Продукція > HN1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
HN1C01FU-Y(TE85L) SOT363-CTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y(TE85LFToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.86 грн
6000+2.46 грн
9000+2.32 грн
15000+2.02 грн
21000+1.92 грн
30000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LFToshibaBipolar Transistors - BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=50V, IC=0.15A, hFE=120 to 400 in SOT-26 (SM6) package
на замовлення 14523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 34400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.72 грн
35+8.66 грн
100+5.34 грн
500+3.66 грн
1000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LF(BToshibaTransistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LF(BToshibaTransistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1774+7.98 грн
1834+7.71 грн
2500+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 1774 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LF(BToshibaTransistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LF(TToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2101+6.73 грн
3457+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 2101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C01FU-Y,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+16.88 грн
79+10.29 грн
126+6.38 грн
500+4.35 грн
1500+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C01FU-Y,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.35 грн
1500+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LXHFToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.62 грн
12+25.59 грн
100+16.39 грн
500+11.66 грн
1000+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6)
на замовлення 5757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-YLF(TToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-YTE85LSOT363-C1YTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FUGRTOSHIBA
на замовлення 93100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FUGRLFTToshibaBipolar Transistors - BJT VCEO 50V IC 150mA HFE 120 - 400 150mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FUGRLFTToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R
на замовлення 4688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1151+12.30 грн
1931+7.33 грн
2187+6.47 грн
2522+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 1151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FUGRLFTToshibaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FYTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
на замовлення 2801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FYTE85LFToshibaBipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A
на замовлення 5496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FYTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03F-B(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03F-B(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, SM6
на замовлення 8224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03F-B(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C03F-B(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 20 V, 300 mA, 300 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 30MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 300mA
на замовлення 2622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.38 грн
41+19.61 грн
100+12.30 грн
500+7.98 грн
1000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03F-B(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03F-B(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C03F-B(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 20 V, 300 mA, 300 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Übergangsfrequenz, NPN: 30MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 300mA
на замовлення 2622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.30 грн
500+7.98 грн
1000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FBTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FN-B(TE85L)
на замовлення 4979 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FUTOSSOT-363
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU(AB)
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-1
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-A(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-A(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-A(TE85L,FToshibaBipolar Transistors - BJT US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-BTOS05+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-B(TE85L)TOSHIBASOT363-C3B
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-B(TE85L) SOT363TOSHIBA
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-B(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-B(TE85L,FToshibaBipolar Transistors - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-B(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-B(TE85L,FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-B(TE85L,F)TOSHIBA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-B,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 17543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.47 грн
23+13.28 грн
100+8.30 грн
500+5.77 грн
1000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-B,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.73 грн
6000+4.11 грн
9000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-B,LFToshibaBipolar Transistors - BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=20V, IC=0.3A, hFE=350 to 1200 in SOT-26 (SM6) package
на замовлення 14510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-B,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C03FU-B,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 20 V, 300 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 350hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 30MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 300mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.01 грн
1000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FU-B,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C03FU-B,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 20 V, 300 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 350hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 30MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 300mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.51 грн
53+15.19 грн
115+7.05 грн
500+6.01 грн
1000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03FV-BTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C08F-B
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C08F-B(T5R.T)TOSHIBASOT163-C3B
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C08F-B(T5R.T) SOT163-C3TOSHIBA
на замовлення 2614 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01FTOSHSOT23
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01F(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SM6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01F(TE85L,F)ToshibaDiodes - General Purpose, Power, Switching SM6 M8 DIODE (LF)
на замовлення 14895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01F(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SM6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: ES6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01FE(TE85L,F)ToshibaDiodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode, 80V ES6 0.1A High Speed
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: ES6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.55 грн
14+22.01 грн
100+11.11 грн
500+8.50 грн
1000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01FU(T5L,F,T)ToshibaDiodes - General Purpose, Power, Switching 85V Vrm 80VR 300mA 2A IFSM 0.92V VF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01FU,LF(TToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.57 грн
18+17.16 грн
100+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01FU,LF(TToshibaSmall Signal Switching Diodes High Speed Switching Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01FU,LF(TToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: US6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02F(T5LDNSO,F)TOSHIBASOT26/SOT363
на замовлення 12315 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02F(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: SM6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02F(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: SM6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02F(TE85L,F)ToshibaSmall Signal Switching Diodes SM6 M8 DIODE (LF), IFM=300mA
на замовлення 7357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FE,LFToshibaSmall Signal Switching Diodes Switching diode, 80V ES6 0.1A High Speed
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FE,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FUTOSHIBA09+
на замовлення 11618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FU(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: ES6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FU(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: ES6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FU(TE85LF)ToshibaDiodes - General Purpose, Power, Switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 8745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.22 грн
15+20.30 грн
100+10.27 грн
500+7.86 грн
1000+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.43 грн
6000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FU,LFToshibaSmall Signal Switching Diodes US6-M8,
на замовлення 3394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D03FTE85LFToshibaDiodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 4 Circuit 0.1A 80V
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D03FTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC-74
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-74
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair CA + CC
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.87 грн
6000+4.32 грн
9000+4.22 грн
15000+3.87 грн
21000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D03FTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC-74
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SC-74
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair CA + CC
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 23738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.92 грн
23+13.28 грн
100+7.78 грн
500+6.49 грн
1000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D03FU
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D03FU(T5L,F,T)ToshibaDiodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode, 80V ES6 0.1A High Speed
на замовлення 2533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D03FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: US6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80mA
Diode Configuration: 2 Pair CA + CC
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D03FU,LFToshibaSmall Signal Switching Diodes High Speed Switching Diode
на замовлення 8553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D03FU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: US6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80mA
Diode Configuration: 2 Pair CA + CC
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.80 грн
18+16.72 грн
100+8.47 грн
500+6.48 грн
1000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D03FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1D03FU,LF(T - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, zweifach, gemeinsame Anode, 85 V, 100 mA, 1.2 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 1.6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.76 грн
1500+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D03FU,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1D03FU,LF(T - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, zweifach, gemeinsame Anode, 85 V, 100 mA, 1.2 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 1.6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+19.93 грн
63+12.94 грн
115+7.05 грн
500+5.76 грн
1500+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D03FULF(TToshibaDiodes - General Purpose, Power, Switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D04FUTOSHIBA08+ SOT-353
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D04FUTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: US6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair Series Connection
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D04FUTE85LFToshibaDiodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 4 Circuit 0.1A 80V
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D04FUTE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: US6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair Series Connection
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1J02FUTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1K02FU/K1TOSHIBA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1K02FUTE85R
на замовлення 53800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1K02FU\KITOSHIBASOT-363
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1K03FUTOSHIBA06+ SOT-363
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]