Продукція > NTM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 15 18 21 24 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTMFD4901NFT1G
Код товару: 91879
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4901NFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W, 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A, 17.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4901NFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4902NFonsemi NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4902NFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W, 1.16W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A, 13.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4902NFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A/17.5A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4902NFT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4902NFT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W, 1.16W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A, 13.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4902NFT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.3A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W, 1.16W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A, 13.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4902NFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4902NFT3GON Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4902NFT3G-SonsemiDescription: NTMFD4902NFT3G-S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4951NFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD4951NFT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+135.75 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4951NFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL
Packaging: Bulk
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+102.68 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4951NFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4951NFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4951NFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8DFN DL
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4951NFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4952NFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8DFN DL
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4952NFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4952NFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8DFN DL
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4952NFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C20NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 27A 3.4MOH
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C20NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 13.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.09W, 1.15W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C20NT1GON Semiconductor
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C20NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 13.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.09W, 1.15W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C20NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A, 13.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.09W, 1.15W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C20NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A/18A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C20NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 27A 3.4MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C50NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C50NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C50NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+88.68 грн
Мінімальне замовлення: 229 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C50NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C50NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C85NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD4C85NT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 25.4 A, 0.0022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.95W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 182728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+153.63 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C85NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A, 29.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.13W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C85NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A, 29.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.13W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C85NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 40A 1.2MOH
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C85NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A, 29.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.13W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 182728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+163.34 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C85NT3GonsemiMOSFET NFET SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C85NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A, 29.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.13W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C86NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A, 18.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1153pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Obsolete
на замовлення 40079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+183.65 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C86NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD4C86NT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 20.2 A, 0.0043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.89W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 40079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+223.53 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C86NT1GonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 32A 2.1MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C86NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1153pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A, 18.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C86NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1153pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A, 18.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C86NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 32A 2.1MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C86NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.3A 8DFN
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1153pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A, 18.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
на замовлення 795000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+183.65 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C87NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD4C87NT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+253.61 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C87NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.9A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C87NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+165.07 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C87NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 26A 3.1MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C87NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C87NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 26A 3.1MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C88NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 24A 3.4MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C88NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+128.69 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C88NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD4C88NT1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+206.46 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C88NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C88NT3GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A, 14.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD4C88NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5875NLT1GonsemiMOSFET 60V 22A 33MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5875NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 7A/22A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 32W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C446NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 25A 8DFN
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C446NLT1GonsemiMOSFETs T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 5885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C446NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 25A 8DFN
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 145A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.31 грн
10+142.13 грн
100+98.32 грн
500+74.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C462NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C462NLT1GON SemiconductorDescription: T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C462NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+146.53 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C466NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+82.65 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C466NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.18 грн
3000+22.31 грн
4500+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C466NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C466NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 40V LL S08FL DS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C466NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+174.55 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C466NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 8DFN
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3W (Ta), 40W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.14 грн
10+54.50 грн
100+36.03 грн
500+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C466NT1GonsemiMOSFET 40V 8.1 MOHM T6 S08FL DUAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C466NT1GonsemiDescription: MOSFET 40V S08FL DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C466NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin DFN EP Reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C466NT1GonsemiDescription: MOSFET 40V S08FL DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.87 грн
10+88.76 грн
100+69.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C470NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.28 грн
10+167.03 грн
100+132.99 грн
500+105.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C470NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3W (Ta), 24W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+99.15 грн
3000+90.70 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C470NLT1GonsemiMOSFET T6 40V LL S08FL DS
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C478NLT1GonsemiMOSFETs 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DUAL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C650NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C650NLT1GON Semiconductor
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C650NLT1GonsemiMOSFETs T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C650NLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C650NLT1GON SemiconductorDescription: T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C650NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C672NLT1GonsemiDescription: T6 60V LL S08FL DS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C672NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD5C672NLT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 49 A, 0.0119 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 49A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0119ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 45W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.24 грн
17+50.07 грн
100+33.73 грн
500+25.59 грн
1000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C672NLT1GonsemiDescription: T6 60V LL S08FL DS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 45W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 49A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.27 грн
10+73.29 грн
100+56.99 грн
500+45.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C672NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD5C672NLT1G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 49 A, 0.0119 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 49A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0119ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 45W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.73 грн
500+25.59 грн
1000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C674NLT1GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C674NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+51.10 грн
100+33.69 грн
500+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C674NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD5C674NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 42 A, 42 A, 0.0117 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0117ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 37W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0117ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.15 грн
500+37.66 грн
1000+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C674NLT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C674NLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFD5C674NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 42 A, 42 A, 0.0117 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0117ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 37W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0117ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.79 грн
12+68.36 грн
100+50.15 грн
500+37.66 грн
1000+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C674NLT1GonsemiMOSFETs T6 60V LL S08FL DS
на замовлення 4823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C674NLT1GON Semiconductor
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFD5C680NLT1GonsemiMOSFETs T6 60V LL SO8FL DUAL
на замовлення 11766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 15 18 21 24 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]