Продукція > STW

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22 24 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STW1550STATICTECCategory: Antistatic Shoes Grounders
Description: ESD shoe grounder; ESD; 300mm; 100pcs; black,yellow
Length: 0.3m
Colour: black; yellow
Quantity in set/package: 100pcs.
Features of antistatic elements: disposable; self-adhesive polyester conductive straps designed for draining electrostatic charges, fastened on a shoes
Version: ESD
Type of antistatic accessories: ESD shoe grounder
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2145.04 грн
3+1874.66 грн
5+1757.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW15N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 14A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.95 грн
30+149.22 грн
120+134.91 грн
510+124.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW15N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW15N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 14 A, 0.3 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+448.61 грн
10+365.65 грн
100+283.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW15N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+401.09 грн
10+222.29 грн
100+160.16 грн
600+138.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW15N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+527.82 грн
10+456.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW15N95K5STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5
на замовлення 1421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+361.62 грн
10+188.95 грн
100+120.81 грн
600+120.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW15N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW15N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW15N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 12A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW15N95K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 950V; 7.6A; 170W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 170W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 410mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW15N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW15N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 12 A, 0.41 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+306.05 грн
10+287.53 грн
100+269.00 грн
500+231.84 грн
1000+198.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NA50
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NA50STMicroelectronicsMOSFET TO-247 N-CH 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NB50STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 14.6 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NB50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14.6A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NB50STMMOSFET N-CH 500V 14.6A 0.33Om TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NB50ST
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NK50Z
Код товару: 153069
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+341.85 грн
25+235.79 грн
100+213.89 грн
250+186.10 грн
600+153.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NK50ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW15NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7 A, 0.3 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+429.28 грн
10+215.04 грн
100+189.27 грн
500+173.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NK50ZSTN-MOSFET 14A 500V 160W 0.34Ω Replacement: STW15NB50 STW15NK50Z TSTW15NK50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+145.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NK50ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+385.79 грн
10+174.66 грн
100+147.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.51 грн
30+223.19 грн
120+185.81 грн
510+148.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+340.08 грн
61+234.56 грн
100+212.78 грн
250+185.14 грн
600+152.24 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NK50ZSTMN-channel 500V - 0.30. - 14A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+394.73 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NK90ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW15NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 9.5 A, 0.55 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+769.15 грн
10+454.24 грн
100+402.70 грн
500+366.46 грн
1000+331.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NK90ZSTMMOSFET N-CH 900V 15A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.78 грн
10+292.89 грн
25+254.24 грн
60+240.88 грн
120+180.29 грн
270+171.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NK90Z
Код товару: 42480
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, V: 900 V
Струм стоку Idd, A: 15 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 6100/190
Монтаж: THT
у наявності: 4 шт
  • 4 шт - склад
1+240.00 грн
10+220.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NK90ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 900 Volt 15 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+724.05 грн
10+423.14 грн
100+312.03 грн
600+303.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NK90ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9.5A; 350W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 350W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+644.32 грн
2+537.63 грн
10+365.62 грн
30+282.53 грн
60+249.29 грн
90+235.16 грн
120+227.68 грн
150+222.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NK90ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+737.03 грн
30+421.55 грн
120+358.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+290.07 грн
57+251.79 грн
60+238.56 грн
120+178.55 грн
270+169.71 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NK90ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 550mOhm; 15A; 350W; -55°C ~ 150°C; STW15NK90Z TSTW15NK90Z
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+225.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NK90Z
Код товару: 198553
Додати до обраних Обраний товар
VBsemiТранзистори > Польові N-канальні
Напруга сток-витік Uds, V: 900 V
Струм стоку Idd, A: 15 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 6100/190
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+290.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+394.73 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 600V 0.270 ohm 14A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V FDMesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW15NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW160N75F3STMicroelectronicsMOSFET 75V 3.5m 120A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW160N75F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 25 V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW16N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 279mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW16NA60
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW16NA60STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW16NB60ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW16NK60ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW16NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW16NK60ZSTM(N-CH U=600B, I=16A,TO-247AC) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW16NM50NST09+ SOP-8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW16NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO247-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW1700STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Banana plug / press stud adapter; ESD
Kind of connector: banana 4mm socket; press stud female 10mm; press stud male 10mm
Type of antistatic accessories: banana plug / press stud adapter
Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands
Version: ESD
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+257.73 грн
5+226.02 грн
10+212.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW1730STATICTECCategory: ESD Accessories
Description: Universal press stud; ESD; Application: designed for ESD mats
Version: ESD
Antistatic elements application: designed for ESD mats
Connection: press stud female 10mm; press stud male 10mm
Mounting: screwed
Related items: PRT-STW404011; PRT-STW404012; PRT-STW404013; PRT-STW404111; PRT-STW404112; PRT-STW404113
Type of antistatic accessories: universal press stud
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+227.30 грн
5+199.43 грн
10+187.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW17N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 15.5A TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW17N62K3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 620V .34 Ohm 15A SuperMESH3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.97 грн
30+129.81 грн
120+106.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 90W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+235.36 грн
10+121.32 грн
30+119.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.92 грн
10+138.93 грн
100+98.72 грн
600+95.96 грн
1200+88.36 грн
3000+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+143.54 грн
117+122.16 грн
120+118.99 грн
510+109.58 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.25 грн
10+149.25 грн
100+113.22 грн
600+88.36 грн
1200+82.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.04 грн
30+123.45 грн
120+120.24 грн
510+110.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.30 грн
30+131.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 255mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+237.14 грн
10+142.10 грн
30+118.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N60M2
Код товару: 155497
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 15A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.55 грн
30+163.56 грн
120+134.37 грн
510+106.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 9.4A; Idm: 60A; 110W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 9.4A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 110W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+319.74 грн
10+174.66 грн
100+124.95 грн
600+104.93 грн
1200+92.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW18N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NB40STTO-247
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NK60Z
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NK60ZSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 Volt 16 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NK60ZSTMN-CHANNEL 600V - 0.27. - 16A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NK80STTO247 941
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NK80ZSTMN-кан. MOSFET, 800V, 0.38 Ом, 17A, TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 19A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NK80Z
Код товару: 1659
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - склад
1+90.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NK80ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 18 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NK90
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+490.06 грн
30+270.28 грн
120+226.02 грн
510+181.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V 0.27ohms 13A Mdmesh
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW18NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.26 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+355.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.19A
Power dissipation: 130W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 52A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NM80STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V MDMesh
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+595.19 грн
10+342.96 грн
100+256.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+315.72 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NM80STMMOSFET N-CH 800V 17A TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NM80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+532.77 грн
30+265.59 грн
120+249.99 грн
510+229.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW18NM80STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+315.72 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW19NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22 24 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]