Продукція > NVT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVTFS4C06NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NWFTWGonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 71A, 4.2mohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C06NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 55A, 5.9mohm
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
465+76.05 грн
517+68.45 грн
1000+63.13 грн
Мінімальне замовлення: 465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.11 грн
10+73.35 грн
100+49.23 грн
500+36.51 грн
1000+33.39 грн
2000+33.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NTWGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NWFTAGON Semiconductor
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NWFTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C08NWFTWGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10Nonsemionsemi NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10NTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.54 грн
10+76.93 грн
100+51.61 грн
500+38.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.41 грн
10+72.01 грн
100+55.01 грн
500+42.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+81.07 грн
177+80.26 грн
218+64.89 грн
250+62.11 грн
500+53.15 грн
1000+45.19 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10NWFTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 47A 7.4MOHM
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C10NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.07 грн
25+80.26 грн
100+62.57 грн
250+57.51 грн
500+51.02 грн
1000+45.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NETAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.99 грн
10+37.09 грн
100+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NETAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NETAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NETWGonsemi NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.10 грн
37+20.61 грн
39+19.13 грн
100+17.27 грн
250+16.56 грн
500+16.39 грн
1000+16.29 грн
3000+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+53.58 грн
100+41.67 грн
500+33.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAGonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 40A, 9.4mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+33.35 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.72 грн
500+30.89 грн
1000+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
713+19.84 грн
732+19.34 грн
733+18.63 грн
740+17.07 грн
1000+16.29 грн
3000+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 7500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.20 грн
20+41.23 грн
100+34.72 грн
500+30.89 грн
1000+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.62 грн
10+57.53 грн
100+44.72 грн
500+35.58 грн
1000+28.98 грн
2000+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NWFETWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NWFETWGonsemi NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NWFETWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NWFTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.44 грн
10+72.08 грн
100+56.08 грн
500+44.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NWFTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NWFTWGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
на замовлення 3583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C13NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.44 грн
10+72.16 грн
100+56.13 грн
500+44.65 грн
1000+36.37 грн
2000+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C25NTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 27A 17MOHM
на замовлення 17621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C25NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C25NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C25NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10.1A U8FL
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C25NWFTAGonsemiMOSFETs NFET U8FL 30V 22A 17MOHM
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C25NWFTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 22A 17MOHM
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C25NWFTAGON Semiconductor
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C305NETAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFN
на замовлення 23580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.73 грн
10+100.66 грн
100+68.50 грн
500+51.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C305NETAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFN
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+46.64 грн
3000+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C306NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C306NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+30.43 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C308NTAGON SemiconductorNVTFS4C308NTAG
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+39.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C308NTAGON SemiconductorNVTFS4C308NTAG
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C308NTAGON SemiconductorNVTFS4C308NTAG
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS4C308NTAGonsemi NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLonsemionsemi PFET U8FL 60V 14A 52MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+40.56 грн
353+40.16 грн
368+38.45 грн
374+36.51 грн
500+30.87 грн
1000+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGonsemiMOSFETs Single P-Channel 60V,14A,52mohm
на замовлення 13493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.052 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.41 грн
15+54.81 грн
50+47.90 грн
200+37.98 грн
500+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+34.57 грн
3000+30.50 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.73 грн
19+40.56 грн
25+40.16 грн
100+37.08 грн
250+33.81 грн
500+29.64 грн
1000+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGOn SemiconductorMOSFET P-CH 60V 14A 8WDFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.21 грн
10+55.82 грн
100+37.00 грн
500+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.052 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.38 грн
200+38.73 грн
500+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+51.89 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.96 грн
3000+23.02 грн
4500+22.01 грн
7500+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWGONN
на замовлення 4398 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.36 грн
10000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
595+59.53 грн
1000+54.89 грн
10000+48.94 грн
Мінімальне замовлення: 595 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5116PLTWG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 21W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.88 грн
13+65.57 грн
100+44.76 грн
500+35.67 грн
1000+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.47 грн
14+54.42 грн
25+53.52 грн
100+45.96 грн
250+41.34 грн
500+35.48 грн
1000+34.91 грн
3000+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+54.42 грн
265+53.52 грн
297+47.66 грн
306+44.65 грн
500+36.96 грн
1000+34.91 грн
3000+34.33 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWGonsemiMOSFETs Single P-Channel 60V,14A,52mohm
на замовлення 3776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.97 грн
10+50.59 грн
100+40.60 грн
500+30.40 грн
1000+30.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5116PLTWG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.77 грн
500+34.62 грн
1000+30.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 85490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.32 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+113.94 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTAGonsemiMOSFETs Pwr MOSFET 60V 14A 52mOhm SGL P-CH
на замовлення 1634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5116PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]