Продукція > BSC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.70 грн
10+163.92 грн
100+127.42 грн
500+103.95 грн
1000+92.50 грн
2000+83.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS
на замовлення 28894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+176.62 грн
107+133.48 грн
500+111.25 грн
1000+102.78 грн
2000+89.34 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 22219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+106.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 35403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+146.48 грн
500+132.30 грн
1000+121.67 грн
10000+104.52 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+57.89 грн
10000+54.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+284.96 грн
10+177.03 грн
100+133.79 грн
500+107.52 грн
1000+95.39 грн
2000+85.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+100.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+246.70 грн
87+163.92 грн
112+127.42 грн
500+103.95 грн
1000+92.50 грн
2000+83.73 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1InfineonMOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 22219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+98.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 7813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+153.37 грн
10+143.73 грн
100+133.34 грн
500+121.83 грн
1000+110.11 грн
2000+104.00 грн
4000+103.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-WSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R
на замовлення 7813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+121.34 грн
4000+120.87 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSSCATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-WSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.12 грн
10+187.12 грн
50+145.25 грн
100+123.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSSCATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSSCATMA2Infineon TechnologiesDescription: BSC016N06NSSCATMA2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSSCATMA2Infineon Technologies IFX FET 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+329.54 грн
62+229.11 грн
100+166.26 грн
500+144.48 грн
1000+129.12 грн
2500+120.31 грн
5000+112.77 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 5039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+329.54 грн
10+229.11 грн
100+166.26 грн
500+144.48 грн
1000+129.12 грн
2500+120.31 грн
5000+112.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+152.38 грн
500+144.11 грн
1000+137.02 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1
Код товару: 170205
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC016N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
на замовлення 5039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.19 грн
10+107.62 грн
50+81.83 грн
100+68.99 грн
500+55.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+133.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+133.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC017N04NS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC017N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LS G
Код товару: 214672
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGInfineon technologies
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.29 грн
15+51.16 грн
25+50.65 грн
100+45.01 грн
250+41.12 грн
500+36.89 грн
1000+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+51.16 грн
280+50.65 грн
304+46.67 грн
308+44.41 грн
500+38.42 грн
1000+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.88 грн
10000+26.00 грн
15000+25.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
461+76.91 грн
512+69.22 грн
1000+63.83 грн
Мінімальне замовлення: 461 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 4702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 17582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.94 грн
10+69.93 грн
100+46.64 грн
500+34.40 грн
1000+31.38 грн
2000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSInfineonN-MOSFET 25V 29A 1.8mΩ BSC018NE2LSI, BSC018NE2LSATMA1 BSC018NE2LS Infineon TBSC018ne2ls
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+25.13 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.95 грн
10+65.36 грн
50+48.87 грн
100+40.84 грн
500+32.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 1800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
на замовлення 3516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 1800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
на замовлення 3516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSIInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 48286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 4049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V
на замовлення 9250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.85 грн
10+82.34 грн
100+64.04 грн
500+50.94 грн
1000+41.50 грн
2000+39.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSIATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 69W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 4049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.26 грн
10+116.00 грн
25+111.09 грн
100+91.84 грн
250+79.26 грн
500+68.88 грн
1000+62.98 грн
3000+62.35 грн
6000+61.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSIATMA1
Код товару: 109878
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+41.17 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSIXTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N02KS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
на замовлення 15351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N02KSGInfineonN-MOSFET 20V 100A BSC019N02KSGAUMA1 BSC019N02KSG Infineon TBSC019n02ksg
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
15+57.07 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N02KSGInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 30A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+134.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N02KSGAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 50A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSInfineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 2419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 2974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 20 V
на замовлення 8721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.50 грн
10+70.82 грн
50+52.95 грн
100+44.27 грн
500+34.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+133.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+27.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.08 грн
13+59.23 грн
25+51.43 грн
100+34.80 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+133.16 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSTATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 161A; 94W; SuperSO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 161A
Power dissipation: 94W
Case: SuperSO8
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 57nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 161 A, 0.0019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSTATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSTATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4060 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC019N04LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 161 A, 0.0019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 161A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04LSTATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04NS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04NSGInfineon TechnologiesDescription: BSC019N04 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC019N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.