Продукція > IPT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+180.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+198.01 грн
10+194.90 грн
25+191.79 грн
100+181.94 грн
250+165.68 грн
500+156.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+485.01 грн
43+330.68 грн
50+327.29 грн
100+259.50 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 273W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 273W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+217.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+134.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+481.32 грн
52+276.40 грн
100+254.55 грн
500+216.52 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+298.28 грн
61+232.09 грн
100+184.80 грн
500+165.22 грн
1000+146.12 грн
2000+130.84 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 273W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 273W; HSOF-8
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 260A
Power dissipation: 273W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+308.25 грн
63+227.80 грн
100+216.42 грн
500+190.87 грн
1000+166.38 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.64 грн
10+247.19 грн
50+193.81 грн
100+165.76 грн
500+148.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+497.79 грн
10+285.86 грн
100+263.27 грн
500+223.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 31A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+312.74 грн
10+231.12 грн
100+219.57 грн
500+193.66 грн
1000+168.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 11184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N13NM6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N13NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 1950 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 297A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 395W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 297A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 142A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 68 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+198.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 8644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N13NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 1950 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 297A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 395W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 297A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 142A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 68 V
на замовлення 2419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+515.75 грн
10+335.50 грн
50+266.45 грн
100+229.19 грн
500+219.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT0218-RJ45-1F6GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT0218-RJ45-1F7GLENAIRDescription: GLENAIR - IPT0218-RJ45-1F7 - Modularsteckverbinder, RJ45-Buchse, 1 x 1 (Port), 8P8C, Cat6, IP67, Panelmontage
tariffCode: 85366990
euEccn: NLR
LED: Ohne LED
rohsCompliant: YES
Abschirmung: Ungeschirmt
Magnetics: Ohne Magnetics
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Modularer Steckverbinder: RJ45-Buchse
isCanonical: Y
Steckverbindermontage: Panelmontage
IP-Schutzart: IP67
Positionen / bestückte Kontakte (pro Port): 8P8C
Anschlusskonfiguration: 1 x 1 (Port)
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produktpalette: IPT
productTraceability: No
LAN-Kategorie: Cat6
usEccn: EAR99
Steckverbinderausrichtung: Vertikal
Lichtleiter: Ohne Lichtleiter
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT0218-USBA-1F7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT022N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT022N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 236 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 236A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT022N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.50 грн
10+206.21 грн
50+160.53 грн
100+136.84 грн
500+117.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT022N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT022N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT022N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 236 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 236A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT022N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-10
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+109.88 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT022N10NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT023N10NM5LF2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT023N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 243 A, 2100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 243A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT023N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT023N10NM5LF2ATMA1
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 193µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 243A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.40 грн
10+294.06 грн
50+232.26 грн
100+199.30 грн
500+185.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT023N10NM5LF2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT023N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 243 A, 2100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 243A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT023N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT023N10NM5LF2ATMA1
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 193µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 243A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT023N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT025N15NM6Infineon Technologies IFX FET >100-150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT025N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT025N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT025N15NM6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT025N15NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 263 A, 2400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT025N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT025N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V
на замовлення 8730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+506.34 грн
10+328.03 грн
50+259.57 грн
100+222.94 грн
500+209.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT025N15NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 263 A, 2400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT025N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+189.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT026N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 202 A, 2200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 158µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+137.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+235.72 грн
500+222.76 грн
1000+210.97 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT026N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 202 A, 2200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+383.33 грн
58+246.29 грн
100+193.07 грн
500+177.37 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 4914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 158µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
на замовлення 3021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.91 грн
10+251.27 грн
50+197.18 грн
100+168.70 грн
500+151.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 27A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+396.45 грн
10+254.72 грн
100+199.68 грн
500+183.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N12NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT026N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 224 A, 2600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 224A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT026N12NM6ATMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N12NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT026N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 224 A, 2600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 224A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT026N12NM6ATMA1
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+460.10 грн
10+297.16 грн
50+234.75 грн
100+201.47 грн
500+187.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT029N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT029N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 169 A, 2900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT029N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT029N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 150A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 169A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT029N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+415.87 грн
49+290.58 грн
100+217.74 грн
500+192.17 грн
1000+171.09 грн
2000+150.34 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT029N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT029N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 169 A, 2900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT029N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 150A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 169A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT029N08N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 676A; 167W
Transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 676A
Power dissipation: 167W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT029N08N5ATMA1Infineon TechnologiesOptiMOS 5Power-Transistor,80V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT029N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+430.10 грн
10+300.53 грн
100+225.19 грн
500+198.75 грн
1000+176.95 грн
2000+155.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT029N08N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
на замовлення 2159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02A10-2PF6GlenairIPT02A10-2PF6
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+6293.25 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02A10-2PF6GlenairIPT02A10-2PF6
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17649.20 грн
2+15850.43 грн
4+13580.21 грн
7+10037.57 грн
10+7181.84 грн
20+5394.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02A10-6PF7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02A12-10SGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02A12-10S-80Glenair POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02A12-10S/80Glenair POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02A12-10SF6GlenairIPT02A12-10SF6
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+9247.67 грн
20+7234.95 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02A12-10SF6GlenairIPT02A12-10SF6
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20290.45 грн
2+18223.33 грн
4+15612.26 грн
7+11540.16 грн
10+8256.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02A12-10SF6GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02A12-4SWGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02A14-12/3PCB0F6GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02A14-15PGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02A14-15P-80GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02A14-15P/80GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02A14-15PCGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02A14-15PF6GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02A14-15PZCGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02A14-19SCMBGlenairStandard Circular Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02A18-32SGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02A18-32SF11GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02A18-32SF2GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02A18-32SF6GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02A18-32SF7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02A18-USBA-1F6GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02A20-16PCGlenairIPT02A20-16PC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+23177.24 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02A20-16PCGlenairIPT02A20-16PC
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+64998.43 грн
2+58376.35 грн
4+50012.36 грн
7+36967.00 грн
10+26450.03 грн
20+19866.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02A24-61SCGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02A8-3PF6GlenairIPT02A8-3PF6
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17576.60 грн
2+15785.09 грн
4+13523.35 грн
7+9995.66 грн
10+7152.70 грн
20+5371.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]