Продукція > NVM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVMFS3D0P04M8LT1GOn SemiconductorMV8 P INITIAL PROGRAM 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D0P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A,10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 183A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5827 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.01 грн
10+166.35 грн
100+116.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D0P04M8LT1GonsemiMOSFETs MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 16818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D0P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 183A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5827 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A,10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D0P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLonsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A/132A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 132A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 132 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 139W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1G
Код товару: 188443
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A/132A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 132A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.39 грн
10+193.75 грн
100+136.92 грн
500+105.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 132 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR AUTOMOTIVE MARKET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4841NonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 89A 7MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4841NT1GON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 30V,89A,7mOhm
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4841NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1436 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4841NWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 89A 7mOhm SGL N-CH
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4841NWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 89A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 217500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.80 грн
10+282.06 грн
100+228.18 грн
500+190.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS4C01NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 370 A, 670 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 161W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 217500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+180.35 грн
3000+163.53 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS4C01NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 370 A, 670 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 161W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT3GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+165.20 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.01 грн
10+258.36 грн
100+209.01 грн
500+174.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+63.19 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS4C03NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 159 A, 0.0014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 159A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS4C03NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 159 A, 0.0014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 159A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.03 грн
10+121.14 грн
100+83.52 грн
500+63.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1GON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 49A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R NVMFS4C03NT1G TNVMFS4C03N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+84.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFET1GonsemiDescription: NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 14855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.30 грн
10+67.48 грн
50+50.40 грн
100+42.14 грн
500+33.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFET1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFET1GonsemiDescription: NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.72 грн
3000+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.79 грн
10+106.88 грн
100+81.07 грн
500+64.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+65.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+81.66 грн
3000+77.75 грн
7500+75.55 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 24,7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1972 @ 15, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 3,4 мОм @ 30 A, 10 В, Ugs(th) = 2,2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,61, 79, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd, Id2 = 116 А,... Транзистори Корпус: PowerTDFN
кількість в упаковці: 1500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.61W (Ta), 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 116A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.12 грн
10+116.84 грн
100+80.08 грн
500+60.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+106.42 грн
3000+97.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.34 грн
10+111.01 грн
25+109.42 грн
100+95.20 грн
250+87.28 грн
500+75.55 грн
1000+72.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.61W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+58.91 грн
3000+54.13 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 34MO
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+116.34 грн
128+111.01 грн
130+109.42 грн
144+95.20 грн
250+87.28 грн
500+75.55 грн
1000+72.67 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT3GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 34MO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT3GON Semiconductor
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NWFET1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NWFT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C301NET1GonsemiDescription: NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C301NET1GonsemiDescription: NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C301NWFET1GonsemiDescription: NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.79 грн
10+164.62 грн
50+127.02 грн
100+107.84 грн
500+87.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C301NWFET1GonsemiDescription: NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+79.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C301NWFET1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C302NT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 1.15MO
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C302NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C302NWFET1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 1.15MO
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C302NWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C303NET1GonsemiDescription: NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.52 грн
10+67.02 грн
50+50.12 грн
100+41.89 грн
500+32.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C303NET1GonsemiDescription: NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C303NET1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C303NWFET1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C305NET1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C305NET1GonsemiDescription: NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.11 грн
10+61.67 грн
50+45.91 грн
100+38.31 грн
500+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C305NET1GonsemiDescription: NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C305NET1G-YEonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C305NT1GonsemiDescription: NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.50 грн
3000+25.32 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C305NT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C305NT1GonsemiDescription: NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.52 грн
10+67.02 грн
50+50.06 грн
100+41.83 грн
500+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C305NT1G-YEonsemiDescription: NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C305NT1G-YEonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C305NT1G-YEonsemiDescription: NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.52 грн
10+67.02 грн
50+50.06 грн
100+41.83 грн
500+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C306NET1GonsemiMOSFETs TRENCH 30V NCH
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C306NT1GonsemiMOSFETs TRENCH 30V NCH
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C308NWFT1GonsemiDescription: TRENCH 30V NCH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.