Продукція > HUF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
HUF75639S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.51 грн
500+141.44 грн
1000+133.18 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.65 грн
10+154.99 грн
100+108.57 грн
800+79.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.51 грн
500+141.44 грн
1000+133.18 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 20230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+112.71 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
на замовлення 17755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+150.86 грн
500+143.79 грн
1000+135.54 грн
10000+122.75 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+150.86 грн
500+143.79 грн
1000+135.54 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3SONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75639S3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 33191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+116.52 грн
Мінімальне замовлення: 243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+150.86 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST
Код товару: 163634
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.78 грн
10+127.08 грн
100+111.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.79 грн
500+159.11 грн
1000+147.33 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 96165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.79 грн
500+159.11 грн
1000+147.33 грн
10000+126.15 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.79 грн
500+159.11 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.79 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.79 грн
500+159.11 грн
1000+147.33 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.30 грн
10+171.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3STFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+125.38 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3STonsemi / FairchildMOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.79 грн
500+159.11 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+357.51 грн
10+243.76 грн
100+170.09 грн
500+162.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.79 грн
500+159.11 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.79 грн
500+159.11 грн
1000+147.33 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3STONS/FAIMOSFET N-CH 100V 56A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3STNLFairchild SemiconductorDescription: 56A, 100V, 0.025OHM, N-CHANNEL P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST_QON SemiconductorHUF75639S3ST_Q
на замовлення 36800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+161.47 грн
500+144.97 грн
1000+134.36 грн
10000+114.79 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST_QONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75639S3ST_Q - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 36800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+91.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST_QFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 56A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 36800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+114.45 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3S_Qonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3_NLON SemiconductorHUF75639S3_NL
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+169.72 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3_NLONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75639S3_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+96.43 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+120.04 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3_NLON SemiconductorHUF75639S3_NL
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+169.72 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF7563P3TO-220
на замовлення 887 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
на замовлення 26207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.22 грн
50+132.63 грн
100+120.12 грн
500+92.17 грн
1000+85.57 грн
2000+84.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+111.36 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645P3ON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A HUF75645P3 THUF75645p3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+122.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+238.13 грн
81+175.86 грн
95+148.91 грн
104+131.25 грн
250+114.52 грн
500+100.49 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+141.44 грн
100+129.27 грн
250+121.82 грн
500+107.38 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645P3
Код товару: 56156
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.50 грн
10+175.40 грн
50+148.52 грн
100+130.90 грн
250+114.22 грн
500+100.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645P3onsemi / FairchildMOSFETs 75a 100V N-Ch UltraFET
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645P3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75645P3 - N CHANNEL MOSFET, 100V, 75A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
MSL: -
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645P3-SB82282onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645P3_Qonsemi / FairchildMOSFETs 75a 100V N-Ch UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
375+69.68 грн
Мінімальне замовлення: 375 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75645S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+135.64 грн
1600+111.84 грн
2400+105.31 грн
5600+94.82 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+149.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75645S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+283.67 грн
10+187.24 грн
100+131.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3STonsemi / FairchildMOSFET 75a 100V N-Ch UltraFET
на замовлення 12652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.72 грн
10+181.63 грн
100+146.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+280.80 грн
10+238.27 грн
25+182.55 грн
100+160.93 грн
250+128.64 грн
500+121.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3ST_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+301.32 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3ST_QONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75645S3ST_Q - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+339.93 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3ST_QFairchild SemiconductorDescription: N CHANNEL ULTRAFET 100V, 75A, 1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+301.32 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75645S3S_NL
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75652G3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75652G3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+576.40 грн
10+564.36 грн
25+554.75 грн
50+525.95 грн
100+476.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75652G3onsemiMOSFETs 75a 100VN-Ch MOSFET
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75652G3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75652G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 515
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75652G3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7585 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 475 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 515W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+740.04 грн
30+423.85 грн
120+360.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75652G3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+532.02 грн
28+512.03 грн
50+485.45 грн
100+439.41 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75652G3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 515W; TO247
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO247
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 475nC
On-state resistance: 8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 75A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 515W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75652G3onsemi / FairchildMOSFETs 75a 100VN-Ch MOSFET
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75652G3ONS/FAIMOSFET N-CH Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75823D3SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+67.42 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75823D3SFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75829D3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 18A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 4067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
465+46.46 грн
Мінімальне замовлення: 465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75829D3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75829D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
681+57.06 грн
Мінімальне замовлення: 681 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75829D3SFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75829D3SON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75829D3STON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75831SK8TFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 3A 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75831SK8TFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75842P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
на замовлення 4636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+175.25 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75842P3onsemi / FairchildMOSFET 43a 150V 0.042 Ohm Logic Level N-Ch
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75842P3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75842P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 43
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 230
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75842P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75842S3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75842S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+175.99 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75842S3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Bulk
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+115.92 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75842S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75842S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75842S3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 43A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 3509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+88.01 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75852G3onsemi / FairchildMOSFETs 75a 150V 0.016 Ohm N-Ch MOSFET
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75852G3onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 25 V
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+640.85 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75852G3
Код товару: 160801
Додати до обраних Обраний товар
FairТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, V: 150 V
Струм стоку Idd, A: 75 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 7690/400
Монтаж: THT
у наявності: 4 шт
  • 4 шт - склад
1+590.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75852G3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75852G3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+941.83 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75852G3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75852G3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
на замовлення 2276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+640.85 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75852G3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75852G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 75 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75852G3onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75925D3SFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75925D3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 11A TO252AA
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 902 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75925D3STFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75925P3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 275mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+81.65 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75925S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]