Продукція > Si4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 18 24 30 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4113-EVBSilicon LabsRF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only Evaluation Board TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-EVBSilicon LabsTSSOP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY EVALUATION BOARD-TSSOP SI4113
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4113
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113G-BTSI
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113GMSIO6
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113M-EVBSilicon LabsMLP/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY EVALUATION BOARD SI4113
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113M-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4113
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113M-EVBSilicon LabsRF Development Tools Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only Evaluation Board MLP
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113ZT1N/A
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.67 грн
5000+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 20V Vds 16V Vgs SO-8
на замовлення 7452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.66 грн
10+93.54 грн
100+72.62 грн
500+58.46 грн
1000+49.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 275000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3Vishay SiliconixТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+69.68 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.67 грн
24+31.56 грн
25+29.93 грн
100+27.25 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 276862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.02 грн
10+56.20 грн
100+56.18 грн
500+52.56 грн
1000+51.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+92.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 16V Vgs SO-8
на замовлення 12468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114G-B-GMSilicon LabsDescription: IC RF SYNTH FOR GSM/GPRS 28QFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114G-BMSilicon LabsDescription: IC RF FREQ SYNTH VCO 28QFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114G-BMRSI03+ CLCC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114GM-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVAL SI4114G-BM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4115G-BMSilicon LabsDescription: FREQUENCY GSM/GPRS SYNTH EXT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4115G-BMRSILICON
на замовлення 67790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.54 грн
10+49.33 грн
100+41.21 грн
500+33.91 грн
1000+32.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
540+26.20 грн
549+25.79 грн
558+25.38 грн
567+24.08 грн
576+21.93 грн
1000+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 540 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.66 грн
29+26.20 грн
30+24.87 грн
100+22.66 грн
250+21.40 грн
500+21.05 грн
1000+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4116DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 18 A, 0.0071 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 12774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4116DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 18 A, 0.0071 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V
на замовлення 6756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.14 грн
10+86.05 грн
50+64.69 грн
100+54.24 грн
500+42.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4120
на замовлення 363 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4120-KT09+
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4120KTSILICON
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-BTSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1302 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-BTSI
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-BTR
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMSkyworks Solutions, Inc.Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF2/IF output
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of Circuits: 1
Divider/Multiplier: Yes/No
PLL: Yes
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
Differential - Input:Output: No/No
Ratio - Input:Output: 1:2
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Input: Crystal
Type: Frequency Synthesizer
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Frequency - Max: 1.5GHz
Output: Clock
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMSilicon LabsMLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
кількість в упаковці: 490 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+646.92 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMRSilicon LabsRF Wireless Misc Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF), lead free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMRSilicon LabsDescription: IC SYNTH RF2/IF SNGL-BAND 28MLP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMRSilicon LabsMLP 28/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+646.92 грн
2500+567.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GTSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GTSilicon LabsPhase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF2/IF output
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GTSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GTSilicon LabsTSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
кількість в упаковці: 62 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GTRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+576.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GTRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+576.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GTRSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER RF2/IF 24TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-D-GTRSilicon LabsTSSOP 24/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) SI4122
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4122
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-EVBSilicon LabsTSSOP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD-TSSOP SI4122
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122-EVBSilicon LabsRF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF) Evaluation Board TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122BTSILICON
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-E3VISHAY
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 3307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 4500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 9853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 4973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.27 грн
10+137.90 грн
100+101.64 грн
500+77.38 грн
1000+71.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3
Код товару: 188744
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4122DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 27.2 A, 4500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 9853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+112.99 грн
132+107.93 грн
250+103.61 грн
500+96.30 грн
1000+86.26 грн
2500+80.36 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3Vishay10+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DYT1E3VISHAY
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122G-BMRSI2000
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122M-EVBSilicon LabsRF Development Tools Single-Band RF Synthesizer (RF2/IF) Evaluation Board MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122M-EVBSilicon LabsMLP/I°/SINGLE-BAND RF SYNTHESIZER (RF2/IF) EVALUATION BOARD SI4122
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122M-EVBSkyworks Solutions Inc.Description: BOARD EVALUATION FOR SI4122
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-BMSilicon LabsDescription: IC SYNTH RF1/IF SNGL-BAND 28MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-BTSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER RF1/IF 24TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-BT
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+750.78 грн
100+720.14 грн
500+689.50 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMSkyworks Solutions, Inc.Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/IF output
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4123-D-GMSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of Circuits: 1
Divider/Multiplier: Yes/No
PLL: Yes
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
Differential - Input:Output: No/No
Ratio - Input:Output: 1:2
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Input: Crystal
Type: Frequency Synthesizer
Frequency - Max: 1.8GHz
Output: Clock
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tray
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+695.40 грн
10+580.92 грн
25+550.19 грн
80+482.79 грн
230+455.09 грн
490+436.74 грн
980+414.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 18 24 30 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]