS=60V ID=30A) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF/IRIR08+;
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSPBFInternational RectifierTO-263 (D2PAK) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLUMWTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 60mOhm; 30A; 68W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLZ34S; IRLZ34NS; IRLZ34NSTRL; SP001568692; SP001573060; IRLZ34NSTRL UMW TIRLZ34ns UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 21A; Idm: 110A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 11714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.06 грн
250+49.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+54.08 грн
1600+51.17 грн
2400+50.65 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+56.21 грн
255+55.68 грн
257+55.15 грн
259+52.67 грн
Мінімальне замовлення: 252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 43200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+52.16 грн
1600+49.58 грн
2400+49.09 грн
4000+46.85 грн
5600+42.94 грн
8000+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl
на замовлення 3166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 11714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.62 грн
10+87.79 грн
50+68.60 грн
100+57.06 грн
250+49.82 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 41 42 43 44 45 46 47 48  [ Наступна Сторінка >> ]