Продукція > BUK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK9Y25-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 2915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y25-60E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 34A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y25-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y25-60E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y25-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.0183 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0183ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y25-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y25-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y25-60E,115 | Nexperia | MOSFETs SOT669 N-CH 60V 34A | на замовлення 11778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y25-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y25-60E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y25-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.0183 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0183ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y25-60E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 34A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y25-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y25-60E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 2915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y25-80E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y25-80E,115 | Nexperia | MOSFETs N-channel TrenchMOS logic level FET | на замовлення 70343 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y25-80E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y25-80E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 2828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y25-80E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y25-80E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 256500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y25-80E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y25-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 7056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y25-80E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 255000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y25-80E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y25-80E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 2828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y25-80E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y25-80E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 37 A, 0.0205 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 6943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y25-80E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y27-40B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 34A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 959 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y27-40B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 34A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 959 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y27-40B,115 | Nexperia | MOSFET BUK9Y27-40B/SOT669/LFPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y27-40B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y29-40E | Nexperia | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y29-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y29-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 16500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y29-40E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y29-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0204 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 37W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0204ohm | на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y29-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y29-40E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 26725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y29-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y29-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y29-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 16500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y29-40E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y29-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0204 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 37W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0204ohm | на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y29-40E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 25500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y29-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y29-40E,115 | Nexperia | MOSFETs BUK9Y29-40E/SOT669/LFPAK | на замовлення 2255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y29-40E/CX | NXP USA Inc. | Description: TRANS N-CH LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y2R4-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9Y2R4-40H/SOT669/LFPAK Packaging: Bulk Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Power Dissipation (Max): 163W (Tc) Grade: Automotive Vgs (Max): +16V, -10V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y2R4-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y2R4-40HX - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y2R4-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9Y2R4-40H/SOT669/LFPAK Vgs (Max): +16V, -10V Power Dissipation (Max): 163W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y2R4-40HX | Nexperia | MOSFET BUK9Y2R4-40H/SOT669/LFPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y2R4-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y2R8-40HX | Nexperia | MOSFET BUK9Y2R8-40H/SOT669/LFPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y2R8-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y2R8-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y2R8-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y2R8-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0024 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V euEccn: NLR Verlustleistung: 172W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 2180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y2R8-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9Y2R8-40H/SOT669/LFPAK Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Vgs (Max): +16V, -10V Grade: Automotive Power Dissipation (Max): 172W (Tc) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y2R8-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y2R8-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y2R8-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2400 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V euEccn: NLR Verlustleistung: 172W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 2058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y30-75B | Nexperia | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y30-75B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 75V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y30-75B,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y30-75B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 34 A, 0.028 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y30-75B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 34A LFPAK56 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y30-75B,115 | Nexperia | MOSFETs BUK9Y30-75B/SOT669/LFPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y30-75B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 75V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y30-75B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 34A LFPAK56 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y30-75B/C2,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 34A LFPAK56 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y3075B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK9Y38-100E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2541 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.6 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 94.9W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y38-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y38-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y38-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y38-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y38-100E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2541 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.6 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 94.9W (Tc) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 1446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y38-100E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y38-100E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0302 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 30 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 94.9 Bauform - Transistor: LFPAK56 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: TrenchMOS Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0302 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1.7 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y38-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y38-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y38-100E,115 | Nexperia | MOSFETs N-channel 40 V 3.0 mohm logic level MOSFET in LFPAK56 | на замовлення 1595 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y38-100E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y3R0-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y3R0-40E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 194W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5962 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y3R0-40E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y3R0-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00198 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 100 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 194 Bauform - Transistor: SOT-669 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00198 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1.7 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y3R0-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y3R0-40E,115 | Nexperia | MOSFETs SOT669 N-CH 40V 100A | на замовлення 10592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y3R0-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y3R0-40E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 194W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5962 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y3R0-40E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y3R0-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00198 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y3R0-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y3R5-40E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5137 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.2 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 167W (Tc) | на замовлення 1414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y3R5-40E,115 | Nexperia | MOSFETs BUK9Y3R5-40E/SOT669/LFPAK | на замовлення 1214 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y3R5-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y3R5-40E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5137 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.2 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y3R5-40E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y3R5-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0023 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 100 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 167 Bauform - Transistor: LFPAK56 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: TrenchMOS Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1.7 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y3R5-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y40-55B | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y40-55B | PHILIPS | SOT669 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y40-55B,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y40-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 26 A, 0.032 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 59W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y40-55B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y40-55B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 26A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y40-55B,115 | Nexperia | MOSFETs BUK9Y40-55B/SOT669/LFPAK | на замовлення 3503 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y40-55B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9Y40-55B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 26A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y40-55B,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9Y40-55B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 26 A, 0.032 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 59W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y40-55B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | на замовлення 97500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9Y40-55B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. |

