Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF7136TR
на замовлення 26500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7169IOR09+
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7171MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 15A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720Vishay(MFET,N-CH,50W,400V,3.3A,TO-220AB) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720
Код товару: 3059
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 400 V
Idd,A: 3,2 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 410/20
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+17.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720SiliconixN-MOSFET 3A 400V 50W 1.8? IRF720 IRF720 TIRF720
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 12045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1190+29.80 грн
10000+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 1190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720(MFET,N-CH,50W,400V,3.3A,TO-220AB) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720ONSEMIDescription: ONSEMI - IRF720 - IRF720, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720SiliconixN-MOSFET 3A 400V 50W 1.8? IRF720 IRF720 TIRF720
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
на замовлення 12045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
790+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201AIR09+
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.38 грн
16+48.02 грн
25+42.86 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 30mOhms 19nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7201PBF - IRF7201 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201PBF
Код товару: 24055
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 550/19
Монтаж: SMD
у наявності: 50 шт
  • 14 шт - склад
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+13.50 грн
10+11.90 грн
100+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201PBFInternational RectifierMOSFET N-CH, 30V, 7.3A, SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201TRimportTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 9A; 2,2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7201; IRF7201TR; IRF7201-GURT; IRF7201TR(UMW); IRF7201-HXY; IRF7201-HXY; IRF7201TR SOP8 VBSEMI TIRF7201 c
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201TR-VBVBsemiTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 9A; 2,2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7201; IRF7201TR; IRF7201-GURT; IRF7201TR(UMW); IRF7201-HXY; IRF7201-HXY; IRF7201TR SOP8 VBSEMI TIRF7201 c
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201TRPBF
Код товару: 42753
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 550/19
Монтаж: SMD
у наявності: 2995 шт
  • 2699 шт - склад
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 48 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 198 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+14.00 грн
10+12.40 грн
100+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201TRPBFINTERNATIONAL RECTIFIERMOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+271.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 7A 30mOhm 19nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.79 грн
19+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: PLANAR <=40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC N
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1137+31.18 грн
Мінімальне замовлення: 1137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7201TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7202IR09+
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7202TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7203Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7203IR09+
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7203TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7204TECH PUBLICTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 7,5A; 22mOhm; 12V; 3,1W; -50°C~150°C; replacement: TPM30V9NS8; IRF7204; IRF7204TR; IRF7204TR-VB; IRF7204TR-VB; IRF7204TR(UMW); IRF7204 TIRF7204 TEC
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7204IRSO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7204Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7204
Код товару: 25811
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 5,3 A
Rds(on),Om: 0,060 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+24.00 грн
10+21.60 грн
100+19.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7204PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7204PBF
Код товару: 51827
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7204PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 60mOhms 25nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7204PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 10, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 5.3 А, 10 В, Ugs(th) = 2.5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
95+18.17 грн
190+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7204PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7204TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7204TRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7204TRPBF - IRF7204 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 758 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7204TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -20V -5.3A 60mOhm 25nC
на замовлення 6009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.61 грн
10+78.05 грн
100+52.02 грн
500+41.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7204TRPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7204TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7204TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205International Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 870 @ 10, Qg, нКл = 40 @ 10 В, Rds = 70 мОм @ 4,6 A, 10 В, Ugs(th) = 3V @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
100+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205IRF7205 Транзисторы HEXFET
на замовлення 106 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205PBF
Код товару: 40541
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205PBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 70mOhms 27nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRJGSEMITransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7205; IRF7205TR; SP001551218; SP001559768; IRF7205TR JGSEMI TIRF7205 JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRInfineonTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 130mOhm; 4,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Replacement: STS4DPF30L; IRF7205; IRF7205TR; IRF7205-GURT; IRF7205TR TIRF7205
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRUMWTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 130mOhm; 4,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7205; IRF7205TR; SP001551218; SP001559768; IRF7205TR UMW TIRF7205 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
на замовлення 46639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.98 грн
10+59.69 грн
100+39.24 грн
500+28.57 грн
1000+25.92 грн
2000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.46 грн
10+43.12 грн
50+31.60 грн
100+28.07 грн
250+24.54 грн
500+22.27 грн
1000+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.19 грн
8000+26.92 грн
12000+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC
на замовлення 19458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.53 грн
10+65.45 грн
100+37.57 грн
500+29.47 грн
1000+25.14 грн
2000+22.83 грн
4000+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
на замовлення 45900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.12 грн
8000+21.54 грн
12000+20.68 грн
20000+18.51 грн
28000+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBF
Код товару: 205318
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7205TRPBF - MOSFET, P-KANAL, -30V, 4.6A, SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.31 грн
50+59.71 грн
250+39.27 грн
1000+25.72 грн
2000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.38 грн
8000+27.11 грн
12000+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7207International RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7207IRSO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7207Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7207PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7207TRIR
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7207TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7207TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720LPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 400V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+83.36 грн
172+82.53 грн
190+74.82 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.12 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.39 грн
50+87.40 грн
100+78.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVishayMOSFET N-CH 400V 3.3A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBF
Код товару: 22638
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 400 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+16.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+88.56 грн
162+87.67 грн
181+78.54 грн
500+47.57 грн
1000+41.55 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF720PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3 A, 1.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.97 грн
13+66.64 грн
100+54.34 грн
500+40.02 грн
1000+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+76.60 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 400V 3.3A N-CH MOSFET
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.16 грн
10+62.07 грн
100+47.76 грн
500+33.73 грн
1000+30.65 грн
5000+29.54 грн
10000+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.96 грн
50+87.07 грн
100+78.00 грн
500+47.25 грн
1000+41.27 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBF
Код товару: 164162
Додати до обраних Обраний товар
SiliconixТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 400 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 410/20
Монтаж: THT
у наявності: 21 шт
  • 13 шт - склад
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Київ
2+18.00 грн
10+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVishayTrans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
382+37.12 грн
Мінімальне замовлення: 382 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF720PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Pulsed drain current: 13A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+81.47 грн
10+59.26 грн
50+49.76 грн
100+46.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]