Продукція > NVM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVMFS040N10MCLT1GonsemiDescription: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS040N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL SO8FL
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.62 грн
10+56.45 грн
100+32.31 грн
500+25.40 грн
1000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS040N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS040N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 21 A, 0.031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.88 грн
17+49.93 грн
100+32.78 грн
500+24.08 грн
1000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS1D5N08XONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS1D5N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 253 A, 1430 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 194W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+149.80 грн
500+123.40 грн
1000+108.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS1D5N08XONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS1D5N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 253 A, 1430 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 194W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+304.44 грн
10+199.74 грн
100+149.80 грн
500+123.40 грн
1000+108.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS1D9N08XONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS1D9N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 201 A, 1900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+294.78 грн
10+192.49 грн
100+151.41 грн
500+117.42 грн
1000+93.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS1D9N08XONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS1D9N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 201 A, 1900 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+151.41 грн
500+117.42 грн
1000+93.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS2D3P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 31A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS2D3P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5985 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2.7mA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 205W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 222A (Tc)
FET Type: P-Channel
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+113.93 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS2D3P04M8LT1GonsemiMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 660-669 дні (днів)
2+241.62 грн
10+200.06 грн
25+164.30 грн
100+140.83 грн
250+133.24 грн
500+124.95 грн
1000+107.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS2D3P04M8LT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -222A; Idm: -900A; 103W; DFN5
Case: DFN5
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -900A
Drain current: -222A
Drain-source voltage: -40V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 157nC
On-state resistance: 2.2mΩ
Power dissipation: 103W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS2D3P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2.7mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5985 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.15 грн
10+197.06 грн
100+153.03 грн
500+124.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS2D3P04M8LT1G транзистор
Код товару: 200395
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS2D5N08XONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS2D5N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 156 A, 2550 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 156A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 133W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+113.56 грн
500+81.52 грн
1000+69.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS2D5N08XONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS2D5N08X - Leistungs-MOSFET, PPAP-fähig, n-Kanal, 80 V, 156 A, 2550 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 156A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 133W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.40 грн
10+154.64 грн
100+113.56 грн
500+81.52 грн
1000+69.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D0P04M8LT1GonsemiMOSFET Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 2.7 mohm, -183 A
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.04 грн
10+190.53 грн
100+133.93 грн
500+109.76 грн
1500+90.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D0P04M8LT1GOn SemiconductorMV8 P INITIAL PROGRAM 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D0P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A,10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 183A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5827 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.62 грн
10+164.83 грн
100+115.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D0P04M8LT1GonsemiDescription: MV8 P INITIAL PROGRAM
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 183A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5827 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A,10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D0P04M8LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLonsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1GonsemiMOSFETs PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR AUTOMOTIVE MARKET
на замовлення 5923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.98 грн
10+181.01 грн
100+114.60 грн
500+101.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A/132A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 132A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.81 грн
10+191.98 грн
100+135.66 грн
500+104.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 132 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.08 грн
10+192.49 грн
100+143.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1GONN
на замовлення 618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A/132A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 132A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 132 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 139W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+143.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1G
Код товару: 188443
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS3D6N10MCLT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4841NonsemiMOSFET NFET SO8FL 30V 89A 7MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4841NT1GON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 30V,89A,7mOhm
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4841NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1436 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4841NWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 89A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4841NWFT1GON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 89A 7mOhm SGL N-CH
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 217500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+178.70 грн
3000+162.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+377.73 грн
10+250.08 грн
25+216.77 грн
100+162.23 грн
250+161.54 грн
500+151.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS4C01NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 370 A, 670 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 161W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+384.17 грн
10+267.39 грн
100+210.21 грн
500+160.79 грн
1000+142.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 217500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+345.60 грн
10+279.48 грн
100+226.09 грн
500+188.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS4C01NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 370 A, 670 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 161W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+210.21 грн
500+160.79 грн
1000+142.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NT3GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.03 грн
10+213.56 грн
100+153.26 грн
500+147.73 грн
1000+138.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.09 грн
10+256.00 грн
100+207.09 грн
500+172.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+163.68 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 57A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS4C03NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 159 A, 0.0014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 159A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.65 грн
500+66.78 грн
1000+59.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1GON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 49A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R NVMFS4C03NT1G TNVMFS4C03N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+86.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.28 грн
10+120.03 грн
100+82.76 грн
500+62.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+185.24 грн
10+119.88 грн
100+77.32 грн
500+64.13 грн
1000+59.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+62.61 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS4C03NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 159 A, 0.0014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 159A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+209.40 грн
10+139.33 грн
100+96.65 грн
500+66.78 грн
1000+59.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFET1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.92 грн
10+67.32 грн
100+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.45 грн
10+105.90 грн
100+80.33 грн
500+64.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31.4A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.71W (Ta), 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.4A (Ta), 143A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+64.84 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.21 грн
10+134.17 грн
100+80.08 грн
500+64.68 грн
1000+57.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C03NWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 34MO
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.48 грн
10+68.99 грн
100+53.78 грн
500+52.47 грн
1000+49.15 грн
1500+46.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.61W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+58.37 грн
3000+53.64 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+106.65 грн
3000+97.46 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.60 грн
10+111.25 грн
25+109.67 грн
100+95.42 грн
250+87.47 грн
500+75.72 грн
1000+72.83 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 24,7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1972 @ 15, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 3,4 мОм @ 30 A, 10 В, Ugs(th) = 2,2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,61, 79, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd, Id2 = 116 А,... Транзистори Корпус: PowerTDFN
кількість в упаковці: 1500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+116.60 грн
128+111.25 грн
130+109.67 грн
144+95.42 грн
250+87.47 грн
500+75.72 грн
1000+72.83 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.61W (Ta), 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 116A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.39 грн
10+115.77 грн
100+79.35 грн
500+59.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+81.84 грн
3000+77.92 грн
7500+75.72 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GON Semiconductor
на замовлення 12264 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27.2A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT3GON Semiconductor
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT3GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 34MO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NWFET1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NWFT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NWFT1GON Semiconductor
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NWFT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 34MO
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.75 грн
10+96.85 грн
100+59.30 грн
500+51.50 грн
1000+43.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NWFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C05NWFT3GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C301NWFET1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.51 грн
10+164.34 грн
100+99.41 грн
500+81.46 грн
1000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C302NT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 1.15MO
на замовлення 20651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.88 грн
10+136.55 грн
100+86.29 грн
500+79.39 грн
1000+71.80 грн
1500+67.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C302NT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C302NWFET1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 1.15MO
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.58 грн
10+92.89 грн
100+54.61 грн
500+43.49 грн
1000+39.90 грн
1500+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C302NWFT1GON SemiconductorMOSFET NFET SO8FL 30V 1.15MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C303NET1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.48 грн
10+62.56 грн
100+36.10 грн
500+28.23 грн
1000+25.89 грн
1500+23.75 грн
4500+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C303NWFET1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.48 грн
10+62.88 грн
100+36.31 грн
500+28.51 грн
1000+25.96 грн
1500+23.75 грн
3000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C305NET1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.82 грн
10+57.32 грн
100+32.93 грн
500+27.06 грн
1000+23.40 грн
1500+21.40 грн
4500+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C305NET1G-YEonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.82 грн
10+57.32 грн
100+32.93 грн
500+27.06 грн
1000+23.40 грн
1500+21.40 грн
4500+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C305NT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.48 грн
10+63.04 грн
100+36.31 грн
500+28.65 грн
1000+25.89 грн
1500+23.68 грн
4500+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]