Продукція > NSS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NSS40301CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: LFPAK
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: e2PowerEdge Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.37 грн
12+72.24 грн
100+48.08 грн
500+35.00 грн
1000+29.48 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301CTWGonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT LFPAK4 BP
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.51 грн
10+65.42 грн
100+37.69 грн
500+29.82 грн
1000+27.75 грн
3000+23.54 грн
6000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.08 грн
500+35.00 грн
1000+29.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDG
на замовлення 5388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2G
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GonsemiDescription: TRANS 2NPN DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 3475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.54 грн
10+54.00 грн
100+35.70 грн
500+26.16 грн
1000+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8
на замовлення 11744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.06 грн
10+61.61 грн
100+35.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301MDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 3 A, 653 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 653mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.35 грн
15+54.77 грн
100+37.85 грн
500+33.65 грн
1000+29.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 3A; 0.576W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN x2
Case: SO8
Power dissipation: 0.576W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 200
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GonsemiDescription: TRANS 2NPN DUAL 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MDR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301MDR2G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 40 V, 3 A, 653 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 180hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 653mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.85 грн
500+33.65 грн
1000+29.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
627+22.63 грн
733+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 627 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 215MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.58 грн
10+36.20 грн
100+23.43 грн
500+16.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40301MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.83 грн
28+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.74 грн
34+22.63 грн
100+19.35 грн
500+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 215MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+16.75 грн
2000+14.63 грн
3000+13.87 грн
5000+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT BP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.30 грн
8000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T3GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 40V LOW SAT BP SOT223
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.15 грн
10+35.33 грн
100+20.23 грн
500+15.88 грн
1000+13.67 грн
2000+13.53 грн
4000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T3GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.36 грн
10+32.08 грн
100+20.76 грн
500+14.89 грн
1000+13.41 грн
2000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301MZ4T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40301UT001
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GONSEMICategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40V; 3A; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: NPN / PNP
Case: SO8
Power dissipation: 0.576W
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 200
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+149.31 грн
137+103.95 грн
200+94.50 грн
500+68.89 грн
1000+62.52 грн
2000+47.38 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GonsemiBipolar Transistors - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A
на замовлення 8152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.64 грн
10+78.52 грн
100+45.84 грн
500+36.24 грн
1000+33.14 грн
2500+29.75 грн
5000+28.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.89 грн
5000+29.48 грн
7500+28.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GONN
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40302PDR2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3 A, 3 A, 783 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 783mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 783mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.80 грн
500+36.35 грн
1000+30.65 грн
5000+25.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
486+73.03 грн
540+65.72 грн
1000+60.61 грн
Мінімальне замовлення: 486 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40302PDR2G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3 A, 3 A, 783 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 783mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 783mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.45 грн
11+80.14 грн
100+53.80 грн
500+36.35 грн
1000+30.65 грн
5000+25.06 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 88233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.60 грн
10+72.84 грн
100+48.93 грн
500+36.31 грн
1000+33.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40302PDR2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3A 783mW 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40400CF8T1GonsemiDescription: LOW VCES 40V SS XTR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1603+13.80 грн
Мінімальне замовлення: 1603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40400CF8T1G
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A 3WDFN
Power - Max: 875 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2G
на замовлення 6998 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 5A; 1.5W; WDFN3; automotive industry
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN3
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 40V
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A 3WDFN
Power - Max: 875 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.58 грн
10+36.50 грн
100+23.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT 2 2 LOW VCE(SAT) TR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40500UW3T2GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS40500UW3T2G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 36300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 5A; 1.5W; WDFN3; automotive industry
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN3
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 150MHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN
Power - Max: 875 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+58.33 грн
278+49.21 грн
500+41.28 грн
1000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GonsemiBipolar Transistors - BJT QUAD 2-INPUT OR GATE
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.18 грн
10+43.98 грн
100+27.68 грн
500+23.20 грн
1000+22.16 грн
3000+22.09 грн
6000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.43 грн
25+58.33 грн
100+49.27 грн
250+45.56 грн
500+39.63 грн
1000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 5A 3WDFN
Power - Max: 875 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Frequency - Transition: 150MHz
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.64 грн
10+55.57 грн
100+36.73 грн
500+26.90 грн
1000+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40501UW3T2GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 5A 1500mW 3-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40600CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40600CF8T1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 6A 1400mW 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40600CF8T1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40600CF8T1GonsemiBipolar Transistors - BJT LOW VCES 40V PNP
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.22 грн
10+70.58 грн
100+47.84 грн
500+39.49 грн
1000+31.20 грн
3000+26.51 грн
24000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40601CF8T1GonsemiBipolar Transistors - BJT HEX UNBUFFED INVERTR
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.24 грн
10+68.75 грн
100+46.60 грн
500+38.45 грн
1000+30.44 грн
3000+28.30 грн
9000+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40601CF8T1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 830 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS43400MZ4T3G
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS4532-200-F
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS504-012N-CAEG1T??
на замовлення 589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS504-012N-CFED1B
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS507-212F-GAAG1TMISAKI07+
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS5E472J
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.43 грн
10+39.54 грн
100+22.37 грн
500+17.19 грн
1000+15.53 грн
3000+14.43 грн
6000+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1473+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 1473 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBGonsemiDescription: TRANS 2PNP 60V 1A
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Frequency - Transition: 155MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Power - Max: 2.27W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.60 грн
10+38.37 грн
100+26.66 грн
500+19.54 грн
1000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBGonsemiDescription: TRANS 2PNP 60V 1A
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Frequency - Transition: 155MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Power - Max: 2.27W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60100DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1473+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 1473 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMR6T1GonsemiDescription: NSS60101DMR6T1G - 60 V, 1 A, LOW
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-74
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Power - Max: 400mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1473+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 1473 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBGonsemiDescription: TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Power - Max: 2.27W
на замовлення 3765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.26 грн
10+33.21 грн
100+22.74 грн
500+16.86 грн
1000+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 1A 2270mW 6-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBGonsemiDescription: TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.27W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60101DMTTBGonsemiBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 1A LOWVCESA
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.98 грн
10+61.13 грн
100+33.07 грн
500+22.78 грн
1000+19.19 грн
3000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200DMTTBGON SemiconductorBipolar Transistors - BJT DUAL 60V 2A LOWVCES AT PNP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200DMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Power - Max: 460 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 39414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
14+22.88 грн
100+14.57 грн
500+10.31 грн
1000+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 460 mW
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.67 грн
6000+7.60 грн
9000+7.23 грн
15000+6.38 грн
21000+6.14 грн
30000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1G
Код товару: 121380
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.14 грн
39+20.78 грн
100+15.54 грн
500+11.89 грн
1000+8.63 грн
5000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GOn SemiconductorTRANS PNP 60V 2A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 2A 540mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.04 грн
6000+12.86 грн
9000+12.53 грн
12000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A
на замовлення 42339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.44 грн
16+20.24 грн
100+13.05 грн
500+9.94 грн
1000+8.84 грн
3000+6.56 грн
6000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200SMTTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NSS60200SMTTBG - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSS60200SMTTBGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.04 грн
11+29.17 грн
100+19.90 грн
500+14.70 грн
1000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]