Продукція > ZXM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ZXMHC6A07N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 289923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.27 грн
10+70.60 грн
100+46.53 грн
500+35.10 грн
1000+32.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07N8TC - Dual-MOSFET, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 870mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 870mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.62 грн
500+31.41 грн
1000+26.44 грн
5000+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.39A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 870mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
на замовлення 287500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 1.8/-1.4A
Power dissipation: 1.36W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 250/400mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.2/5.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07N8TCDiodes IncorporatedMOSFETs Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A
на замовлення 42112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.00 грн
10+75.82 грн
100+43.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8ZETEX07+ SM-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADiodes IncorporatedMOSFETs 60V UMOS H-Bridge
на замовлення 3207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.77 грн
10+111.14 грн
100+66.48 грн
500+52.95 грн
1000+49.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+72.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07T8TA - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 1.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+112.76 грн
200+88.25 грн
500+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 1.4/-1.2A
Power dissipation: 1.36W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 250/400mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.2/5.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: MOSFET H-Bridge
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+161.97 грн
10+98.88 грн
50+77.28 грн
100+75.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.6A SM8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 233pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
на замовлення 3676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.18 грн
10+111.81 грн
100+76.47 грн
500+57.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+72.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMHC6A07T8TA - Dual-MOSFET, H-Brücke, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 1.8 A, 1.8 A, 1.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+200.54 грн
10+136.92 грн
50+112.76 грн
200+88.25 грн
500+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 60V 1.6A SM8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-223-8
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A, 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 233pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SM8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+58.69 грн
2000+52.43 грн
3000+50.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHC6A07T8TADiodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 1.6A/1.3A 8-Pin SM T/R
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+68.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHN6A07T8ZETEX07+ SM-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHN6A07T8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-223-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SM8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMHN6A07T8TADiodes IncorporatedMOSFETs 60V 1.6A N-Channel MOSFET H-Bridge
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN
на замовлення 13870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545FFTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545FFTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545FFTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545G4ZETEX07+ SOT223
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545G4TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545G4TA
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545G4TADiodes IncorporatedMOSFET 450V 140mA N-Channel Enhancement MOSFET
на замовлення 5004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545G4TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 450V 0.14A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.68 грн
10+101.63 грн
25+74.18 грн
100+70.81 грн
250+48.74 грн
500+46.32 грн
1000+46.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545G4TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545G4TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 450V 0.14A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN0545GTA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A07F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 640 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 640mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.07 грн
500+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A07F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 640 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 640mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.39 грн
50+43.17 грн
100+34.07 грн
500+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.65 грн
6000+15.74 грн
9000+14.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1788000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.58 грн
10+36.20 грн
100+23.49 грн
500+16.88 грн
1000+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.61 грн
6000+15.71 грн
9000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.91 грн
6000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTA
на замовлення 35800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Chnl UMOS
на замовлення 14046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.71 грн
10+38.90 грн
100+21.95 грн
500+16.78 грн
1000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.16 грн
6000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.87 грн
21+36.59 грн
100+25.94 грн
250+24.83 грн
500+17.35 грн
1000+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.8A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.64 грн
15+28.92 грн
50+20.44 грн
100+17.62 грн
500+13.05 грн
1000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 800 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.82 грн
500+16.90 грн
1500+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.55 грн
6000+11.99 грн
9000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.91 грн
6000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 213000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.91 грн
6000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
388+36.59 грн
547+25.94 грн
551+25.75 грн
730+18.74 грн
1000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 388 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.8A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 800 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.23 грн
50+39.63 грн
100+26.82 грн
500+16.90 грн
1500+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
на замовлення 5887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.25 грн
10+35.00 грн
100+22.71 грн
500+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Chnl UMOS
на замовлення 14291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.36 грн
10+43.98 грн
100+24.92 грн
500+19.19 грн
1000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.7 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.46 грн
19+42.61 грн
100+27.71 грн
500+19.74 грн
1000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+16.32 грн
2000+14.28 грн
3000+13.55 грн
5000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.20 грн
2000+20.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+51.28 грн
371+38.30 грн
374+37.93 грн
500+28.62 грн
1000+20.32 грн
3000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.7 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.71 грн
500+19.74 грн
1000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08N/A
на замовлення 459 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 8-Pin SO T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 82006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.19 грн
10+60.43 грн
100+40.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.84 грн
10+58.75 грн
100+33.90 грн
500+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 8-Pin SO T/R
на замовлення 79000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+33.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A08DN8TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.1 A, 0.25 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.67 грн
13+62.74 грн
100+44.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 81500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+32.45 грн
1000+28.43 грн
1500+27.00 грн
2500+23.82 грн
3500+22.92 грн
5000+22.05 грн
12500+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.99 грн
11+74.88 грн
100+59.79 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TADIODES/ZETEXTransistor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 300mOhm; 2,1A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; ZXMN10A08DN8TA TZXMN10a08dn8
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 8-Pin SO T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A08DN8TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.1 A, 0.25 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6Diodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6QTADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TADiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Chnl UMOS
на замовлення 6234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.43 грн
10+39.54 грн
100+22.37 грн
500+17.19 грн
1000+15.53 грн
3000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 2547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.37 грн
15+55.25 грн
100+38.90 грн
500+28.94 грн
1000+24.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 5139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+38.64 грн
371+38.25 грн
444+31.96 грн
447+30.60 грн
534+23.73 грн
1000+21.37 грн
3000+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 50 V
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.99 грн
10+48.16 грн
100+31.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 2547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.90 грн
500+28.94 грн
1000+24.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]