Продукція > IPT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPT02PP22-55P/SXGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02PP22-55P/SYGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02PP22-55P/SZGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02PP22-55PSF2GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02QC12-A6PGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02QC12-A6PCGA76GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02QC12-A6PGU01GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02Y20-41PGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02Y20-41PXGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02Y210-7SGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02YK14-19SGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02YK22-41PF7GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02YL10-6SGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02YL10-7SGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02YL12-10SWGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02YL14-19PF2GlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02YLFK14-19PGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT02YS14-19SF2GlenairCircular MIL Spec Connector CONNECTOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT030N12N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT030N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 237 A, 2500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+185.24 грн
500+169.77 грн
1000+154.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT030N12N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 237A; 375W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 237A
Power dissipation: 375W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 158nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT030N12N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 3834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+395.45 грн
10+293.74 грн
25+235.41 грн
100+185.01 грн
250+184.32 грн
1000+180.18 грн
2000+157.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT030N12N3GATMA1InfineonN-Channel 120 V 24A (Ta), 237A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT030N12N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 60 V
на замовлення 4868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.24 грн
10+282.77 грн
100+204.19 грн
500+178.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT030N12N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT030N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 237 A, 2500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+341.49 грн
10+254.51 грн
100+185.24 грн
500+169.77 грн
1000+154.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT030N12N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 60 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+161.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT034N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.43 грн
10+207.62 грн
25+206.67 грн
100+168.85 грн
250+155.50 грн
500+144.50 грн
1000+128.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT034N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 84A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 194A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT034N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+221.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT034N15NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+206.99 грн
500+171.26 грн
1000+135.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT034N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+243.43 грн
69+206.67 грн
100+168.85 грн
250+155.50 грн
500+144.50 грн
1000+128.55 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT034N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT034N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 84A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 194A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V
на замовлення 1508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.61 грн
10+216.73 грн
100+154.51 грн
500+137.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT034N15NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+327.80 грн
10+256.92 грн
100+206.99 грн
500+171.26 грн
1000+135.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT034N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+374.51 грн
10+245.31 грн
100+151.88 грн
500+135.31 грн
2000+126.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+256.12 грн
500+210.90 грн
1000+185.01 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+174.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+382.56 грн
10+315.72 грн
100+256.12 грн
500+210.90 грн
1000+185.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 3295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+449.41 грн
10+296.92 грн
100+185.70 грн
500+166.37 грн
1000+155.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V
на замовлення 3898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+490.06 грн
10+316.27 грн
100+227.63 грн
500+178.18 грн
1000+169.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 190A; 319W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 190A
Power dissipation: 319W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5XTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT03YQC12-A6PF7N405GlenairStandard Circular Connector
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT043N15N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+147.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+206.99 грн
500+157.05 грн
1000+136.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 3872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+389.01 грн
10+256.43 грн
100+158.78 грн
500+142.21 грн
1000+133.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 174A; 300W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 174A
Power dissipation: 300W
Case: HSOF-8
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.24 грн
10+243.58 грн
100+193.96 грн
500+151.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+430.89 грн
50+287.53 грн
100+206.99 грн
500+157.05 грн
1000+136.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT047N15NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT047N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 147 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+264.17 грн
10+198.93 грн
100+164.30 грн
500+139.85 грн
1000+125.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT047N15NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT047N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 147 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+164.30 грн
500+139.85 грн
1000+125.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT047N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.59 грн
10+176.24 грн
25+140.14 грн
100+126.33 грн
250+120.12 грн
500+115.98 грн
1000+112.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT054N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT054N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 4600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+401.09 грн
10+266.59 грн
100+190.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT054N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 181µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT054N15N5ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT054N15N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+414.78 грн
10+284.21 грн
100+178.80 грн
500+163.61 грн
1000+149.11 грн
2000+146.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT054N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT054N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 4600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+190.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT054N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 181µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+362.69 грн
10+242.98 грн
100+175.91 грн
500+146.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3Infineon
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 2258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+337.46 грн
10+271.51 грн
100+191.22 грн
500+169.82 грн
1000+160.85 грн
2000+136.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+907.63 грн
25+865.72 грн
50+830.89 грн
100+772.97 грн
250+693.51 грн
500+647.53 грн
1000+631.81 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+399.97 грн
10+257.27 грн
100+184.75 грн
500+158.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; Idm: 620A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+426.48 грн
38+377.54 грн
100+290.44 грн
500+264.48 грн
1000+210.32 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 4558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+459.27 грн
38+380.15 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+436.01 грн
10+366.60 грн
100+287.54 грн
500+257.38 грн
1000+210.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 5000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+331.82 грн
10+269.00 грн
100+213.43 грн
500+176.50 грн
1000+140.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+261.06 грн
500+248.06 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 41049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+261.06 грн
500+248.06 грн
1000+233.89 грн
10000+211.87 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1InfineonТранзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 155А; 375Вт; PG-HSOF-8-1 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+185.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 2153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+328.60 грн
10+262.78 грн
100+180.87 грн
500+170.51 грн
1000+146.35 грн
2000+140.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 0.005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+220.68 грн
500+170.51 грн
1000+135.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT059N15N3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+261.06 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+233.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT063N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 5400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 3562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+187.66 грн
500+133.87 грн
1000+117.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 153µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 75 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.94 грн
10+217.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+344.71 грн
10+225.47 грн
100+139.45 грн
500+131.86 грн
1000+127.71 грн
2000+116.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+317.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT063N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 5400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 3562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+353.57 грн
10+234.37 грн
100+187.66 грн
500+133.87 грн
1000+117.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 153µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT063N15N5ATMA1Infineon TechnologiesN Channel Power Mosfet
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+211.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6Infineon Technologies IFX FET >150 - 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+339.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+339.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+400.28 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+709.56 грн
5+604.05 грн
10+498.54 грн
50+409.83 грн
100+328.60 грн
250+321.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+583.51 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
на замовлення 4849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+474.52 грн
10+343.95 грн
100+281.49 грн
500+260.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >150 - 400V
на замовлення 3864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+606.46 грн
10+407.27 грн
100+260.26 грн
500+256.81 грн
1000+239.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 9915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+440.61 грн
100+418.16 грн
500+396.90 грн
1000+361.08 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+498.54 грн
50+409.83 грн
100+328.60 грн
250+321.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 137A; Idm: 548A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 137A
Pulsed drain current: 548A
Power dissipation: 300W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT067N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+440.61 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]