Продукція > SI4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 18 24 30 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4113-D-ZT1Skyworks Solutions Inc.Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4113
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-EVBSilicon LabsRF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only Evaluation Board TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-EVBSilicon LabsTSSOP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY EVALUATION BOARD-TSSOP SI4113
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113G-BTSI
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113GMSIO6
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113M-EVBSilicon LabsMLP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY EVALUATION BOARD SI4113
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113M-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4113
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113M-EVBSilicon LabsRF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only Evaluation Board MLP
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113ZT1N/A
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.12 грн
5000+48.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 20V Vds 16V Vgs SO-8
на замовлення 7452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.93 грн
10+90.80 грн
100+70.50 грн
500+56.75 грн
1000+47.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+69.21 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 16V Vgs SO-8
на замовлення 12468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.28 грн
24+31.35 грн
25+29.73 грн
100+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 275000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+91.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3Vishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 276862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.12 грн
10+54.55 грн
100+54.54 грн
500+51.03 грн
1000+50.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114G-B-GMSilicon LabsDescription: IC RF SYNTH FOR GSM/GPRS 28QFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114G-BMSilicon LabsDescription: IC RF FREQ SYNTH VCO 28QFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114G-BMRSI03+ CLCC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114GM-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVAL SI4114G-BM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4115G-BMSilicon LabsDescription: FREQUENCY GSM/GPRS SYNTH EXT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4115G-BMRSILICON
на замовлення 67790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
540+26.03 грн
549+25.62 грн
558+25.21 грн
567+23.92 грн
576+21.78 грн
1000+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 540 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.36 грн
29+26.03 грн
30+24.70 грн
100+22.51 грн
250+21.26 грн
500+20.91 грн
1000+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.03 грн
10+47.88 грн
100+40.00 грн
500+32.92 грн
1000+31.81 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.15 грн
5000+31.49 грн
7500+30.30 грн
12500+27.17 грн
17500+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 12774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4116DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 18 A, 0.0071 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V
на замовлення 28574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.24 грн
10+77.53 грн
100+52.09 грн
500+38.63 грн
1000+35.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4116DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 18 A, 0.0071 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4120
на замовлення 363 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4120-KT09+
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4120KTSILICON
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-BTSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1302 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-BTSI
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-BTR
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMSilicon LabsMLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
кількість в упаковці: 490 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMSkyworks Solutions, Inc.Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF2/IF output
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of Circuits: 1
Divider/Multiplier: Yes/No
PLL: Yes
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
Differential - Input:Output: No/No
Ratio - Input:Output: 1:2
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Input: Crystal
Type: Frequency Synthesizer
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Frequency - Max: 1.5GHz
Output: Clock
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+642.60 грн
2500+564.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMRSilicon LabsRF Wireless Misc Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF), lead free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMRSilicon LabsDescription: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+642.60 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMRSilicon LabsMLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GTSilicon LabsPhase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF2/IF output
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GTSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GTSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GTSilicon LabsTSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
кількість в упаковці: 62 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GTRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+573.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GTRSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GTRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+573.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GTRSilicon LabsTSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4122
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-EVBSilicon LabsTSSOP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD-TSSOP SI4122
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-EVBSilicon LabsRF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF) Evaluation Board TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122BTSILICON
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 4500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 10073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 3307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+112.23 грн
132+107.21 грн
250+102.91 грн
500+95.65 грн
1000+85.68 грн
2500+79.82 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3Vishay10+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 4973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.58 грн
10+133.86 грн
100+98.66 грн
500+75.12 грн
1000+69.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 4500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 10235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3
Код товару: 188744
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DYT1E3VISHAY
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122G-BMRSI2000
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122M-EVBSkyworks Solutions Inc.Description: BOARD EVALUATION FOR SI4122
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122M-EVBSilicon LabsMLP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD SI4122
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122M-EVBSilicon LabsRF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF) Evaluation Board MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-BMSilicon LabsDescription: IC SYNTH RF1/IF SNGL-BAND 28MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-BTSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-BT
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+745.77 грн
100+715.33 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMSilicon LabsMLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/IF), LEAD FREE SI4123
кількість в упаковці: 490 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 18 24 30 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]